交流功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器 特點： 精確度0.25%滿刻度 ±0.25o 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 主要規(guī)格： 精確度: 0.25% F.S. ±0.25°(23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 輸出反應(yīng)速度: < 250ms(0~90%) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0~ ±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~ ±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 交流 功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：thing20
交流頻率轉(zhuǎn)換器 特點： 精確度0.05%滿刻度(Accuracy 0.05%F.S.) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 2:主要規(guī)格 精確度: 0.05% F.S. (23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA 最大過載能力:maximum 2 x rated continuous 輸出反應(yīng)時間: <250ms (0~90%) 輸出負(fù)載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100M ohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 交流 頻率轉(zhuǎn)換器
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：xzt
交流電壓，電流轉(zhuǎn)換器 特點： 精確度0.25%滿刻度(RMS) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 2:主要規(guī)格 精確度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大過載能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 輸出反應(yīng)時間: <250ms (0~90%) 輸出負(fù)載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 交流電壓 電流轉(zhuǎn)換器
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：非衣2016
使用時鐘PLL的源同步系統(tǒng)時序分析一）回顧源同步時序計算Setup Margin = Min Clock Etch Delay – Max Data Etch Delay – Max Delay Skew – Setup TimeHold Margin = Min Data Etch Delay – Max Clock Etch Delay + Min Delay Skew + Data Rate – Hold Time下面解釋以上公式中各參數(shù)的意義：Etch Delay：與常說的飛行時間(Flight Time)意義相同，其值并不是從仿真直接得到，而是通過仿真結(jié)果的后處理得來。請看下面圖示：圖一為實際電路，激勵源從輸出端，經(jīng)過互連到達接收端，傳輸延時如圖示Rmin，Rmax，F(xiàn)min，F(xiàn)max。圖二為對應(yīng)輸出端的測試負(fù)載電路，測試負(fù)載延時如圖示Rising，F(xiàn)alling。通過這兩組值就可以計算得到Etch Delay 的最大和最小值。
標(biāo)簽： PLL 時鐘 同步系統(tǒng) 時序分析
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：VRMMO
模塊電源的電氣性能是通過一系列測試來呈現(xiàn)的，下列為一般的功能性測試項目，詳細(xì)說明如下： 電源調(diào)整率(Line Regulation) 負(fù)載調(diào)整率(Load Regulation) 綜合調(diào)整率(Conmine Regulation) 輸出漣波及雜訊(Ripple & Noise) 輸入功率及效率(Input Power, Efficiency) 動態(tài)負(fù)載或暫態(tài)負(fù)載(Dynamic or Transient Response) 起動(Set-Up)及保持(Hold-Up)時間 常規(guī)功能(Functions)測試 1. 電源調(diào)整率 電源調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓變化時提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測試步驟如下：于待測電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負(fù)載狀況下熱機穩(wěn)定后，分別于低輸入電壓(Min)，正常輸入電壓(Normal)，及高輸入電壓(Max)下測量并記錄其輸出電壓值。 電源調(diào)整率通常以一正常之固定負(fù)載(Nominal Load)下，由輸入電壓變化所造成其輸出電壓偏差率(deviation)的百分比，如下列公式所示： [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 2. 負(fù)載調(diào)整率 負(fù)載調(diào)整率的定義為開關(guān)電源于輸出負(fù)載電流變化時，提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測試步驟如下：于待測電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負(fù)載狀況下熱機穩(wěn)定后，測量正常負(fù)載下之輸出電壓值，再分別于輕載(Min)、重載(Max)負(fù)載下，測量并記錄其輸出電壓值(分別為Vo(max)與Vo(min))，負(fù)載調(diào)整率通常以正常之固定輸入電壓下，由負(fù)載電流變化所造成其輸出電壓偏差率的百分比，如下列公式所示： [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 3. 綜合調(diào)整率 綜合調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓與輸出負(fù)載電流變化時，提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。這是電源調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率的綜合，此項測試系為上述電源調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率的綜合，可提供對電源供應(yīng)器于改變輸入電壓與負(fù)載狀況下更正確的性能驗證。 綜合調(diào)整率用下列方式表示：于輸入電壓與輸出負(fù)載電流變化下，其輸出電壓之偏差量須于規(guī)定之上下限電壓范圍內(nèi)(即輸出電壓之上下限絕對值以內(nèi))或某一百分比界限內(nèi)。 4. 輸出雜訊 輸出雜訊(PARD)系指于輸入電壓與輸出負(fù)載電流均不變的情況下，其平均直流輸出電壓上的周期性與隨機性偏差量的電壓值。輸出雜訊是表示在經(jīng)過穩(wěn)壓及濾波后的直流輸出電壓上所有不需要的交流和噪聲部份(包含低頻之50/60Hz電源倍頻信號、高于20 KHz之高頻切換信號及其諧波，再與其它之隨機性信號所組成))，通常以mVp-p峰對峰值電壓為單位來表示。 一般的開關(guān)電源的規(guī)格均以輸出直流輸出電壓的1%以內(nèi)為輸出雜訊之規(guī)格，其頻寬為20Hz到20MHz。電源實際工作時最惡劣的狀況(如輸出負(fù)載電流最大、輸入電源電壓最低等)，若電源供應(yīng)器在惡劣環(huán)境狀況下，其輸出直流電壓加上雜訊后之輸出瞬時電壓，仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不超過輸出高低電壓界限情形，否則將可能會導(dǎo)致電源電壓超過或低于邏輯電路(如TTL電路)之承受電源電壓而誤動作，進一步造成死機現(xiàn)象。 同時測量電路必須有良好的隔離處理及阻抗匹配，為避免導(dǎo)線上產(chǎn)生不必要的干擾、振鈴和駐波，一般都采用雙同軸電纜并以50Ω于其端點上，并使用差動式量測方法(可避免地回路之雜訊電流)，來獲得正確的測量結(jié)果。 5. 輸入功率與效率 電源供應(yīng)器的輸入功率之定義為以下之公式： True Power = Pav(watt) = Vrms x Arms x Power Factor 即為對一周期內(nèi)其輸入電壓與電流乘積之積分值，需注意的是Watt≠VrmsArms而是Watt=VrmsArmsxP.F.，其中P.F.為功率因素(Power Factor)，通常無功率因素校正電路電源供應(yīng)器的功率因素在0.6～0.7左右，其功率因素為1～0之間。 電源供應(yīng)器的效率之定義為為輸出直流功率之總和與輸入功率之比值。效率提供對電源供應(yīng)器正確工作的驗證，若效率超過規(guī)定范圍，即表示設(shè)計或零件材料上有問題，效率太低時會導(dǎo)致散熱增加而影響其使用壽命。 6. 動態(tài)負(fù)載或暫態(tài)負(fù)載 一個定電壓輸出的電源，于設(shè)計中具備反饋控制回路，能夠?qū)⑵漭敵鲭妷哼B續(xù)不斷地維持穩(wěn)定的輸出電壓。由于實際上反饋控制回路有一定的頻寬，因此限制了電源供應(yīng)器對負(fù)載電流變化時的反應(yīng)。若控制回路輸入與輸出之相移于增益(Unity Gain)為1時，超過180度，則電源供應(yīng)器之輸出便會呈現(xiàn)不穩(wěn)定、失控或振蕩之現(xiàn)象。實際上，電源供應(yīng)器工作時的負(fù)載電流也是動態(tài)變化的，而不是始終維持不變(例如硬盤、軟驅(qū)、CPU或RAM動作等)，因此動態(tài)負(fù)載測試對電源供應(yīng)器而言是極為重要的。可編程序電子負(fù)載可用來模擬電源供應(yīng)器實際工作時最惡劣的負(fù)載情況，如負(fù)載電流迅速上升、下降之斜率、周期等，若電源供應(yīng)器在惡劣負(fù)載狀況下，仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不產(chǎn)生過高激(Overshoot)或過低(Undershoot)情形，否則會導(dǎo)致電源之輸出電壓超過負(fù)載組件(如TTL電路其輸出瞬時電壓應(yīng)介于4.75V至5.25V之間，才不致引起TTL邏輯電路之誤動作)之承受電源電壓而誤動作，進一步造成死機現(xiàn)象。 7. 啟動時間與保持時間 啟動時間為電源供應(yīng)器從輸入接上電源起到其輸出電壓上升到穩(wěn)壓范圍內(nèi)為止的時間，以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例，啟動時間為從電源開機起到輸出電壓達到4.75V為止的時間。 保持時間為電源供應(yīng)器從輸入切斷電源起到其輸出電壓下降到穩(wěn)壓范圍外為止的時間，以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例，保持時間為從關(guān)機起到輸出電壓低于4.75V為止的時間，一般值為17ms或20ms以上，以避免電力公司供電中于少了半周或一周之狀況下而受影響。 8. 其它 在電源具備一些特定保護功能的前提下，還需要進行保護功能測試，如過電壓保護(OVP)測試、短路保護測試、過功保護等
標(biāo)簽： 模塊電源 參數(shù) 指標(biāo) 測試方法
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：zouxinwang
交流瓦特/瓦特小時，乏爾/乏爾小時轉(zhuǎn)換器 特點： 精確度0.25%滿刻度 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 主要規(guī)格： 精確度: 0.25% F.S. (23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 輸出反應(yīng)速度: < 250ms(0~90%) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波 : < 0.1% F.S. 脈波輸出型態(tài): Photocouple of open collector (max.30V/40mA) 歸零調(diào)整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣阻抗: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 瓦特 交流 轉(zhuǎn)換器
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：wettetw
采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
五、變頻器外控（二） 利用單片機系統(tǒng)隔離輸出，控制變頻器，實現(xiàn)變頻器的正反轉(zhuǎn)控制，系統(tǒng)具有啟動、停止按鍵，左限開關(guān)和右限開關(guān)，啟動后變頻器以800r/min向左運行，當(dāng)碰到左限開關(guān)變頻器以600r/min向右運行，依次循環(huán)往返運行。任意時刻按下停止按鈕變頻器停止運行。變頻器運行時使用數(shù)碼管分別對應(yīng)顯示 800和600。可自行增加其他功能，如左右極限保護、報警指示等。 寫出設(shè)計思路，畫出硬件接線圖，寫出單片機程序
上傳時間： 2014-12-25
上傳用戶：zhoujunzhen
C函數(shù)速查手冊 出版社：人民郵電出版社 《C函數(shù)速查手冊》中所講的C語言函數(shù)按照功能順序和字母順序進行排序，讀者既可以按照功能順序查找，也可以按照字母順序?qū)W習(xí)。《C函數(shù)速查手冊》不僅適合于C語言初學(xué)者學(xué)習(xí)使用，而且也可以作為中、高級C語言開發(fā)人員的參考手冊。 目錄 第1章 數(shù)學(xué)函數(shù) 1.1 _clear87函數(shù)：清除浮點狀態(tài)字 1.2 _status87函數(shù)：取浮點狀態(tài)字 1.3 abs函數(shù)：求整數(shù)的絕對值 1.4 acos、acosl函數(shù)：反余弦函數(shù) 1.5 asin、asinl函數(shù)：反正弦函數(shù) 1.6 atan函數(shù)：反正切函數(shù) 1.7 atan2、atan2l函數(shù)：計算Y/X的反正切值 1.8 cabs函數(shù)：計算復(fù)數(shù)的模 1.9 ceil函數(shù)：向上取整 1.10 cos函數(shù)：余弦函數(shù) 1.11 cosh函數(shù)：雙曲余弦函數(shù) 1.12 div函數(shù)：求兩個整數(shù)相除的商和余數(shù) 1.13 exp函數(shù)：指數(shù)函數(shù) 1.14 fabs函數(shù)：求浮點數(shù)的絕對值 1.15 floor函數(shù)：向下取整 1.16 fmod函數(shù)：計算x對y的模 1.17 frexp函數(shù)：將浮點數(shù)分為底數(shù)與指數(shù) 1.18 hypot函數(shù)：計算直角三角形的斜邊 1.19 labs函數(shù)：取長整數(shù)的絕對值 1.20 ldexp、ldexpl函數(shù)：冪計算 1.21 ldiv函數(shù)：兩個長整型數(shù)相除 1.22 log、logl函數(shù)：計算自然對數(shù) 1.23 log10、log10l函數(shù)：計算常用對數(shù) 1.24 max函數(shù)：求兩個數(shù)中的最大者 1.25 min函數(shù)：求兩個數(shù)中的最小者 1.26 modf、modfl函數(shù)：分割數(shù)為整數(shù)部分和小數(shù)部分 1.27 poly函數(shù)：計算多項式 1.28 pow函數(shù)：指數(shù)函數(shù) 1.29 pow10函數(shù)：指數(shù)函數(shù) 1.30 rand函數(shù)：隨機數(shù)發(fā)生器 1.31 random函數(shù)：隨機數(shù)發(fā)生器 1.32 randomize函數(shù)：初始化隨機數(shù)發(fā)生器 1.33 sin函數(shù)：正弦函數(shù) 1.34 sinh函數(shù)：雙曲正弦函數(shù) 1.35 sqrt函數(shù)：計算平方根 1.36 srand函數(shù)：初始化隨機數(shù)發(fā)生器 1.37 tan、tanl函數(shù)：正切函數(shù) 1.38 tanh、tanhl函數(shù)：雙曲正切函數(shù) 第2章 字符串函數(shù) 2.1 atof函數(shù)：把字符串轉(zhuǎn)換成浮點數(shù) 2.2 atoi函數(shù)：將字符串轉(zhuǎn)換成整型數(shù) 2.3 atol函數(shù)：將字符串轉(zhuǎn)換成長整型數(shù) 2.4 ecvt函數(shù)：將浮點數(shù)轉(zhuǎn)換為字符串 2.5 fcvt函數(shù)：將浮點數(shù)轉(zhuǎn)換為字符串 2.6 gcvt函數(shù)：將浮點數(shù)轉(zhuǎn)換成字符串 2.7 itoa函數(shù)：將整數(shù)值轉(zhuǎn)換為字符串 2.8 isalnum函數(shù)：字母、數(shù)字判斷函數(shù) 2.9 isalpha函數(shù)：字母判斷函數(shù) 2.10 isascii函數(shù)：整數(shù)值的字符分類 2.11 iscntrl函數(shù)：控制字符判斷函數(shù) 2.12 isdigit函數(shù)：數(shù)字判斷函數(shù) 2.13 isgraph函數(shù)：打印字符判斷 2.14 islower函數(shù)：小寫字母判斷函數(shù) 2.15 isprint函數(shù)：可打印字符判斷函數(shù) 2.16 isptmct函數(shù)：標(biāo)點符號判斷函數(shù) 2.17 isspace函數(shù)：空格等判斷函數(shù) 2.18 isupper函數(shù)：大寫字母判斷函數(shù) 2.19 isxdigit函數(shù)：十六進制數(shù)字判斷函數(shù) 2.20 ltoa函數(shù)：將長整值轉(zhuǎn)換為字符串 2.21 mbstowcs函數(shù)：將多字節(jié)字符序列轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的寬字符序列 2.22 mbtowc函數(shù)：將多字節(jié)字符轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的寬字符 2.23 stpcpy函數(shù)：復(fù)制字符串 2.24 strcat函數(shù)：拼接字符串 2.25 strchr函數(shù)：查找給定字符 2.26 strcmp函數(shù)：比較字符串 2.27 strcmpi函數(shù)：比較字符串 2.28 strcpy函數(shù)：復(fù)制字符串 2.29 strcspn函數(shù)：查找不包含指定字符集子串的段 2.30 strdup函數(shù)：將字符串復(fù)制到新建的位置 2.31 stricmp函數(shù)：比較字符串 2.32 strlen函數(shù)：獲取字符長度
上傳時間： 2014-12-25
上傳用戶：水口鴻勝電器
SHUZIZHONG顯示電路 源程序如下： #include <reg51.h>#include <intrins.h> unsigned char data dis_digit; unsigned char code dis_code[]={ 0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};unsigned char data dis_buf[16];unsigned char data dis_index;char hour,min,sec,wang,year,mouth,day;unsigned char sec100;
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：fdmpy
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
<rt id="2iqyy"></rt>