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TCAD

  • Simulating Nuclear Events in a TCAD Model of a High-Density SEU Hardened SRAM Technology.pdf

    Simulating Nuclear Events in a TCAD Model of a High-Density SEU Hardened SRAM Technology.pdf

    標(biāo)簽: High-Density Simulating Technology Hardened

    上傳時間: 2016-12-13

    上傳用戶:lili123

  • 半導(dǎo)體仿真工具Silvaco TCAD學(xué)習(xí)資料

    半導(dǎo)體仿真工具Silvaco TCAD學(xué)習(xí)資料,中文,第1章 仿真準(zhǔn)備,第2章 二維工藝仿真,第3章 二維器件仿真,第4章 高級的特性,附錄A 材料系統(tǒng),附錄B 物理

    標(biāo)簽: 器件仿真

    上傳時間: 2016-03-24

    上傳用戶:蟲蟲網(wǎng)....

  • 半導(dǎo)體仿真工具 silvaco TCAD 學(xué)習(xí)資料

    接觸Silvaco TCAD仿真軟件已經(jīng)有很長時間了,這期間還熟悉了一下ISE TCAD。學(xué)習(xí)的過程中,老師、師兄姐和同學(xué)給了我極大的幫助。這本書的主旨就是希望提供一些對于Silvaco仿真的可資借鑒的經(jīng)驗。學(xué)習(xí)和使用Silvaco的時候各人的視角會不一樣,雖然這本書只是介紹一些常用的仿真,例句也有限,但因為流程控制和語法都有相通的地方,完全可以參照本書和手冊的說明靈活地建立仿真以及仿真一些本書未提及的特性。寫本書的另一個動力是想體驗一下IAT在排版書籍上和word的不同。經(jīng)過這次編排覺得各有優(yōu)缺點。IZTX對排圖片和表格這些浮動元素很費力。我在排此書的時候經(jīng)常遇到圖片和表格按照自動方式排的位置很差,和文字內(nèi)容脫節(jié)很遠(yuǎn),為此不得不處理圖片,有時還將表格拆開等。如果各位遇到很脫節(jié)的地方還請見諒。LTX的使用需要有很強(qiáng)的耐心和探索精神,也可以說是犧牲精神。不管是MS Office還是ITEX,總的目的是想內(nèi)容通順,閱讀起來舒服,用什么工具就是“八仙過海,各顯神通”了。

    標(biāo)簽: 半導(dǎo)體仿真 silvaco TCAD

    上傳時間: 2021-11-27

    上傳用戶:qingfengchizhu

  • 半導(dǎo)體器件 sentaurus TCAD設(shè)計與應(yīng)用[韓雁,丁扣寶][電子教案(PPT版本)]

    Sentaurus TCAD全面繼承了Tsuprem4,Medici和ISE-TCAD的特點和優(yōu)勢,它可以用來模擬集成器件的工藝制程,器件物理特性和互連線特性等。Sentaurus TCAD提供全面的產(chǎn)品套件,其中包括Sentaurus Workbench, Ligament, Sentaurus Process, Sentaurus Structure Editor, Mesh Noffset3D, Sentaurus Device, Tecplot SV Inspect, Advanced Calibration等等。Sentaurus Process和Sentaurus Device可以支持的仿真器件類型非常廣泛,包括CMOS,功率器件,存儲器,圖像傳感器,太陽能電池,和模擬/射頻器件。sentaurus TCAD還提供互連建模和參數(shù)提取工具,為優(yōu)化芯片性能提供關(guān)鍵的寄生參數(shù)信息。

    標(biāo)簽: 半導(dǎo)體器件 TCAD

    上傳時間: 2022-06-30

    上傳用戶:shjgzh

  • SiCOI MESFET的特性分析

    使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。

    標(biāo)簽: MESFET SiCOI 特性分析

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:PresidentHuang

  • 現(xiàn)代快恢復(fù)二極管設(shè)計方法的研究

    基于改善快恢復(fù)二極管的的動態(tài)特性,通過對二極管的橫、縱向參數(shù)來進(jìn)行分析,理論上提出了快恢復(fù)二極管的設(shè)計方法,并且結(jié)合SILVACO-TCAD仿真軟件進(jìn)行驗證;得出了現(xiàn)代快恢復(fù)二極管應(yīng)降低陽極濃度、減小基區(qū)少子壽命,采用加緩沖層的結(jié)論;這種結(jié)構(gòu)極大的改善了快恢復(fù)二極管的正向?qū)ㄌ匦裕_(dá)到了優(yōu)化動態(tài)特性的目的。

    標(biāo)簽: 恢復(fù)二極管 設(shè)計方法

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:xc216

  • Sentaurus TCAD器件工藝模擬教程

    Sentaurus是Synopsys公司的專門用于半導(dǎo)體器件制造工藝和電學(xué)特性仿真的EDA軟件,可以給出摻雜、電勢分布等物理特性。

    標(biāo)簽: sentaurus TCAD器件工藝 EDA

    上傳時間: 2022-06-27

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  • 集成電路設(shè)計制造中EDA工具實用教程

    《集成電路設(shè)計制造中EDA工具實用教程》共17章,分為三個部分。第一部分介紹半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體器件仿真工具,分別介紹了Synopsys公司的TSUPREM4/MEDICI,ISE TCAD和Silvaco公司的Athena/Atlas等TCAD工具及其使用,并以ESD靜電放電防護(hù)器件的設(shè)計及驗證為實例介紹這些軟件工具的應(yīng)用。第二部分介紹了模擬集成電路設(shè)計工具的應(yīng)用,輔以典型模擬IC電路的設(shè)計實例,以Cadence設(shè)計流程中的工具為主,同時也介紹了業(yè)界常用的Synopsys的Hspice電路仿真工具和Mentor Graphics的Calibre版圖驗證工具。第三部分為數(shù)字集成電路的設(shè)計工具使用教程,分別介紹了用Matlab進(jìn)行系統(tǒng)級驗證、用ModelSim和NC-Verilog進(jìn)行HDL描述和仿真、用Xilinx ISE進(jìn)行EPGA驗證設(shè)計、用Synopsys的Design Compiler工具進(jìn)行邏輯綜合以及使用Cadence的SE和SOC Encounter進(jìn)行IC后端設(shè)計等。最后介紹了可測性設(shè)計的基本概念和流程。

    標(biāo)簽: 集成電路 eda

    上傳時間: 2022-07-16

    上傳用戶:zhaiyawei

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