1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using mo-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using mo-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling mode Exit .........................................................................................................................34
標(biāo)簽： DDR4
上傳時(shí)間： 2022-01-09
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5G移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)綜述.pdf陳 婧，韓遠(yuǎn)兵，徐 川 (重慶郵電大學(xué)未來(lái)網(wǎng)絡(luò)研究中心 重慶 400065) 摘 要: 為適應(yīng)未來(lái)海量移動(dòng)數(shù)據(jù)的爆炸式增長(zhǎng)，加快新業(yè)務(wù)新應(yīng)用的開(kāi)發(fā)，第五代移動(dòng)通信( fifth generation mo- bile communication network，5G) 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)運(yùn)而生。目前，國(guó)內(nèi)外已經(jīng)逐漸明確了 5G 的愿景和需求，如何將現(xiàn)有技術(shù)和 多種潛在的新技術(shù)進(jìn)行融合以實(shí)現(xiàn) 5G 網(wǎng)絡(luò)成為下一步的研究與發(fā)展重點(diǎn)。面向未來(lái) 5G 的技術(shù)發(fā)展，介紹 5G 的 概念、應(yīng)用場(chǎng)景以及終端用戶對(duì) 5G 的相關(guān)需求; 然后，重點(diǎn)闡述 5G 在無(wú)線網(wǎng)絡(luò)方面具有發(fā)展前景的 10 大關(guān)鍵技 術(shù)，包括: 超密集異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)、自組織網(wǎng)絡(luò)、D2D( device-to-device) 通信、M2M( machine-to-machine) 通信、軟件定義無(wú)線 網(wǎng)絡(luò)、
標(biāo)簽： 5G 移動(dòng)通信
上傳時(shí)間： 2022-02-25
上傳用戶：zhaiyawei
PSoC 4是真正的可編程嵌入式片上系統(tǒng)，在同一芯片中集成了自定義的模擬和數(shù)字外設(shè)功能、存儲(chǔ)器以及ARM Cortex-mo微控制器這樣的系統(tǒng)和大部分混合信號(hào)嵌入式系統(tǒng)不完全一樣，它們使用了一個(gè)微控制器單元（MCU）和外部模擬和數(shù)字外設(shè)的組合。除MCU外，通常它還需要多個(gè)集成電路，如運(yùn)算放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）和應(yīng)用特定的集成電路（ASIC）PSoC 4提供了一個(gè)低成本的備用方案-批量生產(chǎn)中一般低于一美元一該方案可以替代一般的MCU加外部集成電路（IC）的組合方案。它的可編程模擬和數(shù)字子系統(tǒng)不僅可以降低整個(gè)系統(tǒng)成本，而且還支持極為靈活地調(diào)整設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品快速上市。PSoC 4的一流的功耗性能可以在仍保持SRAM數(shù)據(jù)、可編程邏輯以及響應(yīng)中斷喚醒的前提下僅消耗低達(dá)150 nA的電流。在非數(shù)據(jù)保持的電源模式，PSoC 4僅消耗20 nA的電流。PSoC 4中的電容式觸摸感應(yīng)特性，稱為CapSense"，能提供前所未有的信噪比、一流的防水性能以及支持各種類型的傳感器，如按鍵、滑條、觸控板和接近傳感器。除PSoC4外，賽普拉斯PSoC系列還包括PSoC 1，PSoC 3和PSoC 5LP.這些器件提供了不同的架構(gòu)和外設(shè)，更多有關(guān)的信息，請(qǐng)參見(jiàn)賽普拉斯平臺(tái)PSoC解決方案的路線圖PSoC 4系列的比較PSoC4包括下面三個(gè)器件系列：CYBC4000，CY8C4100以及CY8C4200，表1顯示的是這些器件具有的特性。PSoC 4的功能集PSoC 4具有一個(gè)很大的功能集，包括：一個(gè)CPU和存儲(chǔ)器子系統(tǒng)、一個(gè)數(shù)字子系統(tǒng)、一個(gè)模擬子系統(tǒng)以及全部系統(tǒng)資源，如圖1所示。下面各節(jié)對(duì)每個(gè)特性進(jìn)行了簡(jiǎn)要說(shuō)明，更多有關(guān)信息，請(qǐng)查看PSoC 4的參考資源一節(jié)中所列出的PSoC 4系列器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)、技術(shù)參考手冊(cè)（TRM）以及應(yīng)用筆記.圖1顯示的是CY8C4200器件系列的各項(xiàng)特性。對(duì)于其他器件系列具備的這些特性的子集，請(qǐng)參考第2頁(yè)上的表1.
標(biāo)簽： psoc4
上傳時(shí)間： 2022-05-29
上傳用戶：trh505
一、引言自1956年IBM推出第一臺(tái)硬盤驅(qū)動(dòng)器IBM RAMAC 350至今已有四十多年了，其間雖沒(méi)有CPU那種令人眼花繚亂的高速發(fā)展與技術(shù)飛躍，但我們也確實(shí)看到，在這幾十年里，硬盤驅(qū)動(dòng)器從控制技術(shù)、接口標(biāo)準(zhǔn)、機(jī)械結(jié)構(gòu)等方面都進(jìn)行了一系列改進(jìn)。正是這一系列技術(shù)上的研究與突破，使我們今天終于用上了容量更大、體積更小、速度更快、性能更可靠、價(jià)格更便宜的硬盤。如今，雖然號(hào)稱新一代驅(qū)動(dòng)器的JAZ，DVD-ROM，DVD-RAM，CD-RW，mo，PD等紛紛登陸大容量驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)，但硬盤以其容量大、體積小、速度快、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，依然當(dāng)之無(wú)愧地成為桌面電腦最主要的外部存儲(chǔ)器，也是我們每一臺(tái)PC必不可少的配置之一。二、硬盤磁頭技術(shù)1、磁頭磁頭是硬盤中最昂貴的部件，也是硬盤技術(shù)中最重要和最關(guān)鍵的一環(huán)。傳統(tǒng)的磁頭是讀寫合一的電碗感應(yīng)式磁頭，但是，硬盤的讀、寫卻是兩種截然不同的操作，為此，這種二合一磁頭在設(shè)計(jì)時(shí)必須要同時(shí)兼顧到讀/兩種特性，從而造成了硬盤設(shè)計(jì)上的局限。而MR磁頭（Magnetoresistive heads），即磁阻磁頭，采用的是分離式的磁頭結(jié)構(gòu)：寫入磁頭仍采用傳統(tǒng)的磁感應(yīng)磁頭（MR磁頭不能進(jìn)行寫操作），讀取磁頭則采用新型的MR磁頭，即所謂的感應(yīng)寫、磁阻讀。這樣，在設(shè)計(jì)時(shí)就可以針對(duì)兩者的不同特性分別進(jìn)行優(yōu)化，以得到最好的讀/寫性能。另外，MR磁頭是通過(guò)阻值變化而不是電流變化去感應(yīng)信號(hào)幅度，因而對(duì)信號(hào)變化相當(dāng)敏感，讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性也相應(yīng)提高。而且由于讀取的信號(hào)幅度與磁道寬度無(wú)關(guān)，故磁道可以做得很窄，從而提高了盤片密度，達(dá)到200MB/英寸2，而使用傳統(tǒng)的磁頭只能達(dá)到20MB/英寸2，這也是MR磁頭被廣泛應(yīng)用的最主要原因。目前，MR磁頭已得到廣泛應(yīng)用，而采用多層結(jié)構(gòu)和磁阻效應(yīng)更好的材料制作的GMR磁頭（Giant Magnetoresistive heads）也逐漸普及。
標(biāo)簽： 硬盤 芯片維修
上傳時(shí)間： 2022-06-18
本書主要包括CAN控制器和單片機(jī)的接口技術(shù)、CAN總線在A/D采集控制板傳輸中的應(yīng)用、支持片上CANopen協(xié)議的LPC11Cxx系列微控制器（ARM Cortex-mo內(nèi)核）的CAN應(yīng)用設(shè)計(jì)及CAN總線在酒店客房智能化系統(tǒng)中的工程應(yīng)用。
標(biāo)簽： can總線 嵌入式
上傳時(shí)間： 2022-07-16
上傳用戶：canderile
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