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關(guān)于MOSFET應(yīng)用時的熱設(shè)計(jì)方法。
標(biāo)簽： MOSFET 散熱 設(shè)計(jì)方法
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：shen954166632
本文是關(guān)于電路中的 BJT 與 MOSFET開關(guān)應(yīng)用的討論。 前段時間，一同學(xué)跟我說，他用單片機(jī)做了一個簡單的 LED 臺燈，用 PWM的方式控制燈的亮度，但是發(fā)現(xiàn) BJT 總是很燙。他給我的電路圖如圖一，我問他3V 時 LED 的發(fā)光電流是多大，他說大概十幾到二十 mA，我又問他電阻多大，他說 10KΩ。于是我笑笑說你把電阻小一點(diǎn)就好了。他回去一試，說用了個 1KΩ的電阻，就沒有任何問題了。 我很失望他沒有問我為什么要這么做，這可能是大多數(shù)電子愛好初學(xué)者存在的問題，他們的動手能力很強(qiáng)，但是并不注重基本的理論知識。他們大多數(shù)情況下都是“依葫蘆畫瓢”，借用現(xiàn)成的電路使用，就連參數(shù)和器件型號的選擇都疏于考慮。
標(biāo)簽： MOSFET BJT 開關(guān)應(yīng)用
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：ZJX5201314
分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵磁線圈驅(qū)動電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動能力及保護(hù)功能效果良好。
標(biāo)簽： MOSFET 功率 驅(qū)動保護(hù)電路 方案
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：hz07104032
開通過程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通； -- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，在t1 時刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電；
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：ks201314
摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進(jìn)行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法，并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，所得出的結(jié)論對于功率MOSFET的正確運(yùn)用和設(shè)計(jì)合理的MoSFET驅(qū)動電路具有指導(dǎo)意義．
標(biāo)簽： MOSFET Power 實(shí)際應(yīng)用 條件下
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：wfeel
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：lijinchuan
從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：xiaohanhaowei
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
功率MOSFET的驅(qū)動電路和保護(hù)技術(shù)
標(biāo)簽： MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wutong
深入理解理解功率MOSFET的RDSON
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：zjwangyichao
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