SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文
SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文...
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碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
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查看全部28個資源 ?論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的檢測性能
論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的檢測性能，繪制誤比特率～信噪比曲線。 發(fā)端初始化=============================================================== 發(fā)射天線數(shù)tx,...
SiC雙脈沖測試板資料
Cree公司生產的SiC MOSFET器件，型號C2M00802012D，在應用器件前需要進行雙脈沖實驗，實驗中用到的主電路原理圖（包括PCB文件），驅動和測試原理介紹提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交廠制作，不需修改。...
SiC MOSFET為什么會使用4引腳封裝
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果...
SiC功率半導體器件發(fā)展歷程 優(yōu)勢和發(fā)展前景講解
該文檔為SiC功率半導體器件發(fā)展歷程、優(yōu)勢和發(fā)展前景概述文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………...
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