看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號(hào)
由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其優(yōu)點(diǎn)是：用它做開關(guān)電源，無需加散熱器，在通用電網(wǎng)即可輸出20～50W 的功率；保護(hù)功能齊全；電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；能自動(dòng)降低空載時(shí)的工作頻率，從而降低待機(jī)狀態(tài)的損耗，故在中小功率開關(guān)電源中有著廣泛的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽： COOLMOS ICE 應(yīng)用研究
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：chenjjer
Abstract: Alexander Graham Bell patented twisted pair wires in 1881. We still use them today because they work so well. In addition we have the advantage ofincredible computer power within our world. Circuit simulators and filter design programs are available for little or no cost. We combine the twisted pair and lowpassfilters to produce spectacular rejection of radio frequency interference (RFI) and electromagnetic interference (EMI). We also illustrate use of a precision resistorarray to produce a customizable differential amplifier. The precision resistors set the gain and common mode rejection ratios, while we choose the frequencyresponse.
上傳時(shí)間： 2014-11-26
上傳用戶：Vici
本應(yīng)用筆記介紹如何運(yùn)用本文所述電路來避免添加額外的求和放大器，以及IOUT架構(gòu)如何支持交流和直流兩種輸入，從而使該電路非常適合數(shù)據(jù)采集和儀器儀表應(yīng)用。
標(biāo)簽： DAC 乘法 運(yùn)算放大器 控制交流
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：czl10052678
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：zhyiroy
A MEMS microphone IC is unique among Analog Devices, Inc., products in that its input is an acoustic pressure wave. For this reason, some specifications included in the data sheets for these parts may not be familiar, or familiar specifications may be applied in unfamiliar ways. This application note explains the specifica-tions and terms found in MEMS microphone data sheets so that the microphone can be appropriately designed into a system.
標(biāo)簽： MEMS 麥克風(fēng) 系統(tǒng)設(shè)計(jì) 效率
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：masochism
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
本書內(nèi)容包括三大部分：第1 部分從運(yùn)算放大器的基本概念和理論出發(fā)，重點(diǎn)介紹了運(yùn)算放大器的原理與設(shè)計(jì)，以及在各種電子系統(tǒng)中的應(yīng)用，包括視頻應(yīng)用、RF/IF 子系統(tǒng)(乘法器、調(diào)制器和混頻器)等;第2 部分主要介紹了高速采樣和高速ADC 及其應(yīng)用、高速DAC 及其應(yīng)用、以及DDS 系統(tǒng)與接收機(jī)子系統(tǒng)等;第3 部分介紹了有關(guān)高速硬件設(shè)計(jì)技術(shù)，如仿真、建模、原型、布局、去藕與接地，以及EMI 與RFI設(shè)計(jì)考慮等。 書中內(nèi)容既有完整的理論分析，又有具體的實(shí)際應(yīng)用電路，還包括許多應(yīng)用技巧。特別適合電子電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師、高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀。
標(biāo)簽： ADI 處理器 高速設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：qitiand
鎖相環(huán)是一種反饋系統(tǒng)，其中電壓控制振蕩器(VCO)和相位比較器相互連接，使得振蕩器可以相對(duì)于參考信號(hào)維持恒定的相位角度。鎖相環(huán)可用來從固定的低頻信號(hào)生成穩(wěn)定的輸出高頻信號(hào)等。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：waixingren
數(shù)字電位計(jì)是機(jī)械電位計(jì)的最佳替代產(chǎn)品，因其具有小尺寸封裝、更高可靠性、高精度和更小電壓毛刺等優(yōu)勢(shì)。數(shù)字電位計(jì)可采用各種數(shù)字和手動(dòng)接口。手動(dòng)或按鈕接口直接通過兩個(gè)按鈕開關(guān)進(jìn)行控制， 例如AD5116或AD5228。按向上按鈕可提高電阻，按向下按鈕可降低電阻，如圖1所示。
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：wyiman
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
