這款是SEMIKRON公司的三電平模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)，600V的電壓等級(jí)75A的額定電流
標(biāo)簽： IGBT 三電平 模塊 數(shù)據(jù)手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2017-08-17
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這是SEMIKRON公司的IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)，三電平，電流等級(jí)100A
標(biāo)簽： 三電平 數(shù)據(jù)手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2017-08-17
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針對(duì)常用的CT和PT互感器給出了推薦了后端運(yùn)放處理電路
上傳時(shí)間： 2017-12-01
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介紹二級(jí)過程控制系統(tǒng)系統(tǒng)在日照鋼鐵2150板帶熱連軋加熱爐應(yīng)用，淺析二級(jí)過程控制系統(tǒng)組成及其功能，系統(tǒng)基于.NET平臺(tái)開發(fā)，利用visual studio 2012開發(fā)環(huán)境，用C#設(shè)計(jì)界面和后臺(tái)控制。
標(biāo)簽： 2150 二級(jí) 跟蹤系統(tǒng) 加熱爐
上傳時(shí)間： 2018-06-05
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FD2501 是一個(gè)高電壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT。內(nèi)置欠壓保護(hù)功能，防止功率管在過的電壓下工作。
標(biāo)簽： Datasheet_V 20150818 HVIC-DS 2501 001 1.2 FD 發(fā)布
上傳時(shí)間： 2019-01-29
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該參考設(shè)計(jì)使用隔離的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器和隔離的電流/電壓傳感器實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)的隔離式三相逆變器子系統(tǒng)。所使用的UCC23513柵極驅(qū)動(dòng)器具有6引腳寬體封裝，帶有光學(xué)LED模擬輸入，因此可以用作現(xiàn)有光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的引腳到引腳替換。該設(shè)計(jì)表明，可以使用用于驅(qū)動(dòng)光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的所有現(xiàn)有配置來驅(qū)動(dòng)UCC23513輸入級(jí)。使用AMC1300B隔離放大器和直流母線電壓進(jìn)行基于同相分流電阻器的電機(jī)電流檢測(cè)，使用AMC1311隔離放大器進(jìn)行IGBT模塊溫度檢測(cè)。該設(shè)計(jì)使用C2000?LaunchPad?進(jìn)行逆變器控制。 特征 三相逆變器功率級(jí)，適用于200-480 VAC供電的驅(qū)動(dòng)器，額定輸出電流高達(dá)14 Arms 具有光電模擬輸入和6引腳寬體封裝的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可用作光電隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的引腳到引腳替換 柵極驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá)125°C的寬工作環(huán)境溫度，低參數(shù)變化，高CMTI和1500 Vdc的額定工作隔離電壓，從而提高了系統(tǒng)的魯棒性 基于增強(qiáng)的隔離式同相分流電阻器的所有三相電流檢測(cè)高達(dá)25 Apk，過流保護(hù)響應(yīng)<5μs 使用集成放大器的IGBT模塊內(nèi)部集成的NTC，增強(qiáng)型隔離式DC鏈路電壓感應(yīng)高達(dá)800 V，溫度感應(yīng)高達(dá)120°C 使用C2000 LaunchPad進(jìn)行逆變器控制
上傳時(shí)間： 2020-09-15
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本書共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽： 大功率器件
上傳時(shí)間： 2021-11-02
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本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、 結(jié)構(gòu)、 特性和可靠性技術(shù)， 器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件， 包括二極管、 晶閘管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 還包含了制造工藝、 測(cè)試技術(shù)和損壞機(jī)理分析。 就其內(nèi)容的全面性和結(jié)構(gòu)的完整性來說， 在同類專業(yè)書籍中是不多見的。本書內(nèi)容新穎， 緊跟時(shí)代發(fā)展， 除了介紹經(jīng)典的功率二極管、 晶閘管外， 還重點(diǎn)介紹了MOSFET、 IGBT 等現(xiàn)代功率器件， 頗為難得的是收入了近年來有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的最新的成果。 本書是一本精心編著， 并根據(jù)作者多年教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和工程實(shí)踐不斷補(bǔ)充更新的好書， 相信它的翻譯出版， 必將有助于我國(guó)電力電子事業(yè)的發(fā)展。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽： 功率半導(dǎo)體器件
上傳時(shí)間： 2021-11-07
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ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關(guān)特性，使開關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對(duì)SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。關(guān)于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導(dǎo)通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關(guān)損耗降低了35%，對(duì)此我們非常感興趣。此次，想請(qǐng)您以4引腳封裝為重點(diǎn)介紹一下該產(chǎn)品。首先，請(qǐng)您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCMOSFET的開關(guān)損耗。包括SiCMOSFET在內(nèi)的電源開關(guān)用MOSFET和IGBT，被作為開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關(guān)元件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個(gè)引腳之外，另外設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗；通過采用4引腳封裝，進(jìn)一步發(fā)揮出SiC本身具有的高速開關(guān)性能，并降低開關(guān)損耗。那么，我想詳細(xì)了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個(gè)要點(diǎn)。首先，什么是“驅(qū)動(dòng)器源極引腳”？驅(qū)動(dòng)器源極引腳是應(yīng)用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測(cè)量中的4個(gè)引腳或四線檢測(cè)方式，在電流路徑基礎(chǔ)上加上兩條測(cè)量電壓的線路，以極力消除微小電阻測(cè)量或大電流條件下測(cè)量時(shí)不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨(dú)立，來消除ID對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響。
上傳時(shí)間： 2021-11-07
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，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場(chǎng)合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業(yè)自動(dòng)化場(chǎng)合，功率電子器件已越來越多地使用MOSFET和IGBT，特別是IGBT獲得了更多的使用，開始全面取代可控硅來做為新型的功率控制器件
標(biāo)簽： 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2021-11-24
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