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MOSFET

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effecttransistor）。[1]MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。

  • MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)

    功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使 其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與MOSFET 的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130 驅(qū)動(dòng)模塊的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無(wú) 刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。

    標(biāo)簽： MOSFET 保護(hù)

    上傳時(shí)間： 2016-01-11

    上傳用戶(hù)：ganglike

  • MOSFET驅(qū)動(dòng)器資料

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器資料,很好的資料,值得下載學(xué)習(xí),性能較好

    標(biāo)簽： MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    上傳時(shí)間： 2016-11-25

    上傳用戶(hù)：wuweiliang_ok

  • 高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器及在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用

    高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器及在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用

    標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 開(kāi)關(guān)電源

    上傳時(shí)間： 2019-07-31

    上傳用戶(hù)：jyh1058

  • RC吸收電路設(shè)計(jì)MOSFET吸收電路設(shè)計(jì)

    RC吸收電路設(shè)計(jì)MOSFET吸收電路設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽： rc吸收電路 MOSFET

    上傳時(shí)間： 2021-10-16

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  • SiC MOSFET為什么會(huì)使用4引腳封裝

    ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過(guò)采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對(duì)SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。關(guān)于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導(dǎo)通電阻很低，還通過(guò)采用4引腳封裝使開(kāi)關(guān)損耗降低了35%，對(duì)此我們非常感興趣。此次，想請(qǐng)您以4引腳封裝為重點(diǎn)介紹一下該產(chǎn)品。首先，請(qǐng)您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCMOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。包括SiCMOSFET在內(nèi)的電源開(kāi)關(guān)用MOSFET和IGBT，被作為開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線(xiàn)路中。必須盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)元件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來(lái)發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個(gè)引腳之外，另外設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過(guò)采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗；通過(guò)采用4引腳封裝，進(jìn)一步發(fā)揮出SiC本身具有的高速開(kāi)關(guān)性能，并降低開(kāi)關(guān)損耗。那么，我想詳細(xì)了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個(gè)要點(diǎn)。首先，什么是“驅(qū)動(dòng)器源極引腳”？驅(qū)動(dòng)器源極引腳是應(yīng)用了開(kāi)爾文連接原理的源極引腳。開(kāi)爾文連接是通過(guò)電阻測(cè)量中的4個(gè)引腳或四線(xiàn)檢測(cè)方式，在電流路徑基礎(chǔ)上加上兩條測(cè)量電壓的線(xiàn)路，以極力消除微小電阻測(cè)量或大電流條件下測(cè)量時(shí)不可忽略的線(xiàn)纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過(guò)使連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路返回線(xiàn)的源極電壓引腳與流過(guò)大電流的電源源極引腳獨(dú)立，來(lái)消除ID對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響。

    標(biāo)簽： sic MOSFET 封裝

    上傳時(shí)間： 2021-11-07

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  • 電力電子半導(dǎo)體器件(MOSFET).

    該文檔為電力電子半導(dǎo)體器件(MOSFET).講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………

    標(biāo)簽： 電力電子 半導(dǎo)體器件 MOSFET

    上傳時(shí)間： 2021-11-11

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  • 高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

    標(biāo)簽： MOSFET 柵極 驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間： 2021-12-15

    上傳用戶(hù)：zhanglei193

  • 基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器

    基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器   分享一個(gè)基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 Demo

    標(biāo)簽： sic MOSFET LLC變換器

    上傳時(shí)間： 2021-12-21

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  • DIY 1000W純正弦波12v-220v逆變器（EGS002 16 MOSFET板）

    DIY 1000W純正弦波12v-220v逆變器（EGS002 16 MOSFET板）DIY 1000W純正弦波12v-220v逆變器（EGS002 16 MOSFET板）

    標(biāo)簽： 逆變器 MOSFET

    上傳時(shí)間： 2021-12-28

    上傳用戶(hù)：kent

  • HM8205塑料封裝MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)

    本文檔是HM8205塑料封裝MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)有需要的歡迎下載

    標(biāo)簽： hm8205 塑料封裝 MOSFET

    上傳時(shí)間： 2022-01-16

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