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fet

場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(fet)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junctionfet—Jfet)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorfet，簡稱MOS-fet）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

  • fet characteristics and applications...........

    fet characteristics and applications...........

    標(biāo)簽： characteristics applications fet and

    上傳時間： 2017-06-17

    上傳用戶：懶龍1988

  • 本人RF電路設(shè)計課上的一個project。基于AWR公司MW Office仿真軟件的一個fet混頻器設(shè)計方案。

    本人RF電路設(shè)計課上的一個project。基于AWR公司MW Office仿真軟件的一個fet混頻器設(shè)計方案。

    標(biāo)簽： project Office AWR fet

    上傳時間： 2013-11-29

    上傳用戶：duoshen1989

  • MSP430F5529 eZ-fet Lite USB仿真器

    MSP430F5529 eZ-fet Lite USB仿真器（原理圖、PCB源文件、BOM、量產(chǎn)工具等）. 

    標(biāo)簽： msp430 USB仿真器

    上傳時間： 2022-06-21

    上傳用戶：20125101110

  • 一種基于大功率fet的數(shù)控直流電流源設(shè)計

    系統(tǒng)采用ATME189S52 為微控制器(MCE)核心，實現(xiàn)了可控的恒定直流電流源設(shè)計。核心恒流模塊采用自反饋電路連接大功率場效應(yīng)管IRFZ44NL，使得電流輸出范圍達到20~2000

    標(biāo)簽： fet 大功率 數(shù)控直流 電流源設(shè)計

    上傳時間： 2013-07-05

    上傳用戶：cy_ewhat

  • 保護電路設(shè)計

    非常經(jīng)典的保護電路設(shè)計，關(guān)于IBGT MOS fet過壓過流的設(shè)計

    標(biāo)簽： 保護 電路設(shè)計

    上傳時間： 2013-06-25

    上傳用戶：wxhwjf

  • 圖解晶體管電路

    圖解晶體管電路 192頁 4.8M本書是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管/fet電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括fet放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/fet開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路、功率放大器的設(shè)計與制作、拓寬頻率特性等。 本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，抓住晶體管、fet的工作圖像，以達到靈活運用這些器件設(shè)計應(yīng)用電路的目的。

    標(biāo)簽： 圖解 晶體管 電路

    上傳時間： 2013-05-16

    上傳用戶：lw4463301

  • 更改ADM1073的電流限值

    ADM1073 –48 V熱插拔控制器，可通過動態(tài)控制置于電源路徑中外部N溝道fet上的柵極電壓，精確限制該電源產(chǎn)生的電流。內(nèi)部檢測放大器可以檢測連接在電源VEE和SENSE引腳之間的檢測電阻上的電壓。該電平體現(xiàn)了負載電流水平。檢測放大器具有100 mV (±3%)的預(yù)設(shè)控制環(huán)路閾值。這意味著當(dāng)檢測電阻上檢測到100 mV的電壓時，電流控制環(huán)路就會調(diào)節(jié)負載電流。這樣檢測電阻值可以設(shè)置促使環(huán)路進行調(diào)節(jié)的電流水平。100 mV除以RSENSE可以得到電流值，此時檢測電阻會促使環(huán)路進行調(diào)節(jié)。

    標(biāo)簽： 1073 ADM 電流限值

    上傳時間： 2013-10-30

    上傳用戶：packlj

  • 如何快速創(chuàng)建開關(guān)電源的PCB版圖設(shè)計

    如今的開關(guān)穩(wěn)壓器和電源越來越緊湊，性能也日益強大，而越來越高的開關(guān)頻率是設(shè)計人員面臨的主要問題之一，正是它使得PCB的設(shè)計越來越困難。事實上，PCB版圖已經(jīng)成為區(qū)分好與差的開關(guān)電源設(shè)計的分水嶺。本文針對如何一次性創(chuàng)建優(yōu)秀PCB版圖提出一些建議。考慮一個將24V降為3.3V的3A開關(guān)穩(wěn)壓器。設(shè)計這樣一個10W穩(wěn)壓器初看起來不會太困難，設(shè)計人員可能很快就可以進入實現(xiàn)階段。不過，讓我們看看在采用Webench等設(shè)計軟件后，實際會遇到哪些問題。如果我們輸入上述要求，Webench會從若干IC中選出“Simpler Switcher”系列中的LM25576(一款包括3A fet的42V輸入器件)。該芯片采用帶散熱墊的TSSOP-20封裝。Webench菜單中包括了對體積或效率的設(shè)計優(yōu)化。設(shè)計需要大容量的電感和電容，從而需要占用較大的PCB空間。Webench提供如表1的選擇。

    標(biāo)簽： PCB 開關(guān)電源 版圖設(shè)計

    上傳時間： 2013-11-15

    上傳用戶：邶刖

  • PCB設(shè)計經(jīng)典資料

    本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板，以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由fet 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設(shè)計目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因，嚴(yán)重時頻率甚至?xí)驗閒eedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號的位相延遲，最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設(shè)計，如果有外部噪訊干擾之虞時，接地可設(shè)計成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測試結(jié)果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。

    標(biāo)簽： PCB

    上傳時間： 2013-11-13

    上傳用戶：hebanlian

  • 如何保護集成fet的電源開關(guān)

    Abstract: Some types of loads require more current during startup than when running. Other loads can be limited to a lower-powercurrent during startup but require a higher operating current. This article describes an application circuit that automatically adjusts apower circuit’s overcurrent protection level up or down after startup is complete.

    標(biāo)簽： fet 保護 集成 電源開關(guān)

    上傳時間： 2013-10-23

    上傳用戶：swaylong

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