ARM定址方式 直接由暫存器取出值操作 指令中的位址為暫存器編號 例題: MOV R1,R2 R2 -> R1 SUB R0,R1,R2 R1 - R2 -> R0
上傳時間： 2016-03-26
上傳用戶：邶刖
華恒公司ARM9-EDU-R1嵌入式實驗平臺的串行口通信的源代碼?？梢宰鳛殚_發參考。
上傳時間： 2014-11-29
上傳用戶：洛木卓
Euler函數: m = p1^R1 * p2^r2 * …… * pn^rn ai >= 1 , 1 <= i <= n Euler函數： 定義：phi(m) 表示小于等于m并且與m互質的正整數的個數。 phi(m) = p1^(R1-1)*(p1-1) * p2^(r2-1)*(p2-1) * …… * pn^(rn-1)*(pn-1) = m*(1 - 1/p1)*(1 - 1/p2)*……*(1 - 1/pn) = p1^(R1-1)*p2^(r2-1)* …… * pn^(rn-1)*phi(p1*p2*……*pn) 定理：若(a , m) = 1 則有 a^phi(m) = 1 (mod m) 即a^phi(m) - 1 整出m 在實際代碼中可以用類似素數篩法求出 for (i = 1 i < MAXN i++) phi[i] = i for (i = 2 i < MAXN i++) if (phi[i] == i) { for (j = i j < MAXN j += i) { phi[j] /= i phi[j] *= i - 1 } } 容斥原理：定義phi(p) 為比p小的與p互素的數的個數 設n的素因子有p1, p2, p3, … pk 包含p1, p2…的個數為n/p1, n/p2… 包含p1*p2, p2*p3…的個數為n/(p1*p2)… phi(n) = n - sigm_[i = 1](n/pi) + sigm_[i!=j](n/(pi*pj)) - …… +- n/(p1*p2……pk) = n*(1 - 1/p1)*(1 - 1/p2)*……*(1 - 1/pk)
上傳時間： 2014-01-10
上傳用戶：wkchong
對給定的正規式R1、r2，已知它們的NFA分別為M1、M2(其狀態轉換矩陣及初態、終態信息分別保存在指定文件中)。構造一程序，由此程序構造正規式R1r2（連接運算）的NFA(將其狀態轉換矩陣及初態、終態信息保存在指定文件中)。
標簽： 正
上傳時間： 2017-01-27
上傳用戶：朗朗乾坤
40kHZ 超聲波發射電路之一，由F1~F3 三門振蕩器在F3 的輸出為40kHZ 方波，工作頻率主要由C1、R1 和RP 決定，用RP 可調電阻來調節頻率。 F3 的輸出激勵換能器T40-1
上傳時間： 2013-07-28
上傳用戶：wanghui2438
用UC3842做的開關電源的典型電路見圖1。過載和短路保護，一般是通過在開關管的源極串一個電阻（R4），把電流信號送到3842的第3腳來實現保護。當電源過載時，3842保護動作，使占空比減小，輸出電壓降低，3842的供電電壓Vaux也跟著降低，當低到3842不能工作時，整個電路關閉，然后靠R1、R2開始下一次啟動過程。這被稱為“打嗝”式（hiccup）保護。
上傳時間： 2013-04-24
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本文將接續介紹電源與功率電路基板，以及數字電路基板導線設計。寬帶與高頻電路基板導線設計a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領域時峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設計目標低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會成為高頻領域的頻率特性產生峰值的原因，嚴重時頻率甚至會因為feedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號的位相延遲，最后導致頻率特性產生波動現象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設計，如果有外部噪訊干擾之虞時，接地可設計成網格狀(mesh)。圖28 是根據圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測試結果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標簽： PCB
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：hebanlian
隨著通信信道的復雜度和可靠性不斷增加，人們對于電信系統的要求和期望也不斷提高。這些通信系統高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數據轉換器器 件，而這些器件的性能又非常依賴于系統電源軌的質量。當使用一個高噪聲電源供電時，時鐘或者轉換器 IC 無法達到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲，便會對性能產生極大的負面影響。本文將對一種基本 LDO 拓撲進行仔細研究，找出其主要噪聲源，并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。 表明電源品質的一個關鍵參數是其噪聲輸出，它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性，線性電壓穩壓器（例如：低壓降電壓穩壓器，LDO），始終比開關式穩壓器有優勢。這讓其成為噪聲敏感型應用的選擇。 基本 LDO 拓撲 一個簡單的線性電壓穩壓器包含一個基本控制環路，其負反饋與內部參考比較，以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負載電流的變化或者擾動無關。 圖 1 顯示了一個 LDO 穩壓器的基本結構圖。紅色箭頭表示負反饋信號通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 R1 和 R2 分壓，以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負輸入端的參考電壓 VREF 比較，提供柵極驅動電壓 VGATE。最后，誤差信號驅動輸出晶體管 NFET，以對 VOUT 進行調節。 圖 1 LDO 負反饋環路 簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍色箭頭表示由常見放大器差異代表的環路子集（電壓跟隨器或者功率緩沖器）。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號，其參考 VREF。在穩定狀態下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：jiwy
N79E8132移動電源方案功能介紹 本方案的特色是采用新唐生產的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機，可以在-40度到85度溫度范圍內安全工作，具備4K FLASH，4K DATAFLASH，512B RAM，高精度10位ADC，內置帶隙電壓可省去外部參考電壓，內置22.1184M、11.0592M振蕩器，并具有可分頻的時鐘供單片機核心使用，可以根據性能需要靈活選擇工作時鐘，提高工作效率，具備外部中斷、按鍵中斷，可以靈活實現單片機進入掉電模式后的喚醒功能，具備停機、掉電模式，在產品不使用的時候進入掉電模式，實現環保節能，支持ICE仿真工具，ICP、串口ISP燒寫，開發硬件成本低。軟件開發可以使用KEIL C，容易上手。 充電部分采用通用的TP4056，價格便宜，容易采購，可以通過外部元件靈活配置充電電流。 升壓部分采用日本精工的S8365，工作頻率1.2M，外置MOS，容易實現大電流，高效率，電感小型化節省成本。 技術參數 1. 輸入： USB 5V/1A ，充電電流可達500-850mA，可根據需要進行設置 2. 輸出： USB 5V/1A，效率最高可達到90％以上，可根據需要提高到2A 3. 電量指示： （可根據需要自行設定） 四燈全亮 75%-100% 三個指示燈亮 50%-75% 兩個燈亮 25%-55% 一個指示燈亮 5%-25% 無指示燈亮 5%以下 4.充電指示： 25%以下 一個指示燈閃 25%-50% 一個指示燈亮 第二個閃 50%--75% 二個指示燈亮 第三個閃 75%-99% 三個指示燈亮 第四個閃 100% 四個指示燈長亮。 5．智能保護： 低電保護：電池電壓低于3V時自動關閉升壓 放電保護：放電電流大于額定電流自動關閉升壓輸出(1A模式設置為1.5A保護) 溫度保護：檢測電池溫度，高于55度自動關閉升壓輸出（可選） 低電流關機：當外部設備的電流需求小于100mA時，關閉升壓輸出以節省電力。 6．按鍵操作： 短按按鍵，4個LED顯示剩余電量3～5秒自動關閉 按鍵長按， LED點亮，閃爍3次后開啟升壓，顯示電量，30秒內沒有連接外部設備自動關機。 開機狀態長按，點亮照明LED，再長按熄滅照明LED，照明LED點亮狀態不會進入自動關機 帶照明功能。（可選）8．原理圖 9．BOM 序號 類型 參數 位號 封裝 數量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說明
上傳時間： 2013-11-16
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當控制端電壓為0時，Q1基極電壓為（12-0.7=11.3V）,改變R1的大小便可改變基極電流，當基極電流足夠大時，三極管飽合。
上傳時間： 2013-10-23
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