IRF510是一個(gè)常用的mos管.他的主要應(yīng)用不是在其放大的方面.而是在其恒流方面,因此做為直流電流源的設(shè)計(jì)有很高的靈敏度
標(biāo)簽： IRF 510 mos 方面
上傳時(shí)間： 2014-07-03
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靜態(tài)RAM是由mos管組成的觸發(fā)器電路，每個(gè)觸發(fā)器可以存放1位信息。只要不掉電，所儲(chǔ)存的信息就不會(huì)丟失。因此，靜態(tài)RAM工作穩(wěn)定，不要外加刷新新電路，使用方便。但一般SRAM的每一個(gè)觸發(fā)器是由6個(gè)晶體管組成，SRAM芯片的集成度不會(huì)太高，目前較常用的有6116（2K×8位），6264（8K×8位）和62256（32K×8位）。6264RAM有8192個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)單元為8位字長(zhǎng)。
標(biāo)簽： RAM MOS 觸發(fā)器電路
上傳時(shí)間： 2016-10-21
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運(yùn)放設(shè)計(jì)的HSPICE源碼,包括mos管的長(zhǎng)寬等參數(shù)
標(biāo)簽： HSPICE MOS 運(yùn)放 源碼
上傳時(shí)間： 2017-04-08
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生成mos管結(jié)構(gòu)，進(jìn)行直流各種特性的仿真
標(biāo)簽： mos
上傳時(shí)間： 2017-09-19
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元器件樣本專輯 116冊(cè) 3.03G三極管,mos管 樣本 150M.rar
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上傳時(shí)間： 2014-05-05
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功率mos管的五種損壞模式詳解
上傳時(shí)間： 2021-10-20
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該文檔為基于mos管低頻功率放大器的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： mos 功率放大器
上傳時(shí)間： 2021-11-15
恩智浦智能車雙電機(jī)mos管驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)板+jlink ob.
標(biāo)簽： 智能車 電機(jī) mos jlink
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mos管驅(qū)動(dòng)板電路方案設(shè)計(jì)（電路圖）
標(biāo)簽： mos管 驅(qū)動(dòng) 電路
上傳時(shí)間： 2021-12-12
mos管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)以及低壓mos和高壓mos詳解以及mos驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)合，對(duì)于新手學(xué)習(xí)有很大的幫助，也是筆者在工作中學(xué)習(xí)的經(jīng)驗(yàn)，分享給大家，還希望大家多多支持！
標(biāo)簽： mos管 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2022-04-01
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