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TDS水質(zhì)測(cè)試筆

透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶(hù)：swing
了解軟體設(shè)計(jì)RF儀器的優(yōu)點(diǎn)

本技術(shù)文章將介紹如何運(yùn)用 NI LabVIEW FPGA 來(lái)設(shè)計(jì)並客製化個(gè)人的 RF 儀器，同時(shí)探索軟體設(shè)計(jì)儀器可為測(cè)試系統(tǒng)所提供的優(yōu)勢(shì)。

標(biāo)簽： 軟體 RF儀器

上傳時(shí)間： 2013-11-24

上傳用戶(hù)：toyoad
ICT知識(shí)簡(jiǎn)介

全面介紹ICT測(cè)試技術(shù)

標(biāo)簽： ICT

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶(hù)：lchjng
ICT知識(shí)簡(jiǎn)介

全面介紹ICT測(cè)試技術(shù)

標(biāo)簽： ICT

上傳時(shí)間： 2013-11-07

上傳用戶(hù)：xfbs821
pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線(xiàn)路；多層板之上、下兩層線(xiàn)路及內(nèi)層走線(xiàn)皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱(chēng)為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線(xiàn)13. Grid : 佈線(xiàn)時(shí)的走線(xiàn)格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠(chǎng)ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠(chǎng)商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶(hù)：cjf0304
pcb layout規(guī)則

LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠(chǎng)ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線(xiàn) )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線(xiàn)....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU

標(biāo)簽： layout pcb

上傳時(shí)間： 2013-10-29

上傳用戶(hù)：1234xhb
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線(xiàn)系統(tǒng)）

微電腦型單相交流集合式電表（單相二線(xiàn)系統(tǒng)）特點(diǎn)：精確度0.25%滿(mǎn)刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格：精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過(guò)載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過(guò)載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標(biāo)簽： 微電腦單相交流單相電表

上傳時(shí)間： 2015-01-03

上傳用戶(hù)：幾何公差
這是當(dāng)初在學(xué)網(wǎng)路程式時(shí)所寫(xiě)的

這是當(dāng)初在學(xué)網(wǎng)路程式時(shí)所寫(xiě)的，所以有很多很多地方可以改進(jìn)，有心人士就拿去亂改吧！先執(zhí)行(server) Server 然後再開(kāi)兩個(gè) (Client) LoginFrame 就能連了。那個(gè)密碼部份是假的，沒(méi)有啥用處，可以把它改成輸入ip ，當(dāng)初是直接設(shè) 127.0.0.1，以方便測(cè)試。

標(biāo)簽： 程式

上傳時(shí)間： 2014-12-03

上傳用戶(hù)：jackgao
這程式是用J2ME撰寫(xiě)而成

這程式是用J2ME撰寫(xiě)而成，裡面所放置的jar檔經(jīng)過(guò)手機(jī)測(cè)試，可以利用手機(jī)的藍(lán)芽功能搜尋連接到有支援藍(lán)芽的電腦，由手機(jī)取得電腦的資料。

標(biāo)簽： J2ME 程式

上傳時(shí)間： 2014-12-03

上傳用戶(hù)：guanliya
verilog實(shí)現(xiàn)shiftreg

verilog實(shí)現(xiàn)shiftreg，帶測(cè)試文件。文件相當(dāng)完整，可以下載去測(cè)試

標(biāo)簽： shiftreg verilog

上傳時(shí)間： 2016-02-06

上傳用戶(hù)：zxc23456789

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