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實(shí)現(xiàn)無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)定位DV-Hop算法的matlab源碼-Wireless sensor network localization DV
標(biāo)簽： DVHOP
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶(hù)：hgy9473
OPC UA作為opc規(guī)范的新方向，使得自動(dòng)化系統(tǒng)構(gòu)架更加開(kāi)放、便捷。-OPC Unified Architecture.pdf
標(biāo)簽： OPC_Unified_Architecture
上傳時(shí)間： 2013-06-16
上傳用戶(hù)：zsjinju
HT45F43 特性特性特性特性 MCU 特性：內(nèi)建 2x OPAs & 2x Comparators, EEPROM, HIRC 4MHz + 32K LIRC，節(jié)省外部器件 傳感器：電化學(xué) Sensor（ME2-CO） 電源電壓：9V 堿性電池 高音量蜂鳴器輸出：（＞85DB） 待機(jī)電流：Typ.21uA, Max.27uA 低電壓檢測(cè)：7.5V 自測(cè) / 校準(zhǔn)功能 LED 顯示：紅、黃、綠三顆 LED 指示 使用 HT45F43 內(nèi)建 OSC & Reset 電路，節(jié)省外部器件 使用 HT45F43 內(nèi)建 OPA 進(jìn)行 CO Sensor 信號(hào)放大，節(jié) 省外部器件 WATCHDOG 每 32 秒喚醒一次進(jìn)行 CO 濃度偵測(cè)和電池電壓偵測(cè)
標(biāo)簽： 獨(dú)立 煤氣 報(bào)警 蜂鳴
上傳時(shí)間： 2013-06-16
上傳用戶(hù)：qunquan
·【作 者】 John L. Hennessy同作者書(shū)籍 【出 版 社】 Morgan Kaufmann 【書(shū) 號(hào)】 1558605967 【開(kāi) 本】 16 開(kāi) 【頁(yè) &nbs
標(biāo)簽： nbsp Architecture Quantitative Computer
上傳時(shí)間： 2013-05-28
上傳用戶(hù)：wqxstar
·文件列表: 1998.C A24.C A25.C A26.C ADD_F.C ARF.C ARR.C BINARY.C BINARY1.C BODY.C C1.H C2.H C3.H C31.H &nbs
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶(hù)：a155166
該文件是OV7725即30萬(wàn)攝像頭sensor的寄存器配置信息，內(nèi)部的源碼，針對(duì)不同的開(kāi)發(fā)環(huán)境可以做適當(dāng)修改
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶(hù)：784533221
比亞迪VGA CMOS SENSOR
標(biāo)簽： design guide 3008 BF
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶(hù)：瓦力瓦力hong
Abstract: A digital RF modulator, an integrated solution that satisfies stringent DOCSIS RF-performancerequirements, takes advantage of modern technologies like high-performance wideband digital-to-analogconversion and CMOS technology scaling. This application note describes the concept and advantages ofa digital quadrature amplitude modulation (QAM) modulator that uses the direct-RF architecture to enablea cable access platform (CCAP) system.
標(biāo)簽： 集成 數(shù)字RF 調(diào)制器 方案
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶(hù)：drink！
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：小眼睛LSL
Abstract: This article discusses application circuits for Maxim force/sense digital-to-analog converters (DACs). Applications include:selectable fixed-gain DAC, programmable gain DAC, photodiode bias control, amperometric sensor control, digitally programmablecurrent source, Kelvin load sensing, temperature sensing, and high current DAC output. A brief description of the various DAC outputconfigurations is also given.
標(biāo)簽： DAC
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶(hù)：youmo81
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