Abstract: Alexander Graham Bell patented twisted pair wires in 1881. We still use them today because they work so well. In addition we have the advantage ofincredible computer power within our world. Circuit simulators and filter design programs are available for little or no cost. We combine the twisted pair and lowpassfilters to produce spectacular rejection of radio frequency interference (RFI) and electromagnetic interference (EMI). We also illustrate use of a precision resistorarray to produce a customizable differential amplifier. The precision resistors set the gain and common mode rejection ratios, while we choose the frequencyresponse.
上傳時間： 2014-11-26
上傳用戶：Vici
本應用筆記介紹如何運用本文所述電路來避免添加額外的求和放大器，以及IOUT架構如何支持交流和直流兩種輸入，從而使該電路非常適合數據采集和儀器儀表應用。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：czl10052678
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：zhyiroy
A MEMS microphone IC is unique among Analog Devices, Inc., products in that its input is an acoustic pressure wave. For this reason, some specifications included in the data sheets for these parts may not be familiar, or familiar specifications may be applied in unfamiliar ways. This application note explains the specifica-tions and terms found in MEMS microphone data sheets so that the microphone can be appropriately designed into a system.
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：masochism
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
本書內容包括三大部分：第1 部分從運算放大器的基本概念和理論出發，重點介紹了運算放大器的原理與設計，以及在各種電子系統中的應用，包括視頻應用、RF/IF 子系統(乘法器、調制器和混頻器)等;第2 部分主要介紹了高速采樣和高速ADC 及其應用、高速DAC 及其應用、以及DDS 系統與接收機子系統等;第3 部分介紹了有關高速硬件設計技術，如仿真、建模、原型、布局、去藕與接地，以及EMI 與RFI設計考慮等。 書中內容既有完整的理論分析，又有具體的實際應用電路，還包括許多應用技巧。特別適合電子電路與系統設計工程師、高等院校相關專業師生閱讀。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：qitiand
鎖相環是一種反饋系統，其中電壓控制振蕩器(VCO)和相位比較器相互連接，使得振蕩器可以相對于參考信號維持恒定的相位角度。鎖相環可用來從固定的低頻信號生成穩定的輸出高頻信號等。
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：waixingren
數字電位計是機械電位計的最佳替代產品，因其具有小尺寸封裝、更高可靠性、高精度和更小電壓毛刺等優勢。數字電位計可采用各種數字和手動接口。手動或按鈕接口直接通過兩個按鈕開關進行控制， 例如AD5116或AD5228。按向上按鈕可提高電阻，按向下按鈕可降低電阻，如圖1所示。
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：wyiman
工業電機驅動中使用的電子控制必須能在惡劣的電氣環境中提供較高的系統性能。電源電路會在電機繞組上導致電壓沿激增現象，而這些電壓沿則可以電容耦合進低電壓電路之中。電源電路中，電源開關和寄生元件的非理想行為也會產生感性耦合噪聲。控制電路與電機和傳感器之間的長電纜形成多種路徑，可將噪聲耦合到控制反饋信號中。高性能驅動器需要必須與高噪聲電源電路隔離開的高保真反饋控制和信號。在典型的驅動系統中，包括隔離柵極驅動信號，以便將逆變器、電流和位置反饋信號驅動到電機控制器，以及隔離各子系統之間的通信信號。實現信號隔離時，不得犧牲信號路徑的帶寬，也不得顯著增加系統成本。光耦合器是跨越隔離柵實現安全隔離的傳統方法。盡管光耦合器已使用數十年，其不足也會影響系統級性能。
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：jhs541019
本應用筆記描述如何利用AD7142和電容傳感器環，實現類似于傳統35 mm單反(SLR)相機的單一位置數碼相機快門按鈕。除了更容易控制快門按鈕的啟動之外，其它優勢包括：預對焦速度更快、快門按鈕更便宜。
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：13925096126
