A MEMS microphone IC is unique among Analog Devices, Inc., products in that its input is an acoustic pressure wave. For this reason, some specifications included in the data sheets for these parts may not be familiar, or familiar specifications may be applied in unfamiliar ways. This application note explains the specifica-tions and terms found in MEMS microphone data sheets so that the microphone can be appropriately designed into a system.
標(biāo)簽： MEMS 麥克風(fēng) 系統(tǒng)設(shè)計(jì) 效率
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：masochism
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
本書內(nèi)容包括三大部分：第1 部分從運(yùn)算放大器的基本概念和理論出發(fā)，重點(diǎn)介紹了運(yùn)算放大器的原理與設(shè)計(jì)，以及在各種電子系統(tǒng)中的應(yīng)用，包括視頻應(yīng)用、RF/IF 子系統(tǒng)(乘法器、調(diào)制器和混頻器)等;第2 部分主要介紹了高速采樣和高速ADC 及其應(yīng)用、高速DAC 及其應(yīng)用、以及DDS 系統(tǒng)與接收機(jī)子系統(tǒng)等;第3 部分介紹了有關(guān)高速硬件設(shè)計(jì)技術(shù)，如仿真、建模、原型、布局、去藕與接地，以及EMI 與RFI設(shè)計(jì)考慮等。 書中內(nèi)容既有完整的理論分析，又有具體的實(shí)際應(yīng)用電路，還包括許多應(yīng)用技巧。特別適合電子電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師、高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀。
標(biāo)簽： ADI 處理器 高速設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：qitiand
鎖相環(huán)是一種反饋系統(tǒng)，其中電壓控制振蕩器(VCO)和相位比較器相互連接，使得振蕩器可以相對(duì)于參考信號(hào)維持恒定的相位角度。鎖相環(huán)可用來從固定的低頻信號(hào)生成穩(wěn)定的輸出高頻信號(hào)等。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：waixingren
數(shù)字電位計(jì)是機(jī)械電位計(jì)的最佳替代產(chǎn)品，因其具有小尺寸封裝、更高可靠性、高精度和更小電壓毛刺等優(yōu)勢(shì)。數(shù)字電位計(jì)可采用各種數(shù)字和手動(dòng)接口。手動(dòng)或按鈕接口直接通過兩個(gè)按鈕開關(guān)進(jìn)行控制， 例如AD5116或AD5228。按向上按鈕可提高電阻，按向下按鈕可降低電阻，如圖1所示。
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：wyiman
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中使用的電子控制必須能在惡劣的電氣環(huán)境中提供較高的系統(tǒng)性能。電源電路會(huì)在電機(jī)繞組上導(dǎo)致電壓沿激增現(xiàn)象，而這些電壓沿則可以電容耦合進(jìn)低電壓電路之中。電源電路中，電源開關(guān)和寄生元件的非理想行為也會(huì)產(chǎn)生感性耦合噪聲。控制電路與電機(jī)和傳感器之間的長(zhǎng)電纜形成多種路徑，可將噪聲耦合到控制反饋信號(hào)中。高性能驅(qū)動(dòng)器需要必須與高噪聲電源電路隔離開的高保真反饋控制和信號(hào)。在典型的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，包括隔離柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以便將逆變器、電流和位置反饋信號(hào)驅(qū)動(dòng)到電機(jī)控制器，以及隔離各子系統(tǒng)之間的通信信號(hào)。實(shí)現(xiàn)信號(hào)隔離時(shí)，不得犧牲信號(hào)路徑的帶寬，也不得顯著增加系統(tǒng)成本。光耦合器是跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)安全隔離的傳統(tǒng)方法。盡管光耦合器已使用數(shù)十年，其不足也會(huì)影響系統(tǒng)級(jí)性能。
標(biāo)簽： 數(shù)字隔離器 工業(yè)電機(jī) 帶來 性能
上傳時(shí)間： 2013-11-03
上傳用戶：jhs541019
本應(yīng)用筆記描述如何利用AD7142和電容傳感器環(huán)，實(shí)現(xiàn)類似于傳統(tǒng)35 mm單反(SLR)相機(jī)的單一位置數(shù)碼相機(jī)快門按鈕。除了更容易控制快門按鈕的啟動(dòng)之外，其它優(yōu)勢(shì)包括：預(yù)對(duì)焦速度更快、快門按鈕更便宜。
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶：13925096126
AD7142和AD7143是具有片內(nèi)環(huán)境校準(zhǔn)功能的集成式電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器(CDC)，可用于需要采用新型用戶輸入法的系統(tǒng)。AD7142和AD7143可與外部電容式傳感器接口，從而實(shí)現(xiàn)電容按鈕、滾動(dòng)條或滾輪等功能。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：zhangzhenyu
能源成本不斷提高，推動(dòng)數(shù)據(jù)中心和其它相關(guān)的計(jì)算業(yè)務(wù)尋找全方位的智能電源管理策略。此類策略的實(shí)現(xiàn)要求準(zhǔn)確采集包括電源在內(nèi)的所有各級(jí)的功耗數(shù)據(jù)。如今，數(shù)字通信技術(shù)和智能電源簡(jiǎn)化了這項(xiàng)任務(wù)，但要實(shí)現(xiàn)精確的電能計(jì)量，仍然存在一些實(shí)際的挑戰(zhàn)，因?yàn)殡娫?除少數(shù)例外)不是測(cè)量設(shè)備。
標(biāo)簽： ADP 1047 1048 功率計(jì)量
上傳時(shí)間： 2014-11-26
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ADE7816是一款多通道電能計(jì)量IC，可以同時(shí)測(cè)量多達(dá)6個(gè)電流通道和1個(gè)電壓通道。ADE7816可提供所有通道的有功和無功電能以及電流和電壓有效值讀數(shù)。另外提供各種電能質(zhì)量功能，包括無負(fù)載、反向功率和角度測(cè)量。ADE7816適合各種計(jì)量應(yīng)用，包括智能電表、配電單元和家庭電能監(jiān)控器。
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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