?? bv技術資料

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對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普...

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比較快表白吧你就立刻就回家后bv那就一句話就hv一天就應該具備會計科...

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