Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶(hù)：zhyiroy
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：小眼睛LSL
Abstract: A laser module designer can use a fixed resistor, mechanical pot, digital pot, or a digital-to-analogconverter (DAC) to control the laser driver's modulation and bias currents. The advantages of a programmablemethod (POT or DAC) are that the manufacturing process can be automated and digital control can be applied(e.g., to compensate for temperature). Using POTs can be a more simple approach than a DAC. There can be aslight cost advantage to using a POT, but this is usually not significant relative to other pieces of the design.Using a DAC can offer advantages, including improved linearity (translating to ease of software implementationand ability to hit the required accuracy), increased board density, a wider range of resolutions, a betteroptimization range, ease of use with a negative voltage laser driver, and unit-to-unit consistency
標(biāo)簽： POT DAC 應(yīng)用筆記 校準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶(hù)：ca05991270
PID控制器由比例單元(P)、積分單元(I)和微分單元(D)組成。其輸入e (t)與輸出u (t)的關(guān)系為 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中積分的上下限分別是0和t 因此它的傳遞函數(shù)為：G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s] 其中kp為比例系數(shù); TI為積分時(shí)間常數(shù); TD為微分時(shí)間常數(shù).
標(biāo)簽： 200 CPU PID 西門(mén)子
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶(hù)：jiiszha
This application note describes a Linear Technology "Half-Flash" A/D converter, the LTC1099, being connected to a 256 element line scan photodiode array. This technology adapts itself to handheld (i.e., low power) bar code readers, as well as high resolution automated machine inspection applications..
標(biāo)簽： 1099 LTC 8位 AD轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶(hù)：lchjng
電子學(xué)名詞1、 電阻率---又叫電阻系數(shù)或叫比電阻。是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)物理量，以字母ρ表示，單位為歐姆*毫米平方/米。在數(shù)值上等于用那種物質(zhì)做的長(zhǎng)1米截面積為1平方毫米的導(dǎo)線(xiàn)，在溫度20C時(shí)的電阻值，電阻率越大，導(dǎo)電性能越低。則物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時(shí)，電阻率的增加與原來(lái)的電阻電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。2、 電阻的溫度系數(shù)----表示物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時(shí)，電阻率的增加量與原來(lái)的電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。3、 電導(dǎo)----物體傳導(dǎo)電流的本領(lǐng)叫做電導(dǎo)。在直流電路里，電導(dǎo)的數(shù)值就是電阻值的倒數(shù)，以字母ɡ表示，單位為歐姆。4、 電導(dǎo)率----又叫電導(dǎo)系數(shù)，也是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)物理量。大小在數(shù)值上是電阻率的倒數(shù)，以字母γ表示，單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動(dòng)勢(shì)----電路中因其他形式的能量轉(zhuǎn)換為電能所引起的電位差，叫做電動(dòng)勢(shì)或者簡(jiǎn)稱(chēng)電勢(shì)。用字母E表示，單位為伏特。6、 自感----當(dāng)閉合回路中的電流發(fā)生變化時(shí)，則由這電流所產(chǎn)生的穿過(guò)回路本身磁通也發(fā)生變化，因此在回路中也將感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，這現(xiàn)象稱(chēng)為自感現(xiàn)象，這種感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)叫自感電動(dòng)勢(shì)。7、 互感----如果有兩只線(xiàn)圈互相靠近，則其中第一只線(xiàn)圈中電流所產(chǎn)生的磁通有一部分與第二只線(xiàn)圈相環(huán)鏈。當(dāng)?shù)谝痪€(xiàn)圈中電流發(fā)生變化時(shí)，則其與第二只線(xiàn)圈環(huán)鏈的磁通也發(fā)生變化，在第二只線(xiàn)圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。這種現(xiàn)象叫做互感現(xiàn)象。8、 電感----自感與互感的統(tǒng)稱(chēng)。9、 感抗----交流電流過(guò)具有電感的電路時(shí)，電感有阻礙交流電流過(guò)的作用，這種作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過(guò)具有電容的電路時(shí)，電容有阻礙交流電流過(guò)的作用，這種作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脈動(dòng)電流----大小隨時(shí)間變化而方向不變的電流，叫做脈動(dòng)電流。12、振幅----交變電流在一個(gè)周期內(nèi)出現(xiàn)的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時(shí)間內(nèi)流過(guò)電路的總電荷與該段時(shí)間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內(nèi)的平均值，它與振幅值的關(guān)系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個(gè)相同的電阻器件中，分別通過(guò)直流電和交流電，如果經(jīng)過(guò)同一時(shí)間，它們發(fā)出的熱量相等，那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時(shí)功率不是一個(gè)恒定值，功率在一個(gè)周期內(nèi)的平均值叫做有功功率，它是指在電路中電阻部分所消耗的功率，以字母P表示，單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內(nèi)，電壓與電流的乘積叫做視在功率，用字母Ps來(lái)表示，單位為瓦特。17、無(wú)功功率----在具有電感和電容的電路里，這些儲(chǔ)能元件在半周期的時(shí)間里把電源能量變成磁場(chǎng)（或電場(chǎng)）的能量存起來(lái)，在另半周期的時(shí)間里對(duì)已存的磁場(chǎng)（或電場(chǎng)）能量送還給電源。它們只是與電源進(jìn)行能量交換，并沒(méi)有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無(wú)功功率。用字母Q表示，單位為芝。
標(biāo)簽： 電子學(xué)
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶(hù)：zhoujunzhen
三極管代換手冊(cè)下載 前言 使用說(shuō)明 三極管對(duì)照表 A B C D E F G H K L M …… 外形與管腳排列圖
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶(hù)：zjf3110
LVDS(低壓差分信號(hào))標(biāo)準(zhǔn)ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應(yīng)用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點(diǎn)及其PCB (印制電路板)設(shè)計(jì),糾正了某些錯(cuò)誤認(rèn)識(shí)。應(yīng)用傳輸線(xiàn)理論分析了單線(xiàn)阻抗、雙線(xiàn)阻抗及LVDS差分阻抗計(jì)算方法,給出了計(jì)算單線(xiàn)阻抗和差分阻抗的公式,通過(guò)實(shí)際計(jì)算說(shuō)明了差分阻抗與單線(xiàn)阻抗的區(qū)別,并給出了PCB布線(xiàn)時(shí)的幾點(diǎn)建議。關(guān)鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計(jì)算, PCB設(shè)計(jì) LVDS (低壓差分信號(hào))是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標(biāo)準(zhǔn),其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號(hào)輸出邊緣變化很快,其信號(hào)通路表現(xiàn)為傳輸線(xiàn)特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進(jìn)行PCB (印制電路板)設(shè)計(jì)時(shí),超高速PCB設(shè)計(jì)和差分信號(hào)理論就顯得特別重要。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶(hù)：水中浮云
This document provides practical, common guidelines for incorporating PCI Express interconnect layouts onto Printed Circuit Boards (PCB) ranging from 4-layer desktop baseboard designs to 10- layer or more server baseboard designs. Guidelines and constraints in this document are intended for use on both baseboard and add-in card PCB designs. This includes interconnects between PCI Express devices located on the same baseboard (chip-to-chip routing) and interconnects between a PCI Express device located “down” on the baseboard and a device located “up” on an add-in card attached through a connector. This document is intended to cover all major components of the physical interconnect including design guidelines for the PCB traces, vias and AC coupling capacitors, as well as add-in card edge-finger and connector considerations. The intent of the guidelines and examples is to help ensure that good high-speed signal design practices are used and that the timing/jitter and loss/attenuation budgets can also be met from end-to-end across the PCI Express interconnect. However, while general physical guidelines and suggestions are given, they may not necessarily guarantee adequate performance of the interconnect for all layouts and implementations. Therefore, designers should consider modeling and simulation of the interconnect in order to ensure compliance to all applicable specifications. The document is composed of two main sections. The first section provides an overview of general topology and interconnect guidelines. The second section concentrates on physical layout constraints where bulleted items at the beginning of a topic highlight important constraints, while the narrative that follows offers additional insight.
標(biāo)簽： pci PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶(hù)：busterman
齒輪傳動(dòng)是最重要的機(jī)械傳動(dòng)之一。齒輪零件具有傳動(dòng)效率高、傳動(dòng)比穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)點(diǎn)。因而齒輪零件應(yīng)用廣泛，同時(shí)齒輪零件的結(jié)構(gòu)形式也多種多樣。根據(jù)齒廓的發(fā)生線(xiàn)不同，齒輪可以分為漸開(kāi)線(xiàn)齒輪和圓弧齒輪。根據(jù)齒輪的結(jié)構(gòu)形式的不同，齒輪又可以分為直齒輪、斜齒輪和錐齒輪等。本章將詳細(xì)介紹用Pro/E創(chuàng)建標(biāo)準(zhǔn)直齒輪、斜齒輪、圓錐齒輪、圓弧齒輪以及蝸輪蝸桿的設(shè)計(jì)過(guò)程。
上傳時(shí)間： 2014-01-25
上傳用戶(hù)：wpwpwlxwlx
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
