這是SEMIKRON公司的IGBT數據手冊，三電平，電流等級100A
上傳時間： 2017-08-17
上傳用戶：lihaooliver
針對常用的CT和PT互感器給出了推薦了后端運放處理電路
上傳時間： 2017-12-01
上傳用戶：yjcxqw1985
FD2501 是一個高電壓、高速柵極驅動器，能夠驅動N型功率MOSFET和IGBT。內置欠壓保護功能，防止功率管在過的電壓下工作。
標簽： Datasheet_V 20150818 HVIC-DS 2501 001 1.2 FD 發布
上傳時間： 2019-01-29
上傳用戶：風梭@6
該參考設計使用隔離的IGBT柵極驅動器和隔離的電流/電壓傳感器實現了增強的隔離式三相逆變器子系統。所使用的UCC23513柵極驅動器具有6引腳寬體封裝，帶有光學LED模擬輸入，因此可以用作現有光電隔離柵極驅動器的引腳到引腳替換。該設計表明，可以使用用于驅動光隔離柵極驅動器的所有現有配置來驅動UCC23513輸入級。使用AMC1300B隔離放大器和直流母線電壓進行基于同相分流電阻器的電機電流檢測，使用AMC1311隔離放大器進行IGBT模塊溫度檢測。該設計使用C2000?LaunchPad?進行逆變器控制。 特征 三相逆變器功率級，適用于200-480 VAC供電的驅動器，額定輸出電流高達14 Arms 具有光電模擬輸入和6引腳寬體封裝的增強型隔離式柵極驅動器，可用作光電隔離式柵極驅動器的引腳到引腳替換 柵極驅動器具有高達125°C的寬工作環境溫度，低參數變化，高CMTI和1500 Vdc的額定工作隔離電壓，從而提高了系統的魯棒性 基于增強的隔離式同相分流電阻器的所有三相電流檢測高達25 Apk，過流保護響應<5μs 使用集成放大器的IGBT模塊內部集成的NTC，增強型隔離式DC鏈路電壓感應高達800 V，溫度感應高達120°C 使用C2000 LaunchPad進行逆變器控制
上傳時間： 2020-09-15
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本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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本書介紹了功率半導體器件的原理、 結構、 特性和可靠性技術， 器件部分涵蓋了當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件， 包括二極管、 晶閘管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 還包含了制造工藝、 測試技術和損壞機理分析。 就其內容的全面性和結構的完整性來說， 在同類專業書籍中是不多見的。本書內容新穎， 緊跟時代發展， 除了介紹經典的功率二極管、 晶閘管外， 還重點介紹了MOSFET、 IGBT 等現代功率器件， 頗為難得的是收入了近年來有關功率半導體器件的最新的成果。 本書是一本精心編著， 并根據作者多年教學經驗和工程實踐不斷補充更新的好書， 相信它的翻譯出版， 必將有助于我國電力電子事業的發展。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2021-11-07
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ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。關于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關損耗降低了35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以4引腳封裝為重點介紹一下該產品。首先，請您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCMOSFET的開關損耗。包括SiCMOSFET在內的電源開關用MOSFET和IGBT，被作為開關元件廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關元件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個引腳之外，另外設置了驅動器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結構，實現更低的導通電阻和傳導損耗；通過采用4引腳封裝，進一步發揮出SiC本身具有的高速開關性能，并降低開關損耗。那么，我想詳細了解一下剛剛您的概述中出現的幾個要點。首先，什么是“驅動器源極引腳”？驅動器源極引腳是應用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的4個引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接柵極驅動電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨立，來消除ID對柵極驅動電路的影響。
上傳時間： 2021-11-07
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，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業自動化場合，功率電子器件已越來越多地使用MOSFET和IGBT，特別是IGBT獲得了更多的使用，開始全面取代可控硅來做為新型的功率控制器件
標簽： 開關電源
上傳時間： 2021-11-24
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高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達100V內建死區控制電路自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時導通采用半橋達林頓管輸出結構具有1A 大電流柵極驅動能力 專用于無刷電機N 溝道MOS 管、IGBT 管柵極驅動HIN 輸入通道高電平有效，控制高端HO 輸出LIN 輸入通道低電平有效，控制低端LO 輸出外圍器件少靜態電流小：4.5mA 封裝形式：SOP-8
標簽： mos
上傳時間： 2022-01-02
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電阻類3D封裝表貼插裝電阻可調電阻功率電阻封裝庫AD庫PCB庫共100個（ALTIUM 3D封裝庫），列表如下：Component Count : 100Component Name-----------------------------------------------FLQ-0R03FLQ-40A-75mVFLQ-50-3FLQ-50AFLQ-60A-75mVFLQ-OAR5R005FLFFUSE-1210FUSE-1808FUSE-2920IGBT-BSM200GB60DLCIGBT-FF200R12KT4R0.5WR0.25wR1/1-HR1/2-HR1/2-VR1/4-HR1/4-VR1/8R1/16R1W -LR1W-WR2W-LR2W-WR2W-W-1R3W-HR3W-VR608XAR0402R0402SR0603R0805R1206R1210R1808R1812R2010R2512RD20D561KRES ADJ1RES ADJ2RES ADJ3RES-3224WRES-3296PRES-3296WRES-3296XRES-POT-TRRES-POT4MM-2RES-pot3306FRES-RK16312RES-RP8RES-RP9RES-RT-PJ-3314JRES-RV3224WRES-RV3296PRES-RV3296WRES-RV3296XRES-RV3386RES-VR-3RES-VR1RES-VR2RES-VR3RES-VR4RES-VR5RES-VR6RES-VR3296PRES-VR3296WRES-VR3296XRES-VR3306RES-VR3362PRES-VR3362WRES-VR3386RGG-5W-VRGG-5W-WRGG-5W-W-2RGG-10W-WRGG-10W-W -2RGG-20W-Wrgg-R3W-WRGG-R5W-TRGG-R5W-Vrgg-R5W2-wRX21-8WRX27-1VRX27-5W-LRX27-5W-WRX27-7WTVR-5DTVR-7DTVR-10DTVR-14DTVR-14D-NTCTVR-20DTVR-RD15TVR-RD20TVR-RV0.6TVR-RV7DTVR-RV8D-20TVR-RV14DTVR-RV20D
上傳時間： 2022-01-06
上傳用戶：wangshoupeng199
