智能手機以及新一代移動通信技術(shù)的迅速崛起，使得人們的日常生活變得更加便利和豐富多彩。在此同時，旅游行業(yè)對于智能導(dǎo)游的服務(wù)也變得越來越重視，游客的需求也越來越強烈！在此背景下，對智能導(dǎo)游服務(wù)進行了深入的了解和研究，并結(jié)合先進的“云計算”技術(shù)和B/S架構(gòu)模式，提出了一套基于Android平臺的智能云導(dǎo)游系統(tǒng)，內(nèi)容新穎，實用可靠，有一定的推廣和應(yīng)用價值。
標(biāo)簽： Android 導(dǎo)游系統(tǒng)
上傳時間： 2013-10-28
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1.增加的設(shè)備支持： Atmel AT91SAM9Rxx Cirrus Logic CS7401xx-IQZ Luminary Micro LM3S576x, LM3S5752, LM3S5747, LM3S573x, LM3S5662, LM3S5652, LM3S5632, LM3S3759, LM3S3749, and LM3S3739 NXP LPC32XX and LPC2460 STMicroelectronics STR912FAZ4X, STR912FAW4X, STR911FAW4X, STR911FAM4X, STR910FAW32, and STR910FAZ32 2.修改了NXP LPC23XX/24XX的頭文件庫 3.增加了ST-LINK II的調(diào)試支持 4.增加了對Cortex-M3 內(nèi)核芯片的RTX Event Viewer 的支持 5.增加了MCBSTM32: STM32 FLASH OPTION BYTES PROGRAMMING 6.增加了ULINK2對Cortex-M3的SWV功能的調(diào)試 7.增強了使用GNU在MDK下調(diào)試M1,M3,ARM7,ARM9的調(diào)試功能（ Using μVision with CodeSourcery GNU ARM Toolchain.） 8.增加了大量經(jīng)典開發(fā)板例程 Boards目錄列表： ├─Embest 深圳市英蓓特公司開發(fā)板例程 │ ├─AT91EB40X-40008 │ ├─S3CEB2410 │ ├─ATEBSAM7S │ ├─LPC22EB06-I │ ├─LPCEB2000-A │ ├─LPCEB2000-B │ ├─LPCEB2000-S │ ├─str710 │ ├─str711 │ ├─str730 │ ├─str750 │ ├─STR912 │ ├─STM32V100 │ ├─STM32R100 │ ├─ATEB9200 ├─ADI ADI半導(dǎo)體的芯片例程 │ ├─ADuC702X │ └─ADuC712x ├─Atmel Atmel半導(dǎo)體的芯片例程 │ ├─AT91RM9200-EK │ ├─AT91SAM7A3-EK │ ├─AT91SAM7S-EK │ ├─AT91SAM7SE-EK │ ├─AT91SAM7X-EK │ ├─AT91SAM9260-EK │ ├─AT91SAM9261-EK │ ├─AT91SAM9263-EK ├─Keil Keil公司的開發(fā)板例程 │ ├─MCB2100 │ ├─MCB2103 │ ├─MCB2130 │ ├─MCB2140 │ ├─MCB2300 │ ├─MCB2400 │ ├─MCB2900 │ ├─MCBLM3S │ ├─MCBSTM32 │ ├─MCBSTR7 │ ├─MCBSTR730 │ ├─MCBSTR750 │ └─MCBSTR9 ├─Luminary Luminary半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─ek-lm3s1968 │ ├─ek-lm3s3748 │ ├─ek-lm3s3768 │ ├─dk-lm3s101 │ ├─dk-lm3s102 │ ├─dk-lm3s301 │ ├─dk-lm3s801 │ ├─dk-lm3s811 │ ├─dk-lm3s815 │ ├─dk-lm3s817 │ ├─dk-lm3s818 │ ├─dk-lm3s828 │ ├─ek-lm3s2965 │ ├─ek-lm3s6965 │ ├─ek-lm3s811 │ └─ek-lm3s8962 ├─NXP NXP半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─LH79524 │ ├─LH7A404 │ └─SJA2510 ├─OKI OKI半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─ML674000 │ ├─ML67Q4003 │ ├─ML67Q4051 │ ├─ML67Q4061 │ ├─ML67Q5003 │ └─ML69Q6203 ├─Samsung Samsung半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─S3C2440 │ ├─S3C44001 │ └─S3F4A0K ├─ST ST半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─CQ-STARM2 │ ├─EK-STM32F │ ├─STM32F10X_EVAL │ ├─STR710 │ ├─STR730 │ ├─STR750 │ ├─STR910 │ └─STR9_DONGLE ├─TI TI半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ ├─TMS470R1A256 │ └─TMS470R1B1M ├─Winbond Winbond半導(dǎo)體公司的芯片例程 │ └─W90P710 └─ ...
上傳時間： 2013-10-13
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該電路集包括了從業(yè)界享有盛名的公司搜集到的大量最新電路，體現(xiàn)了豐富的設(shè)計思想。為便于讀者理解和應(yīng)用這些電路，本書幾乎對每個電路都附有簡要說明。$ C' I" t% P5 l3 V. l0 K, B 本書可供電子技術(shù)工作者、高等院校和中等專科學(xué)校師生、電子愛好者閱讀和參考。( H& s, \, z6 ~% D: @
上傳時間： 2013-10-19
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2013-12-15
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特點： 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻等信號 熱電偶SENSOR輸入種類J/K/T/E/R/S/B可任意規(guī)劃 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 小數(shù)點可任意規(guī)劃 尺寸小，穩(wěn)定性高 CE認(rèn)證
上傳時間： 2013-10-31
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檢測系統(tǒng)的基本特性 2.1 檢測系統(tǒng)的靜態(tài)特性及指標(biāo)2.1.1檢測系統(tǒng)的靜態(tài)特性 一、靜態(tài)測量和靜態(tài)特性靜態(tài)測量：測量過程中被測量保持恒定不變（即dx/dt=0系統(tǒng)處于穩(wěn)定狀態(tài)）時的測量。靜態(tài)特性（標(biāo)度特性）：在靜態(tài)測量中，檢測系統(tǒng)的輸出－輸入特性。 例如：理想的線性檢測系統(tǒng)： 如圖2-1-1(a)所示帶有零位值的線性檢測系統(tǒng)： 如圖2-1-1(b)所示 二、靜態(tài)特性的校準(zhǔn)（標(biāo)定）條件――靜態(tài)標(biāo)準(zhǔn)條件。 2.1.2檢測系統(tǒng)的靜態(tài)性能指標(biāo)一、 測量范圍和量程1、 測量范圍：（xmin，xmax）xmin――檢測系統(tǒng)所能測量到的最小被測輸入量（下限）xmax――檢測系統(tǒng)所能測量到的最大被測輸入量（上限）。2、量程： 二、靈敏度S 串接系統(tǒng)的總靈敏度為各組成環(huán)節(jié)靈敏度的連乘積 三、 分辨力與分辨率1、分辨力：能引起輸出量發(fā)生變化時輸入量的最小變化量 。2、分辨率：全量程中最大的 即 與滿量程L之比的百分?jǐn)?shù)。四、精度（見第三章）
標(biāo)簽： 檢測系統(tǒng) 基本特性
上傳時間： 2013-11-15
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JAVA課程設(shè)計實例。多個大型系統(tǒng)源代碼，如考試系統(tǒng)單機版、C\S版、B\S版。
上傳時間： 2014-01-20
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本文以制作一個《論壇》為例，簡單地介紹了delphi 2005 的B/S程序設(shè)計方法。數(shù)據(jù)庫：SQL 2000，編程：delphi 2005 ARCHITECT
標(biāo)簽： 論壇
上傳時間： 2013-12-10
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本程序是一個用匯編編的精致的圖形時鐘，運行時雙擊clock圖標(biāo)即可，鐘表顯示的時間為本機系統(tǒng)的時間?！ “碽鍵可擴大畫面 ；按s鍵可縮小畫面；按c鍵可改變顏色；按e鍵可聽音樂；按q鍵退出本程序.
上傳時間： 2014-01-16
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java+jsp+mysql，B/S結(jié)構(gòu)，內(nèi)置日志記錄系統(tǒng)，使用事務(wù)保證數(shù)據(jù)完整性，組件化開發(fā)
上傳時間： 2014-01-19
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