圖7.18所示的是一個電容性負載的兩級CMOS基本差分運算放大器，其中，Part1為運算放大器的電流鏡偏置電路；Part2為運算放大器的第一級放大器；Part3為運算放大器的第二級放大器。第一級放大器為標準基本差分運算放大器，第二級放大器為PMOS管作為負載的NMOS共源放大器
上傳時間： 2016-06-16
上傳用戶：sjr88
本書是作者結合自己多年的科研實踐，在參考國內外同類教材的基礎上，精心編著而成的。本書結合現代CMOS工藝的發展，從元器件出發，詳細分析了各種典型模擬CMOS集成電路的工作原理和設計方法，對模擬CMOS集成電路的研究和設計具有學術和工程實用價值。 全書共分10章，其中前6章介紹CMOS元器件和基本單元電路的基礎知識，后4章介紹它們的典型應用，包括開關電容電路、ADC與DAC、振蕩器以及鎖相環。 本書可供微電子與集成電路設計專業的研究生以及高年級本科生作為教材使用（大約需要60學時），也可供模擬集成電路設計工程師參考。
標簽： CMOS 模擬集成 電路設計 拉扎維 陳貴燦
上傳時間： 2016-08-25
上傳用戶：tou15837271233
A major societal challenge for the decades to come will be the delivery of effective medical services while at the same time curbing the growing cost of healthcare. It is expected that new concepts-particularly electronically assisted healthcare will provide an answer. This will include new devices, new medical services as well as networking. On the device side, impressive innovation has been made possible by micro- and nanoelectronics or CMOS Integrated Circuits. Even higher accuracy and smaller form factor combined with reduced cost and increased convenience of use are enabled by incorporation of CMOS IC design in the realization of biomedical systems. The compact hearing aid devices and current pacemakers are good examples of how CMOS ICs bring about these new functionalities and services in the medical field. Apart from these existing applications, many researchers are trying to develop new bio-medical solutions such as Artificial Retina, Deep Brain Stimulation, and Wearable Healthcare Systems. These are possible by combining the recent advances of bio-medical technology with low power CMOS IC technology.
上傳時間： 2017-02-06
上傳用戶：linyj
bios cmos time read and set-use borlandc
標簽： bios cmos time read and set
上傳時間： 2017-05-04
上傳用戶：david10274
dac0808硬件管教原理圖 DAC0808是8位數模轉換集成芯片，電流輸出，穩定時間為150ns,驅動電壓±5V,33mW。DAC0808可以直接和TTL,DTL和CMOS邏輯電平相兼容。
上傳時間： 2019-05-29
上傳用戶：少年游呀
USB轉TTL軟件驅動，WIN7可用，其余版本請自行測試，對于進行上位機開發，單片機調試，該驅動是必不可少的
上傳時間： 2020-04-14
上傳用戶：fycsw01
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
The mature CMOS fabrication processes are available in many IC foundries. It is cost-effective to leverage the existing CMOS fabrication technologies to implement MEMS devices. On the other hand, the MEMS devices could also add values to the IC industry as the Moore’s law reaching its limit. The CMOS MEMS could play a key role to bridge the gap between the CMOS and MEMS technologies. The CMOS MEMS also offers the advantage of monolithic integration of ICs and micro mechanical components.
標簽： TECHNOLOGY CMOS MEMS KEY
上傳時間： 2020-06-06
上傳用戶：shancjb
ULN2003是高耐壓、大電流復合晶體管陣列，由七個硅NPN 復合晶體管組成，每一對達林頓都串聯一個2.7K 的基極電阻，在5V 的工作電壓下它能與TTL 和CMOS 電路直接相連，可以直接處理原先需要標準邏輯緩沖器來處理的數據。
上傳時間： 2021-06-26
上傳用戶：xiangshuai
高精度低溫漂CMOS基準源的設計與比較-76頁
標簽： cmos
上傳時間： 2021-10-17
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