CMOS器件抗靜電措施的研究
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電...
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電...
閂鎖效應是指CMOS器件所固有的寄生雙極晶體管被觸發導通,在電源和地之間存在一個低阻通路,大電流,導致電路無法正常工作,甚至燒毀電路...
開關在電路中起接通信號或斷開信號的作用。最常見的可控開關是繼電器,當給驅動繼電器的驅動電路加高電平或低電平時,繼電器就吸合或釋放,其觸點接通或斷開電路。CMOS模擬開關是一種可控開關,它不象繼電器那樣...
模擬集成電路的設計與其說是一門技術,還不如說是一門藝術。它比數字集成電路設計需要更嚴格的分析和更豐富的直覺。嚴謹堅實的理論無疑是嚴格分析能力的基石,而設計者的實踐經驗無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝,設計了一種高電源抑制比,同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓,通過電壓放大器放大得到穩定的電壓,以提供給...
設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較,指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響;提出了一種...
TTL電平和CMOS電平總結...
采用納瓦技術的8/14引腳閃存8位CMOS單片機 PIC12F635/PIC16F636/639數據手冊 目錄1.0 器件概述 2.0 存儲器構成3.0 時鐘源4.0 I/O 端口 5.0 Timer...
The CAT28LV64 is a low voltage, low power, CMOS Parallel EEPROM organized as 8K x 8−bits. It r...
The CAT25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This fe...