功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使
其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET
驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與MOSFET 的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130 驅(qū)動(dòng)模塊的
MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無(wú)
刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
資源簡(jiǎn)介：功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使 其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與MOSFET 的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130 驅(qū)動(dòng)模塊的 MOSFET 驅(qū)...
上傳時(shí)間： 2016-01-11
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資源簡(jiǎn)介：分析了對(duì)功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測(cè)功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
上傳時(shí)間： 2014-01-25
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資源簡(jiǎn)介：功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電...
上傳時(shí)間： 2013-12-18
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資源簡(jiǎn)介：半橋逆變IGBT模塊壓電驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)_馮國(guó)雨
上傳時(shí)間： 2022-01-10
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資源簡(jiǎn)介：IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路作為變頻器主回路和控制回路之間的接口電路，具有承接前后作用.設(shè)計(jì)好驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路對(duì)于變頻器正常工作起著舉足輕重的作用，死區(qū)補(bǔ)償對(duì)改善變頻器輸出電壓波形，減小輸出電流諧波含量具有重要意義.本文在詳細(xì)分析IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性的基礎(chǔ)上...
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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資源簡(jiǎn)介：非常經(jīng)典的保護(hù)電路設(shè)計(jì)，關(guān)于IBGT MOS FET過(guò)壓過(guò)流的設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-06-25
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資源簡(jiǎn)介：圖像處理技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛，特別是工業(yè)檢測(cè)領(lǐng)域。然而，圖像處理技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)是圖像的獲取，為了更加靈活地設(shè)計(jì)各種應(yīng)用產(chǎn)品，本課題研究基于FPGA的面陣 CCD驅(qū)動(dòng)傳輸電路設(shè)計(jì)，利用該電路能夠獲取高質(zhì)量、高分辨率的圖像，為后續(xù)的圖像處理技術(shù)應(yīng)用打下基...
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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資源簡(jiǎn)介：基于輸入28.5 VDC，輸出總功率180 W的機(jī)載計(jì)算機(jī)電源的設(shè)計(jì)，為滿足“GJB181飛機(jī)供電特性”中對(duì)飛機(jī)用電設(shè)備輸入28.5 VDC時(shí)過(guò)壓浪涌80 V/50ms的要求，采用檢測(cè)輸入電壓并控制MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷的方法，通過(guò)對(duì)該電路的理論數(shù)據(jù)分析及與實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)做比較，模擬...
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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資源簡(jiǎn)介：摘要：為解決絕緣柵雙極性品體管（ICET）在實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常出現(xiàn)的過(guò)流擊穿問(wèn)題，在分析了ICET過(guò)流特性和過(guò)流檢測(cè)方法的基礎(chǔ)上，根據(jù)過(guò)流時(shí)IGBT集電極電流的大小分別設(shè)計(jì)了過(guò)載保護(hù)電路和短路保護(hù)電路。過(guò)載保護(hù)電路在檢測(cè)到過(guò)載時(shí)立即關(guān)斷ICBT.根據(jù)不同的過(guò)載...
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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資源簡(jiǎn)介：設(shè)計(jì)了一種新型的機(jī)載過(guò)壓保護(hù)電路。該電路以芯片LT4356和APL502L為主要器件，簡(jiǎn)單可靠，能夠滿足防80 V/50 ms浪涌電壓要求。介紹了該防浪涌電壓保護(hù)電路主要特點(diǎn)和參數(shù)設(shè)計(jì)，并對(duì)該電路進(jìn)行了仿真分析。相應(yīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路是一種可靠有效的機(jī)載過(guò)壓保...
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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資源簡(jiǎn)介：TDS1093保護(hù)電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-06-07
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資源簡(jiǎn)介：LED電路保護(hù)電路
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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資源簡(jiǎn)介：華為通信產(chǎn)品關(guān)于電源口、信號(hào)口和天饋口的保護(hù)電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2022-05-03
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資源簡(jiǎn)介：本文以異步電機(jī)參數(shù)離線自整定及參數(shù)在線辨識(shí)為對(duì)象，從理論分析，算法提出，仿真證明和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證四部分進(jìn)行了深入研究。 異步電機(jī)參數(shù)離線自整定及參數(shù)在線辨識(shí)技術(shù)的研究，為異步電機(jī)控制性能的不斷提高提供了保障，以使更好，更精確的控制方式能夠應(yīng)用到工...
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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資源簡(jiǎn)介：設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的權(quán)威參考手冊(cè)，系統(tǒng)概述了MOSFET的特點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)要求，應(yīng)用注意要點(diǎn)，尤其給出了經(jīng)典的系統(tǒng)電路原理圖。非常適合電機(jī)的數(shù)字化控制應(yīng)用編程參考。
上傳時(shí)間： 2014-01-08
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資源簡(jiǎn)介：IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用.IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。但是，IGBT和其它電力電子器件一樣，其...
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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資源簡(jiǎn)介：IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合器件，它具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)功率小和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)壓降小、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn).IGBT作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場(chǎng)合，已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。本文在介紹了1GBT結(jié)構(gòu)、工作特...
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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資源簡(jiǎn)介：高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用指南整篇文章開始于對(duì)MOSFET技術(shù)和開關(guān)工作的概述，隨后進(jìn)行簡(jiǎn)單的討論然后再到復(fù)雜問(wèn)題的分析。仔細(xì)描述了設(shè)計(jì)過(guò)程中關(guān)于接地和高邊柵極驅(qū)動(dòng)電路、AC耦合和變壓器隔離的解決方案。其中一個(gè)章節(jié)專門來(lái)解決同步整流器應(yīng)用中柵極驅(qū)動(dòng)...
上傳時(shí)間： 2017-06-12
上傳用戶：huaqingyuan
資源簡(jiǎn)介：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，我們?cè)O(shè)計(jì)了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)驗(yàn)證明該電路具有良好的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)能力。
上傳時(shí)間： 2017-06-12
上傳用戶：huaqingyuan
資源簡(jiǎn)介：文章中包含了MOS管開通和關(guān)斷的詳細(xì)過(guò)程，MOS管各參數(shù)之間的聯(lián)系，損耗計(jì)算及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，非常利于MOS管學(xué)習(xí)的啟蒙.
上傳時(shí)間： 2021-12-05
上傳用戶：kent
資源簡(jiǎn)介：圖靈 LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 清晰書簽版
上傳時(shí)間： 2013-06-05
上傳用戶：eeworm
資源簡(jiǎn)介：一種簡(jiǎn)單有效的限流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-06-22
上傳用戶：eeworm
資源簡(jiǎn)介：專輯類-開關(guān)電源相關(guān)專輯-119冊(cè)-749M 一種簡(jiǎn)單有效的限流保護(hù)電路的設(shè)計(jì).pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-30
上傳用戶：gmh1314
資源簡(jiǎn)介：一種基于 PWM的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-07-20
上傳用戶：alia
資源簡(jiǎn)介：開關(guān)磁阻電機(jī)是電機(jī)技術(shù)與現(xiàn)代電力電子技術(shù)、微機(jī)控制技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物，既具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單堅(jiān)固、成本低、容錯(cuò)能力強(qiáng)，耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，又在高度發(fā)展的電力電子和微機(jī)控制技術(shù)的支持下獲得了良好的可控性能，目前己經(jīng)在多個(gè)工業(yè)部門得到應(yīng)用。因此，開關(guān)磁阻電機(jī)在...
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：獨(dú)孤求源
資源簡(jiǎn)介：LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 超精典LED設(shè)計(jì)電子書
上傳時(shí)間： 2013-07-22
上傳用戶：Raymond
資源簡(jiǎn)介：提高LED顯示屏畫質(zhì)的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案 ? 利用驅(qū)動(dòng)芯片快速響應(yīng)來(lái)提升LED顯示屏畫質(zhì) 解決方案： ? 將同一個(gè)時(shí)間內(nèi)輸出電流的脈沖平均打散 ? PCB最好是4層板以上，走線部份越短越好 ? VLED與VCC分開為不同電源 ? VLED及VCC...
上傳時(shí)間： 2013-06-07
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資源簡(jiǎn)介：無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì).。。。。。。。。。。。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：ZJX5201314
資源簡(jiǎn)介：詳解MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，在網(wǎng)絡(luò)上下載的一篇介紹MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的文章，調(diào)試MOSFET驅(qū)動(dòng)時(shí)參考不錯(cuò)！
上傳時(shí)間： 2013-06-07
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資源簡(jiǎn)介：基于CPLD的光積分時(shí)間可調(diào)線陣CCD驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-08-15
上傳用戶：lalalal
