常用三星單片機(jī)燒寫電壓設(shè)置參考表 燒寫電壓說明:Vdd 電壓指燒寫時(shí)加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫時(shí)加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認(rèn)燒寫電壓,無須特別設(shè)置. 由于編程器的默認(rèn)輸出Vpp 電壓均為12V,因此在燒寫Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時(shí),需要對(duì)燒寫轉(zhuǎn)換適配器作以下改動(dòng):將燒寫器燒寫座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd端子直接連接Vpp 端即可.當(dāng)用戶采用在PCB板上燒寫方式時(shí),建議最好能在PCB芯片端的Vpp腳并接一個(gè)104 的電容入地,可有效保護(hù)在燒寫電壓加載時(shí)板子電路共同作用產(chǎn)生的瞬間過壓脈沖不會(huì)輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.S3F84K4 燒寫特別說明,由于三星半導(dǎo)體DATA SHEET 要求在對(duì)該芯片進(jìn)行燒寫時(shí),須在Vpp 腳加接一個(gè)101 的電容到地,因此在使用我站各款燒寫器燒寫84K4 時(shí),須將燒寫器主板上的Vpp 端原來并接的10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個(gè)101 電容入地即可.不過,據(jù)本人特別測(cè)試結(jié)果,其實(shí)不做以上處理對(duì)燒寫過程沒有任何影響, 估計(jì)可能是三星半導(dǎo)體對(duì)芯片有做過改版,老版本的84K4 才會(huì)有以上特別要求,新版本是沒有這個(gè)要求的.
標(biāo)簽： 三星 單片機(jī) 燒寫 電壓設(shè)置
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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安規(guī)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)1. 件選用(1) 在件選用方面,要求掌握:a .安規(guī)件有哪些?(見三.安規(guī)件介紹)b.安規(guī)件要求安規(guī)件的要求就是要取得安規(guī)機(jī)構(gòu)的認(rèn)證或是符合相關(guān)安規(guī)標(biāo)準(zhǔn);c.安規(guī)件額定值任何件均必須依 MANUFACTURE 規(guī)定的額定值使用;I 額定電壓;II 額定電;III 溫額定值;(2). 件的溫升限制a. 一般電子件: 依件規(guī)格之額定溫值,決定其溫上限b. 線圈類: 依其絕緣系統(tǒng)耐溫決定Class A ΔT≦75℃Class E ΔT≦90℃Class B ΔT≦95℃Class F ΔT≦115℃Class H ΔT≦140℃c. 人造橡膠或PVC 被覆之線材及電源線類:有標(biāo)示耐溫值 T 者ΔT≦(T-25)℃無標(biāo)示耐溫值 T 者ΔT≦50℃d. Bobbin 類: 無一定值,但須做125℃球壓測(cè)試;e. 端子類: ΔT≦60℃f. 溫升限值I. 如果有規(guī)定待測(cè)物的耐溫值(Tmax),則:ΔT≦Tmax-TmraII. 如果有規(guī)定待測(cè)物的溫升限值(ΔTmax),則:ΔT≦ΔTmax+25-Tmra其中 Tmra=制造商所規(guī)定的設(shè)備允許操作室溫或是25℃
標(biāo)簽： 安規(guī)設(shè)計(jì) 注意事項(xiàng)
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 可直接量測(cè)直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性高 分離式端子,配線容易 CE 認(rèn)證 主要規(guī)格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時(shí)間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數(shù) : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 可直接量測(cè)直流電流/直流電壓,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性高 分離式端子,配線容易 CE 認(rèn)證 2.主要規(guī)格 輔助電源: None 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit(1-100%F.S.) 輸入抗阻 : >100Mohm(<2V range) >2Mohm(<2Vrange) < 0.25VA(current ranges) < 1000Vrms(>54V ranges) 最大過載能力: < 150Vrms(<54V ranges)
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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用二端口S-參數(shù)來表征差分電路的特性■ Sam Belkin差分電路結(jié)構(gòu)因其更好的增益，二階線性度，突出的抗雜散響應(yīng)以及抗躁聲性能而越來越多地被人們采用。這種電路結(jié)構(gòu)通常需要一個(gè)與單端電路相連接的界面，而這個(gè)界面常常是采用“巴倫”器件（Balun），這種巴倫器件提供了平衡結(jié)構(gòu)-到-不平衡結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換功能。要通過直接測(cè)量的方式來表征平衡電路特性的話，通常需要使用昂貴的四端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。射頻應(yīng)用工程師還需要確定幅值和相位的不平衡是如何影響差分電路性能的。遺憾的是，在射頻技術(shù)文獻(xiàn)中，很難找到一種能表征電路特性以及衡量不平衡結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生影響的好的評(píng)估方法。這篇文章的目的就是要幫助射頻應(yīng)用工程師們通過使用常規(guī)的單端二端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀來準(zhǔn)確可靠地解決作為他們?nèi)粘９ぷ鞯牟罘蛛娐诽匦缘臏y(cè)量問題。本文介紹了一些用來表征差分電路特性的實(shí)用和有效的方法， 特別是差分電壓，共模抑制（CMRR），插入損耗以及基于二端口S-參數(shù)的差分阻抗。差分和共模信號(hào)在差分電路中有兩種主要的信號(hào)類型：差分模式或差分電壓Vdiff 和共模電壓Vcm（見圖2）。它們各自的定義如下[1]：• 差分信號(hào)是施加在平衡的3 端子系統(tǒng)中未接地的兩個(gè)端子之上的• 共模信號(hào)是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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Arduino 是一塊基于開放原始代碼的Simple i/o 平臺(tái)，并且具有使用類似java,C 語言的開發(fā)環(huán)境。讓您可以快速 使用Arduino 語言與Flash 或Processing…等軟件，作出互動(dòng)作品。Arduino 可以使用開發(fā)完成的電子元件例如Switch 或Sensors 或其他控制器、ＬＥＤ、步進(jìn)電機(jī)或其他輸出裝置。Arduino 也可以獨(dú)立運(yùn)作成為一個(gè)可以跟軟件溝通的平臺(tái)，例如說：flash processing Max/MSP VVVV 或其他互動(dòng)軟件… Arduino 開發(fā)ＩＤＥ界面基于開放原始碼原則，可以讓您免費(fèi)下載使用開發(fā)出更多令人驚奇的互動(dòng)作品。 什么是Roboduino? DFRduino 與Arduino 完全兼容，只是在原來的基礎(chǔ)上作了些改進(jìn)。Arduino 的IO 使用的孔座，做互動(dòng)作品需要面包板和針線搭配才能進(jìn)行，而DFRduino 的IO 使用針座，使用我們的杜邦線就可以直接把各種傳感器連接到DFRduino 上。 特色描述 1． 開放原始碼的電路圖設(shè)計(jì)，程式開發(fā)界面免費(fèi)下載，也可依需求自己修改!! 2． DFRduino 可使用ISP 下載線，自我將新的IC 程序燒入「bootloader」； 3． 可依據(jù)官方電路圖，簡化DFRduino 模組，完成獨(dú)立云作的微處理控制器； 4． 可簡單地與傳感器、各式各樣的電子元件連接(如：紅外線,超聲波,熱敏電阻,光敏電阻,伺服電機(jī)等)； 5． 支援多樣的互動(dòng)程式 如: Flash,Max/Msp,VVVV,PD,C,Processing 等； 6． 使用低價(jià)格的微處理控制器(ATMEGA168V-10PI)； 7． USB 接口，不需外接電源，另外有提供9VDC 輸入接口； 8． 應(yīng)用方面，利用DFRduino，突破以往只能使用滑鼠，鍵盤，CCD 等輸入的裝置的互動(dòng)內(nèi)容，可以更簡單地達(dá)成單人或多人游戲互動(dòng)。 性能描述 1． Digital I/O 數(shù)字輸入/輸出端共 0~13。 2． Analog I/O 模擬輸入/輸出端共 0~5。 3． 支持USB 接口協(xié)議及供電(不需外接電源)。 4． 支持ISP 下載功能。 5． 支持單片機(jī)TX/RX 端子。 6． 支持USB TX/RX 端子。 7． 支持AREF 端子。 8． 支持六組PWM 端子(Pin11,Pin10,Pin9，Pin6,Pin5,Pin3)。 9． 輸入電壓：接上USB 時(shí)無須外部供電或外部5V~9V DC 輸入。 10．輸出電壓：5V DC 輸出和3.3V DC 輸出 和外部電源輸入。 11．采用Atmel Atmega168V-10PI 單片機(jī)。 12．DFRduino 大小尺寸：寬70mm X 高54mm。 Arduino開發(fā)板圖片
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板，以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時(shí)峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設(shè)計(jì)目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會(huì)成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因，嚴(yán)重時(shí)頻率甚至?xí)驗(yàn)閒eedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號(hào)的位相延遲，最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動(dòng)現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設(shè)計(jì)，如果有外部噪訊干擾之虞時(shí)，接地可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測(cè)試結(jié)果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標(biāo)簽： PCB
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2013-12-15
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特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度±1位數(shù) 可直接量測(cè)交直流電壓(AC/DC 20~265V)無需另接電源 精密濾波整流,均方根值校正 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性 分離式端子,配線容易 CE認(rèn)證
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：gaome
無論是高壓系統(tǒng)還是低壓系統(tǒng)，電力系統(tǒng)中性點(diǎn)采用電阻接地的方式越來越普遍。奧蘭電氣中性點(diǎn)電阻可以限制接地過電壓和過電流限制在安全范圍內(nèi)、提高繼電保護(hù)靈敏度，同時(shí)自身造價(jià)相對(duì)較低，運(yùn)行持久安全，安裝靈活方便。中性點(diǎn)接地電阻柜可將零散的單相變壓器、電阻器、隔離開關(guān)、電流互感器、溫控器、計(jì)數(shù)器、接地監(jiān)控（記錄）裝置、接地故障查找裝置.接地保護(hù)輸出端子等電器設(shè)備整體組合在一個(gè)封閉金屬柜內(nèi)成套供貨；配備電流互感器和動(dòng)作記錄儀，正常時(shí)可監(jiān)視中性點(diǎn)不平衡電流，出現(xiàn)單相接地故障時(shí)，可記錄動(dòng)作次數(shù)，且可為保護(hù)和監(jiān)控系統(tǒng)提供模擬量輸出；裝設(shè)單相隔離開關(guān)，以便在進(jìn)行檢修或?qū)嶒?yàn)時(shí)隔離電源。接地故障查找裝置可以迅速查找到接地故障點(diǎn)以便人工排除接地故障。如果系統(tǒng)變壓器采用三角形接線，本產(chǎn)品則加三相接地變壓器與之配合使用，對(duì)抑制系統(tǒng)過電壓、防止各種沖擊有很好的作用
標(biāo)簽： 大功率 不銹鋼 中性點(diǎn)接地 電阻器
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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