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TM1616替代型號(hào)(hào)有哪些？

CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

標(biāo)簽： CoolMos 制造

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶(hù)：小眼睛LSL
降壓-升壓型控制器簡(jiǎn)化手持式產(chǎn)品的DCDC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

對(duì)於輸出電壓處?kù)遁斎腚妷汗?fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見(jiàn)的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿(mǎn)意

標(biāo)簽： DCDC 降壓升壓型控制器

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶(hù)：urgdil
電流型二線(xiàn)制光照強(qiáng)度變送器的設(shè)計(jì)

現(xiàn)階段對(duì)電流型二線(xiàn)制光照強(qiáng)度變送器的研究還相對(duì)較少，設(shè)計(jì)的光照強(qiáng)度變送器普遍存在精度不高，線(xiàn)性度不好，性能不夠穩(wěn)定，不能輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流信號(hào)的問(wèn)題。介紹了一種電流型二線(xiàn)制光照強(qiáng)度變送器的設(shè)計(jì)，其結(jié)構(gòu)由光照強(qiáng)度轉(zhuǎn)電壓電路、電壓范圍轉(zhuǎn)換電路、電壓轉(zhuǎn)電流電路以及穩(wěn)壓電源產(chǎn)生電路組成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該變送器具有精度高、線(xiàn)性度好、功耗低，能夠穩(wěn)定可靠地輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流的特點(diǎn)。

標(biāo)簽： 電流型二線(xiàn)制光照變送器

上傳時(shí)間： 2013-11-08

上傳用戶(hù)：star_in_rain
并網(wǎng)逆變器的控制

隨著傳統(tǒng)能源成本不斷增長(zhǎng)，可替代能源持續(xù)受到青睞，如今它已不僅僅是減少環(huán)境污染的一種手段。可再生能源系統(tǒng)的新研發(fā)成果使之成為商業(yè)上可行的替代技術(shù)。當(dāng)前最常用的可替代能源包括小型水輪機(jī)、風(fēng)力發(fā)電機(jī)組和太陽(yáng)能光伏發(fā)電。20年來(lái)，太陽(yáng)能電能的使用量以每年20-25%的增幅穩(wěn)定增長(zhǎng)；近五年來(lái)，每年的增長(zhǎng)速度將近50％。2001年，太陽(yáng)能系統(tǒng)的裝機(jī)容量還不到350 MW。而到2005年，太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)電量已達(dá)到1.460 GW。這一數(shù)字在2006年已增加到1.744 GW。并網(wǎng)系統(tǒng)的安裝量已近兩倍于離網(wǎng)型系統(tǒng)，導(dǎo)致這種現(xiàn)象的原因有兩個(gè)：第一，大多數(shù)家庭和商業(yè)機(jī)構(gòu)都使用公用電網(wǎng)。第二，大多數(shù)政府激勵(lì)計(jì)劃只面向并網(wǎng)系統(tǒng)。大部分并網(wǎng)應(yīng)用都是“分布式”的，即系統(tǒng)安裝在使用端。

標(biāo)簽： 并網(wǎng)逆變器控制

上傳時(shí)間： 2013-10-29

上傳用戶(hù)：hanhanhan
降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源控制器

概述: MXT2576是降壓型開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器，有很好的電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，能夠提供5V的輸出電壓和3A的驅(qū)動(dòng)電流。 MXT2576應(yīng)用簡(jiǎn)單，需要的外圍器件少，內(nèi)置頻率補(bǔ)償電路和固定頻率振蕩器。外圍器件可以采用不同廠(chǎng)家生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)系列的電感，從而簡(jiǎn)化了開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)。在規(guī)定的輸入電壓和輸出負(fù)載的條件下，MXT2576輸出電壓的容差為±4%，振蕩器振蕩頻率的容差為±10%。提供外部關(guān)斷信號(hào)，待機(jī)電流小于200uA（典型值50uA）。內(nèi)置電流保護(hù)電路和溫度保護(hù)電路對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)。 MXT2576能夠很好的代替通常的三端線(xiàn)形穩(wěn)壓器，有效地減小散熱片的面積，在一些情況下即使不需要散熱片芯片仍可以正常工作。

標(biāo)簽： 降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源控制器

上傳時(shí)間： 2013-12-18

上傳用戶(hù)：xiehao13
同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹

同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹大家都知道，對(duì)于開(kāi)關(guān)電源，在次級(jí)必然要有一個(gè)整流輸出的過(guò)程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動(dòng)式器件：只要有足夠的正向電壓它就開(kāi)通，而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個(gè)壓降完全是做的無(wú)用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個(gè)例子：如有一個(gè)管子壓降為0.7V，其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時(shí)，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見(jiàn)此類(lèi)器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低，損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開(kāi)關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A）的電源轉(zhuǎn)換器。而當(dāng)前世界的能源緊張問(wèn)題的凸現(xiàn)，為廣大用戶(hù)提供更高轉(zhuǎn)換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn)）的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個(gè)開(kāi)關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會(huì)責(zé)任了。如何解決這些問(wèn)題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專(zhuān)用功率MOSFET就是在這個(gè)時(shí)刻走上開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺(tái)了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線(xiàn)性關(guān)系。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí)，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱(chēng)之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過(guò)，這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。在實(shí)際應(yīng)用中，一般在通過(guò)20-30A電流時(shí)才有0.2-0.3V的壓降損耗。因?yàn)槠鋲航档扔陔娏髋c通態(tài)電阻的乘積，故小電流時(shí)，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個(gè)特性對(duì)于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。對(duì)于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過(guò)灌溉農(nóng)田來(lái)理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒(méi)有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來(lái)的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點(diǎn)點(diǎn)被太陽(yáng)曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召?lài)以生存的糧食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過(guò)24A峰值電流時(shí)壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時(shí)的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗，其技術(shù)的進(jìn)步已不僅僅是一個(gè)量的變化，而可以說(shuō)是有了一個(gè)質(zhì)的飛躍了。也可以說(shuō)，我們?yōu)橛脩?hù)修建了一條嚴(yán)絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。

標(biāo)簽： 同步整流

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶(hù)：杏簾在望
開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源原理及其簡(jiǎn)介

開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源中的調(diào)整管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，因而功耗小，電路效率高，體積小，重量輕。適用于大功率且負(fù)載固定、輸出電壓調(diào)節(jié)范圍不大、負(fù)載對(duì)輸出紋波要求不高的場(chǎng)合。現(xiàn)在開(kāi)關(guān)型電源應(yīng)用很廣泛，有許多不同種類(lèi)的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源。按調(diào)整管與負(fù)載連接方式可分為串聯(lián)型和并聯(lián)型。按穩(wěn)壓控制方式可分為脈沖寬度調(diào)制型(PWM)、脈沖頻率調(diào)制型(PFM)和混合型。以下是簡(jiǎn)單實(shí)用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源。

標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān) 穩(wěn)壓電源原理

上傳時(shí)間： 2013-10-25

上傳用戶(hù)：lanjisu111
初學(xué)單片機(jī)應(yīng)知

當(dāng)你有了學(xué)習(xí)單片機(jī)的愿望，接下來(lái)的問(wèn)題就是從何學(xué)起，如何學(xué)。對(duì)于在校學(xué)生有老師指導(dǎo)，開(kāi)始時(shí)的迷茫會(huì)少的多，而靠自學(xué)的朋友麻煩就多一些。例如從哪種單片機(jī)學(xué)起？需要哪些器材？買(mǎi)什么書(shū)籍有用？做些什么實(shí)驗(yàn)？......等等。這里就自學(xué)單片機(jī)過(guò)程中的方法和問(wèn)題向初學(xué)者做一些引導(dǎo)和提示。學(xué)單片機(jī)之初，你必須懂一些數(shù)字電路，若對(duì)數(shù)字電路中的一般概念都很模糊，最好還是再補(bǔ)習(xí)一下再來(lái)學(xué)單片機(jī)。接下來(lái)你最好先選一種單片機(jī)機(jī)種進(jìn)行學(xué)習(xí)，因?yàn)槟壳皢纹瑱C(jī)機(jī)種較多，其結(jié)構(gòu)和指令均不相同，若這種學(xué)兩天，那種學(xué)兩天往往會(huì)灘多嚼不爛。這里建議你最好先學(xué)8051單片機(jī)，因?yàn)?051方面的書(shū)籍、資料、器材都較多。PIC和AVR以及其它類(lèi)型的單片機(jī)雖有其長(zhǎng)處，但現(xiàn)在的書(shū)籍、資料以及器件供應(yīng)并不理想，不太適合初學(xué)者選擇。若你對(duì)這些并不在意的話(huà)那選擇后者進(jìn)行學(xué)習(xí)也未尚不可。

標(biāo)簽： 單片機(jī)

上傳時(shí)間： 2013-10-28

上傳用戶(hù)：muhongqing
PROG430專(zhuān)業(yè)MSP430單片機(jī)編程器（USB型）使用說(shuō)

簡(jiǎn)介固件無(wú)限升級(jí)的編程器：隨著TI公司MSP430系列單片機(jī)新型號(hào)的不斷推出，我們對(duì)編程器的功能也隨之更新到位，凡是夠買(mǎi)過(guò)本產(chǎn)品的老顧客可以使用本產(chǎn)品最新軟件只需點(diǎn)擊升級(jí)固件，就可以獲得最新的功能了，正所謂一機(jī)在手后顧無(wú)憂(yōu)。原串口型編程器，老客戶(hù)今后同樣可以使用我們的最新軟件獲取最新的功能。不拋棄，不放棄，有了您的支持，我們將做得更好。 PROG430編程器（USB型）是針對(duì)美國(guó)德州儀器（TI）公司的MSP430系列Flash型單片機(jī)的專(zhuān)業(yè)編程器，由北京博通電子打造，是原有串口型編程器的升級(jí)產(chǎn)品。功能強(qiáng)大，操作方便，界面友好，支持固件升級(jí)功能，只需下載最新的上位機(jī)軟件即可更新編程器固件。

標(biāo)簽： 430 PROG MSP USB

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶(hù)：稀世之寶039
基于單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的有源功率因數(shù)校正

摘要:本文給出了一種基于單片機(jī)AT90PWM2B的BOOST升壓型臨界電流模式有源功率因數(shù)校正的實(shí)現(xiàn)方法。在70W可調(diào)光熒光燈電子鎮(zhèn)流器上的實(shí)用結(jié)果驗(yàn)證了該方法的可行性和有效性。該方法可以推廣到電子鎮(zhèn)流器和開(kāi)關(guān)電源等對(duì)功率因數(shù)要求較高的電力電子產(chǎn)品。關(guān)鍵詞:有源功率因數(shù)校正;BOOST升壓；臨界電流模式；AT90PWM2B；PSC

標(biāo)簽： 單片機(jī) 有源功率因數(shù)校正

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶(hù)：Vici