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mosfet開關(guān)(guān)

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 關(guān)于MOSFET應(yīng)用時的散熱設(shè)計方法

    關(guān)于MOSFET應(yīng)用時的熱設(shè)計方法。

    標(biāo)簽: MOSFET 散熱 設(shè)計方法

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:shen954166632

  • BJT與MOSFET的開關(guān)應(yīng)用

      本文是關(guān)于電路中的 BJT 與 MOSFET開關(guān)應(yīng)用的討論。   前段時間,一同學(xué)跟我說,他用單片機做了一個簡單的 LED 臺燈,用 PWM的方式控制燈的亮度,但是發(fā)現(xiàn) BJT 總是很燙。他給我的電路圖如圖一,我問他3V 時 LED 的發(fā)光電流是多大,他說大概十幾到二十 mA,我又問他電阻多大,他說 10KΩ。于是我笑笑說你把電阻小一點就好了。他回去一試,說用了個 1KΩ的電阻,就沒有任何問題了。   我很失望他沒有問我為什么要這么做,這可能是大多數(shù)電子愛好初學(xué)者存在的問題,他們的動手能力很強,但是并不注重基本的理論知識。他們大多數(shù)情況下都是“依葫蘆畫瓢”,借用現(xiàn)成的電路使用,就連參數(shù)和器件型號的選擇都疏于考慮。

    標(biāo)簽: MOSFET BJT 開關(guān)應(yīng)用

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:ZJX5201314

  • 采用歸零法的N進制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 歸零法 N進制計數(shù)器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • 功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案

    分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計要求;設(shè)計了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單,實用性強,響應(yīng)速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅(qū)動電路中的實際應(yīng)用證明,該電路驅(qū)動能力及保護功能效果良好。

    標(biāo)簽: MOSFET 功率 驅(qū)動保護電路 方案

    上傳時間: 2014-01-25

    上傳用戶:hz07104032

  • 功率MOSFET的開通和關(guān)斷原理

    開通過程[ t0 ~ t4 ]: -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài),t0 時,MOSFET 被驅(qū)動開通; -- [t0-t1]區(qū)間,MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升,在t1 時刻,到達維持電壓Vth,MOSFET 開始導(dǎo)電;

    標(biāo)簽: MOSFET 功率 關(guān)斷

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:ks201314

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 實際應(yīng)用條件下Power+MOSFET開關(guān)特性研究

    摘要:從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā),對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進行了較深入分析。從實際應(yīng)用的角度,對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進行了研究,提出了有關(guān)參數(shù)的計算方法,并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進行了實驗研究,所得出的結(jié)論對于功率MOSFET的正確運用和設(shè)計合理的MoSFET驅(qū)動電路具有指導(dǎo)意義.

    標(biāo)簽: MOSFET Power 實際應(yīng)用 條件下

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:wfeel

  • 高頻功率MOSFET驅(qū)動電路及并聯(lián)特性研究

    本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性,然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求,對驅(qū)動電路進行了參數(shù)計算并且選擇應(yīng)用了實用可靠的驅(qū)動電路。此外,對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。

    標(biāo)簽: MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動電路

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:lijinchuan

  • 功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用

    從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時電壓和電流不均衡的原因,并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細的分析,并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。

    標(biāo)簽: MOSFET 功率 并聯(lián)

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:xiaohanhaowei

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