關(guān)于Mosfet應(yīng)用時的熱設(shè)計方法。
標(biāo)簽： Mosfet 散熱 設(shè)計方法
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：shen954166632
本文是關(guān)于電路中的 BJT 與 Mosfet開關(guān)應(yīng)用的討論。 前段時間，一同學(xué)跟我說，他用單片機做了一個簡單的 LED 臺燈，用 PWM的方式控制燈的亮度，但是發(fā)現(xiàn) BJT 總是很燙。他給我的電路圖如圖一，我問他3V 時 LED 的發(fā)光電流是多大，他說大概十幾到二十 mA，我又問他電阻多大，他說 10KΩ。于是我笑笑說你把電阻小一點就好了。他回去一試，說用了個 1KΩ的電阻，就沒有任何問題了。 我很失望他沒有問我為什么要這么做，這可能是大多數(shù)電子愛好初學(xué)者存在的問題，他們的動手能力很強，但是并不注重基本的理論知識。他們大多數(shù)情況下都是“依葫蘆畫瓢”，借用現(xiàn)成的電路使用，就連參數(shù)和器件型號的選擇都疏于考慮。
標(biāo)簽： Mosfet BJT 開關(guān)應(yīng)用
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：ZJX5201314
分析了對功率Mosfet器件的設(shè)計要求；設(shè)計了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率Mosfet驅(qū)動保護電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實用性強，響應(yīng)速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅(qū)動電路中的實際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動能力及保護功能效果良好。
標(biāo)簽： Mosfet 功率 驅(qū)動保護電路 方案
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：hz07104032
開通過程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，Mosfet 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時，Mosfet 被驅(qū)動開通； -- [t0-t1]區(qū)間，Mosfet 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，在t1 時刻，到達(dá)維持電壓Vth，Mosfet 開始導(dǎo)電；
標(biāo)簽： Mosfet 功率 關(guān)斷
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：ks201314
摘要：從功率Mosfet內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率Mosfet的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進行了較深入分析。從實際應(yīng)用的角度，對功率Mosfet開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計算方法，并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進行了實驗研究，所得出的結(jié)論對于功率Mosfet的正確運用和設(shè)計合理的Mosfet驅(qū)動電路具有指導(dǎo)意義．
標(biāo)簽： Mosfet Power 實際應(yīng)用 條件下
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：wfeel
本文主要研究高頻功率Mosfet的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率Mosfet的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率Mosfet對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進行了參數(shù)計算并且選擇應(yīng)用了實用可靠的驅(qū)動電路。此外，對功率Mosfet在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： Mosfet 高頻 功率 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：lijinchuan
從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致Mosfet并聯(lián)時電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)Mosfet易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。
標(biāo)簽： Mosfet 功率 并聯(lián)
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：xiaohanhaowei
結(jié)合功率Mosfet管不同的失效形態(tài)，論述了功率Mosfet管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率Mosfet管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率Mosfet管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率Mosfet通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標(biāo)簽： Mosfet 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
功率Mosfet的驅(qū)動電路和保護技術(shù)
標(biāo)簽： Mosfet 功率 保護技術(shù) 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wutong
深入理解理解功率Mosfet的RDSON
標(biāo)簽： Mosfet RDS 功率
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：zjwangyichao
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