本程序是在軟件模擬的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上設(shè)計(jì)一個(gè)多道程序的操作系統(tǒng)MOS，編譯環(huán)境是JAVA。
標(biāo)簽： MOS 程序 多道 操作系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-12-25
上傳用戶(hù)：maizezhen
完整的74HC系列高速MOS芯片手冊(cè)，各文件均為PDF格式.
標(biāo)簽： MOS 74 HC 芯片手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2014-06-23
上傳用戶(hù)：himbly
靜態(tài)RAM是由MOS管組成的觸發(fā)器電路，每個(gè)觸發(fā)器可以存放1位信息。只要不掉電，所儲(chǔ)存的信息就不會(huì)丟失。因此，靜態(tài)RAM工作穩(wěn)定，不要外加刷新新電路，使用方便。但一般SRAM的每一個(gè)觸發(fā)器是由6個(gè)晶體管組成，SRAM芯片的集成度不會(huì)太高，目前較常用的有6116（2K×8位），6264（8K×8位）和62256（32K×8位）。6264RAM有8192個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)單元為8位字長(zhǎng)。
標(biāo)簽： RAM MOS 觸發(fā)器電路
上傳時(shí)間： 2016-10-21
上傳用戶(hù)：busterman
IR2104 + IRF540 MOS電機(jī)驅(qū)動(dòng)全橋--貼片PCB原理及制板圖
標(biāo)簽： 2104 540 IRF MOS
上傳時(shí)間： 2014-11-07
上傳用戶(hù)：hwl453472107
高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路應(yīng)用手冊(cè)(中文)
標(biāo)簽： MOS 浮動(dòng) 柵極驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-12-13
上傳用戶(hù)：youmo81
rtd以及MOS負(fù)阻電感、電容振蕩器...
標(biāo)簽： rtd MOS 電感 電容
上傳時(shí)間： 2017-03-13
上傳用戶(hù)：dapangxie
運(yùn)放設(shè)計(jì)的HSPICE源碼,包括MOS管的長(zhǎng)寬等參數(shù)
標(biāo)簽： HSPICE MOS 運(yùn)放 源碼
上傳時(shí)間： 2017-04-08
上傳用戶(hù)：zhliu007
大功率輸出的MOS控制電路，小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大功率控制，電壓為24伏，使用DXP2004打開(kāi)
標(biāo)簽： MOS 大功率 輸出 控制電路
上傳時(shí)間： 2013-12-30
上傳用戶(hù)：hxy200501
MOS原理放大，運(yùn)用與實(shí)踐。非常好用的程序。
標(biāo)簽： MOS 放大
上傳時(shí)間： 2017-08-09
上傳用戶(hù)：zl5712176
詳細(xì)分析了MOS場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)特性以及其工作原理。
標(biāo)簽： MOS 分 場(chǎng)效應(yīng)管 開(kāi)關(guān)特性
上傳時(shí)間： 2014-01-16
上傳用戶(hù)：sjyy1001
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