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利用Matlab求解帶有時(shí)間延遲的Mackey-Glass系統(tǒng)，在非線性動(dòng)力學(xué)中經(jīng)常用到。可以用來(lái)求解類似的延遲微分方程系統(tǒng)。
標(biāo)簽： Mackey-Glass Matlab 延遲
上傳時(shí)間： 2015-08-28
上傳用戶：啊颯颯大師的
A Simple Glass Breakage Detector Using the MSP430
標(biāo)簽： Breakage Detector Simple Glass
上傳時(shí)間： 2013-12-12
上傳用戶：jkhjkh1982
KDD的專業(yè)測(cè)試數(shù)據(jù)集glass，投KDD的可要同一使用他的數(shù)據(jù)集哈
標(biāo)簽： glass KDD 測(cè)試 數(shù)據(jù)集
上傳時(shí)間： 2015-11-05
上傳用戶：zhaiyanzhong
One program to simulation light passing through a glass sphere. It is interesting and can be used in geometric optics.
標(biāo)簽： interesting simulation program passing
上傳時(shí)間： 2014-12-07
上傳用戶：璇珠官人
麥克-格拉斯(Mackey-Glass)混沌延遲微分方程的相圖
標(biāo)簽： Mackey-Glass 麥克 混沌 延遲
上傳時(shí)間： 2016-04-25
上傳用戶：1159797854
資源分配神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)解決Mackey-Glass時(shí)間序列預(yù)測(cè)函數(shù)逼近問(wèn)題
標(biāo)簽： Mackey-Glass 資源分配 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間序列
上傳時(shí)間： 2016-09-04
上傳用戶：hn891122
a VB script to cause user can pop up a glass Message box
標(biāo)簽： Message script cause glass
上傳時(shí)間： 2014-01-03
上傳用戶：xhz1993
基于MATLAB生成Mackey-Glass時(shí)間序列。首先進(jìn)行函數(shù)的定義，然后運(yùn)行WORD中的代碼即可。
標(biāo)簽： Mackey-Glass MATLAB 時(shí)間序列 函數(shù)
上傳時(shí)間： 2017-02-13
上傳用戶：lijinchuan
Calculation of the Differential Impedance of Tracks on FR4 substrates There is a discrepancy between calculated and measured values of impedance for differential transmission lineson FR4. This is especially noticeable in the case of surface microstrip configurations. The anomaly is shown tobe due to the nature of the substrate material. This needs to be considered as a layered structure of epoxy resinand glass fibre. Calculations, using Boundary Element field methods, show that the distribution of the electricfield within this layered structure determines the apparent dielectric constant and therefore affects theimpedance. Thus FR4 cannot be considered to be uniform dielectric when calculating differential impedance.
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：DE2542
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
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