MOSFET驅動保護電路設計
功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用;但它承受短時過載的能力較弱,使 其應用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅動與保護電路的設計要求;計算了MOSFET 驅動器的功耗及MOSFET 驅動器與MOSFET 的匹配;設計了基于IR2130 驅動模塊的 MOSFET 驅動保護電路。該電...
功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用;但它承受短時過載的能力較弱,使 其應用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅動與保護電路的設計要求;計算了MOSFET 驅動器的功耗及MOSFET 驅動器與MOSFET 的匹配;設計了基于IR2130 驅動模塊的 MOSFET 驅動保護電路。該電...
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ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構,進一步降低了導通電阻;同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝,改善了開關特性,使開關損耗可以降低35%左右。此次,針對SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果...