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RD

1) 兼容FAT16文件系統

1) 兼容FAT16文件系統，長文件名，最大路徑長度260個字節,符合Microsoft Longfilename specification。 2) 可移植于各種平臺，只需編寫sector驅動驅動，共計兩個函數：1）read_flash_sector() 2）write_flash_sector()。 3) 文件緩沖功能：1）讀文件時，讀位置在文件緩沖區內，則可直接讀文件緩沖區，不需要讀物理磁盤；文件緩沖區大小可使用編譯宏EnableFileBuf，TotalFileBUFsQTYeachFCB，FileBUFSize來控制。 4) 可同時打開多個文件；最大打開文件數可使用編譯宏MaximumFCB設定，MaximumFCB最大值限定為254。 5) 文件保護功能：文件可同時打開多個FCB，而只有其中一個FCB可以得到文件RD/WR權限。該功能完全由文件系統代碼來完成，上層應用無需編寫額外代碼。 6) 所有編譯宏存放于文件fat_cfg.h。 (本代碼只供測試，研究，設計使用，如需用于商業應用，請與作者聯系購買許可，qq:292942278，E-MAIL：tony_yang123@sina.com.cn）

標簽： FAT 16 兼容文件系統

上傳時間： 2017-01-09

上傳用戶：tuilp1a
1)兼容FAT16文件系統

1)兼容FAT16文件系統，長文件名，最大路徑長度260個字節,符合Microsoft Longfilename specification。 2)可移植于各種平臺，只需編寫sector驅動驅動，共計兩個函數：1）read_flash_sector() 2）write_flash_sector()。 3)文件緩沖功能：1）讀文件時，讀位置在文件緩沖區內，則可直接讀文件緩沖區，不需要讀物理磁盤；文件緩沖區大小可使用編譯宏EnableFileBuf，TotalFileBUFsQTYeachFCB，FileBUFSize來控制。 4)可同時打開多個文件；最大打開文件數可使用編譯宏MaximumFCB設定，MaximumFCB最大值限定為254。 5)文件保護功能：文件可同時打開多個FCB，而只有其中一個FCB可以得到文件RD/WR權限。該功能完全由文件系統代碼來完成，上層應用無需編寫額外代碼。 6)所有編譯宏存放于文件fat_cfg.h。

標簽： FAT 16 兼容文件系統

上傳時間： 2014-01-17

上傳用戶：541657925
嵌入式FAT16文件系統源碼下載1) 兼容FAT16文件系統

嵌入式FAT16文件系統源碼下載1) 兼容FAT16文件系統，長文件名，最大路徑長度260個字節,符合Microsoft Longfilename specification。 2) 可移植于各種平臺，只需編寫sector驅動驅動，共計兩個函數：1）read_flash_sector() 2）write_flash_sector()。 3) 文件緩沖功能：1）讀文件時，讀位置在文件緩沖區內，則可直接讀文件緩沖區，不需要讀物理磁盤；文件緩沖區大小可使用編譯宏EnableFileBuf，TotalFileBUFsQTYeachFCB，FileBUFSize來控制。 4) 可同時打開多個文件；最大打開文件數可使用編譯宏MaximumFCB設定，MaximumFCB最大值限定為254。 5) 文件保護功能：文件可同時打開多個FCB，而只有其中一個FCB可以得到文件RD/WR權限。該功能完全由文件系統代碼來完成，上層應用無需編寫額外代碼。 6) 所有編譯宏存放于文件fat_cfg.h。

標簽： FAT 16 文件系統嵌入式

上傳時間： 2017-02-21

上傳用戶：515414293
/* 線路圖 89C51 T6963C -------- | 8 P1.0-1.7|=========== D0-7

/* 線路圖 89C51 T6963C -------- | 8 P1.0-1.7|=========== D0-7 | P3.0|----------- /RD P3.1|----------- /WR P3.2|----------- C/D | -- /CE | | | --- P3.3|----------- /RESET | VCC--- /HALT -------- */

標簽： T6963C 89C51 1.0 1.7

上傳時間： 2013-12-20

上傳用戶：集美慧
This is a source of 13.560MHz RFID caRD reader for TRH031M as ATMEGA8-16AU MPU. The title is 3Alogi

This is a source of 13.560MHz RFID caRD reader for TRH031M as ATMEGA8-16AU MPU. The title is 3Alogics TRH031M 13.56MHz RFID Reader V1.0. project : RFID Reader V2.0 Target : MEGA8-16AU Crystal: 16.000 Mhz Input : TRH031M RFID 13.56MHz Output : RS232C 115200,N,8,1 Compiler : ICC-AVR V6.26C // Pin configuration for ATMEGA8-16AU TQFP32 // #30 RXD <--- RXD (SP3232) // #31 TXD ---> TXD (SP3232) // #32 PD2/INT0 <--- INTR (TRH031M) // # 1 PD3/INT1 ---> RST (TRH031M) // # 2 PD4 ---> D4 (TRH031M) // # 9 PD5 ---> D5 (TRH031M) // #10 PD6 ---> D6 (TRH031M) // #11 PD7 ---> D7 (TRH031M) // #12 PB0 ---> D0 (TRH031M) // #13 PB1 ---> D1 (TRH031M) // #14 PB2 ---> D2 (TRH031M) // #15 PB3 ---> D3 (TRH031M) // #16 PB4 ---> CSB (TRH031M) // #17 PB5 ---> LED // #23 PC0 ---> A0 (TRH031M) // #24 PC1 ---> A1 (TRH031M) // #25 PC2 ---> A2 (TRH031M) // #26 PC3 ---> ALE (TRH031M) // #27 PC4 ---> /RD (TRH031M) // #28 PC5 ---> /WR (TRH031M)

標簽： 13.560 ATMEGA 3Alogi source

上傳時間： 2017-03-31

上傳用戶：s363994250
垃圾文件清理：垃圾文件清理: 垃圾文件清理 Clean Windows Programs: :RD_dir if " R:~-2,1 "=="" set R=" R:~1,-2 "

垃圾文件清理：垃圾文件清理: 垃圾文件清理 Clean Windows Programs: :RD_dir if " R:~-2,1 "=="\" set R=" R:~1,-2 " if not exist R goto :DD cd /d R for /f "delims=" a in ( dir/ad/b ) do RD /s /q " a" del /f /s /q * cdRD /s /q R :DD Clean Windows Programs: :RD_dir if " R:~-2,1 "=="\" set R=" R:~1,-2 " if not exist R goto :DD cd /d R for /f "delims=" a in ( dir/ad/b ) do RD /s /q " a" del /f /s /q * cdRD /s /q R :DD

標簽： Programs Windows RD_dir Clean

上傳時間： 2017-04-21

上傳用戶：lanhuaying
合成孔徑數據處理系統完整描述

合成孔徑數據處理系統完整描述，RD算法和CS算法

標簽： 合成孔徑數據處理

上傳時間： 2013-12-22

上傳用戶：mpquest
51單片機讀寫nor flash 讀出flash 的ID

51單片機讀寫nor flash 讀出flash 的ID ，存儲數據地址線連接方法：使用573鎖存地位地址 p2.0為高位地址，wr與RD控制讀寫

標簽： flash nor 51單片機讀寫

上傳時間： 2017-09-08

上傳用戶：zq70996813
STC89C51RC-RD _GUIDE-CHINESE

STC89C51RC中文手冊，手冊介紹比較詳細適合初學者以及開發者參考學習。

標簽： 單片機 51 手冊

上傳時間： 2016-04-13

上傳用戶：勤學善學
ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 RD，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

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