IGBT圖解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly...
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly...
由于高重復(fù)頻率固體開關(guān)在加速器、雷達(dá)發(fā)射機(jī)、高功率微波和污染控制等領(lǐng)域存在的潛在優(yōu)勢(shì),美國、英國、日本和韓國等都對(duì)固體開關(guān)技術(shù)進(jìn)行了大量研究,從而成為近年脈沖功率界研究的重點(diǎn)1。從固體元件電路結(jié)構(gòu)上,固體開關(guān)可以分成兩種類型:串聯(lián)結(jié)構(gòu)和累加器結(jié)構(gòu)。采用串聯(lián)結(jié)構(gòu)的固體開關(guān)生產(chǎn)廠家中,比較著名的有LLN...
1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動(dòng)系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電,變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu);冷床傳輸鏈采用4臺(tái)電機(jī)單獨(dú)傳動(dòng),每臺(tái)電機(jī)分別由獨(dú)立的逆變單元控制,逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制,相互之間依靠速度給定的同時(shí)性保持同步。自2005...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型品體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和...
<h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos(pmos)和nmos4(pmos4)兩種nmos(pmos)。其中nmos(pmos)表示襯底(B)和源極(S)相連。mos和mos4能調(diào)整的屬性不同,如圖:...