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mos管

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的mos管。全稱:positivechannelMetalOxideSemiconductor;別名:positiveMOS。
  • LDO線性穩壓器動態頻率補償電路設計

    摘要:對LDO線性穩壓器關鍵技術進行了分析,重點分析了LDO穩壓器的穩定性問題,在此基礎上提出了一種新型的動態頻率補償電路,利用mos管的開關電阻、寄生電容等構成的電阻電容網絡,通過采樣負載電流而改變MOS開關管的工作點或工作狀態,即改變開關電阻、寄生電容的值,從而實現動態的頻率補償。與傳統方法相比,該電路大大提高了系統的瞬態響應性能。 關鍵詞:LDo;穩定性;ESR;動態頻率補償

    標簽: LDO 線性穩壓器 動態 電路設計

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:gtf1207

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電(ESD,Electrostatic Discharge)給電子器件環境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展,互補金屬氧化物半導體(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不斷縮小,金屬氧化物半導體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄,MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小,因此要進一步優化電路的抗ESD 性能,需要從全芯片ESD 保護結構的設計來進行考慮。

    標簽: Construction Strategy ESD of

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:Aidane

  • TP4056移動電源IC

    DC/DC升壓IC ,LDO穩壓IC,鋰電池充電IC,恒流IC,LED驅動IC ,電壓檢測IC,降壓IC,AC-DC,mos管等電源管理芯片。

    標簽: 4056 TP 移動電源IC

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:448949

  • 基于AVR單片機的逆變并網裝置的設計

    摘要:本裝置主要以AVR單片機為核心,通過SG3 5 25芯片完成DC-DC穩壓電路,有單片機產生的SPWM波形完成DC-AC逆變并網。SPWM波形,經光耦將主電路與控制電路隔離后將信號由一個非門變為兩路互~bSPWM波形作為IR2110驅動芯片的輸入,兩個IR2110輸出控制逆變環節的mos管導通。使整個系統能夠穩定的工作規定范圍內,通過采樣環節,可以做到實時的調整。也可以通過采樣電流的信號對系統的過電流進行保護,設置了欠電壓工作點,通過這些環節,使系統在出現故障后能夠有良好的保護。

    標簽: AVR 單片機 逆變 并網

    上傳時間: 2013-11-07

    上傳用戶:cange111

  • SemiHow MOSFET選型手冊

    附件是Semihow MOS 管的選型手冊,Semihow 是一家韓國品牌,品質跟Fairchild(仙童)相同,但價格卻優于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友請聯系我,電話:021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351

    標簽: SemiHow MOSFET 選型手冊

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:ch3ch2oh

  • AN799 MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計

    mos管設計教程

    標簽: MOSFET 799 AN 驅動器

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:海陸空653

  • SM8013C電流模式的PWM離線式控制芯片

    鉦銘科SM8013C是一款電流模式的PWM離線式控制芯片,直接驅動外部高壓mos管。采用自適應多模式工作方式,根據負載情況,自動切換到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,滿足系統的低待機功耗(<0.3W,265V AC),高轉換效率的要求。內部集成多種保護功能,如過流保護、過載保護、VDD過壓保護和VDD欠壓保護等多種保護。封裝形式:DIP8、SOP8、SOT23-6

    標簽: 8013C 8013 PWM SM

    上傳時間: 2013-12-08

    上傳用戶:dyctj

  • SM8012芯片資料

    鉦銘科SM8012是一款電流模式的PWM離線式控制芯片,內置高壓開關mos管。采用自適應多模式工作方式,根據負載情況,自動切換到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,滿足系統的低待機功耗(<0.3W@265V AC),高轉換效率的要求。內部集成多種保護功能,如過流保護、過載保護、VDD過壓保護和VDD欠壓保護等多種保護。封裝形式:DIP8

    標簽: 8012 SM 芯片資料

    上傳時間: 2013-11-24

    上傳用戶:wwwe

  • 基于IR2101最大功率跟蹤逆變器的設計

    為解決直流逆變交流的問題,有效地利用能源,讓電源輸出最大功率,設計了高性能的基于IR2101最大功率跟蹤逆變器,并以SPMC75F2413A單片機作為主控制器。高電壓、高速功率的MOSFET或IGBT驅動器IR2101采用高度集成的電平轉換技術,同時上管采用外部自舉電容上電,能夠穩定高效地驅動mos管。該逆變器可以實現DC/AC的轉換,最大功率點的跟蹤等功能。實際測試結果表明,該逆變器系統具有跟蹤能力強,穩定性高,反應靈敏等特點,該逆變器不僅可應用于普通的電源逆變系統,而且可應用于光伏并網發電的逆變系統,具有廣泛的市場前景。 Abstract:  To solve the problem of DC-AC inverter, and to utilize solar energy more efficiently, the design of maximum power point tracking inverter based on IR2101 was achieved with a high-performance, which can make the system output power maximum. SPMC75F2413A was adopted as main controller. IR2101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. It adopted highly integrated voltage level transforming technology, and an external bootstrap capacitor was used, which could drive MOS tube efficiently and stably. Many functions are achieved in the system, such as DC/AC conversion, maximun power point tracking, etc. The actual test result shows that the inverter system has characteristics of strong tracking ability, high stability and reacting quickly. The design can not only be used in ordinary power inverter system, but also be used in photovoltaic power inverter system. The design has certain marketing prospects

    標簽: 2101 IR 最大功率跟蹤 逆變器

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:lliuhhui

  • 關于PCB封裝的資料收集整理.pdf

    關于PCB封裝的資料收集整理. 大的來說,元件有插裝和貼裝.零件封裝是指實際零件焊接到電路板時所指示的外觀和焊點的位置。是純粹的空間概念.因此不同的元件可共用同一零件封裝,同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻,有傳統的針插式,這種元件體積較大,電路板必須鉆孔才能安置元件,完成鉆孔后,插入元件,再過錫爐或噴錫(也可手焊),成本較高,較新的設計都是采用體積小的表面貼片式元件(SMD)這種元件不必鉆孔,用鋼膜將半熔狀錫膏倒入電路板,再把SMD 元件放上,即可焊接在電路板上了。晶體管是我們常用的的元件之一,在DEVICE。LIB庫中,簡簡單單的只有NPN與PNP之分,但實際上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5,而學用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,還有TO-5,TO-46,TO-52等等,千變萬化。還有一個就是電阻,在DEVICE 庫中,它也是簡單地把它們稱為RES1 和RES2,不管它是100Ω 還是470KΩ都一樣,對電路板而言,它與歐姆數根本不相關,完全是按該電阻的功率數來決定的我們選用的1/4W 和甚至1/2W 的電阻,都可以用AXIAL0.3 元件封裝,而功率數大一點的話,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。現將常用的元件封裝整理如下:電阻類及無極性雙端元件:AXIAL0.3-AXIAL1.0無極性電容:RAD0.1-RAD0.4有極性電容:RB.2/.4-RB.5/1.0二極管:DIODE0.4及DIODE0.7石英晶體振蕩器:XTAL1晶體管、FET、UJT:TO-xxx(TO-3,TO-5)可變電阻(POT1、POT2):VR1-VR5這些常用的元件封裝,大家最好能把它背下來,這些元件封裝,大家可以把它拆分成兩部分來記如電阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3,AXIAL 翻譯成中文就是軸狀的,0.3 則是該電阻在印刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil(因為在電機領域里,是以英制單位為主的。同樣的,對于無極性的電容,RAD0.1-RAD0.4也是一樣;對有極性的電容如電解電容,其封裝為RB.2/.4,RB.3/.6 等,其中“.2”為焊盤間距,“.4”為電容圓筒的外徑。對于晶體管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶體管,就用TO—3,中功率的晶體管,如果是扁平的,就用TO-220,如果是金屬殼的,就用TO-66,小功率的晶體管,就用TO-5,TO-46,TO-92A等都可以,反正它的管腳也長,彎一下也可以。對于常用的集成IC電路,有DIPxx,就是雙列直插的元件封裝,DIP8就是雙排,每排有4個引腳,兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是100mil。SIPxx 就是單排的封裝。等等。值得我們注意的是晶體管與可變電阻,它們的包裝才是最令人頭痛的,同樣的包裝,其管腳可不一定一樣。例如,對于TO-92B之類的包裝,通常是1 腳為E(發射極),而2 腳有可能是B 極(基極),也可能是C(集電極);同樣的,3腳有可能是C,也有可能是B,具體是那個,只有拿到了元件才能確定。因此,電路軟件不敢硬性定義焊盤名稱(管腳名稱),同樣的,場效應管,MOS 管也可以用跟晶體管一樣的封裝,它可以通用于三個引腳的元件。Q1-B,在PCB 里,加載這種網絡表的時候,就會找不到節點(對不上)。在可變電阻

    標簽: PCB 封裝

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:daguogai

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