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升壓型電源管理電路內(nèi)部ldo設(shè)計(jì)

文章首先闡述了整個(gè)方案的工作原理，給出LDO設(shè)計(jì)的指標(biāo)要求；其次，依據(jù)系統(tǒng)方案的指標(biāo)要求和制造1藝約束，實(shí)現(xiàn)包含誤差放大器、基準(zhǔn)源和保護(hù)電路等了模塊在內(nèi)的電壓調(diào)整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅(qū)動(dòng)100pF數(shù)量級(jí)的大電容負(fù)載"的問(wèn)題；最后，給出整個(gè)模塊總體電路的仿真驗(yàn)證結(jié)果。LDO的架構(gòu)分析和設(shè)計(jì)以及基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)是本文的核心內(nèi)容。在LDO架構(gòu)設(shè)計(jì)部分，文章基于對(duì)三種不同LDO拓?fù)涞姆治觯x擇并實(shí)現(xiàn)了含緩沖器級(jí)的LDO./設(shè)計(jì)中通過(guò)改進(jìn)反饋網(wǎng)絡(luò)，采用反饋電容，實(shí)現(xiàn)對(duì)LDO的環(huán)路補(bǔ)償。同時(shí)，為提高誤差放大器驅(qū)動(dòng)功率管的能力、適應(yīng)LDO低功耗發(fā)展的需求，文章探討了如何使用放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的問(wèn)題，基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過(guò)研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compersation）結(jié)構(gòu)，實(shí)踐了兩級(jí)放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的方案，并把MPC補(bǔ)償技術(shù)推廣到三級(jí)放大器的設(shè)計(jì)中。文章設(shè)計(jì)的CRF（CRF：Current Re ference controlled by Feedback）電流基準(zhǔn)是基于對(duì)傳統(tǒng)自啟動(dòng)基準(zhǔn)電流源的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)的。CRF基準(zhǔn)電流源架構(gòu)中存在一條阻性的電流道路，確保其在加載電源電壓的過(guò)程中能夠?qū)崿F(xiàn)快速啟動(dòng)，響應(yīng)速度達(dá)到1ps：而傳統(tǒng)自啟動(dòng)基準(zhǔn)電流源在相同的設(shè)計(jì)參數(shù)下，響應(yīng)速度長(zhǎng)達(dá)120us.CRF基準(zhǔn)電流源突破了響應(yīng)速度對(duì)其應(yīng)用的限制。

標(biāo)簽： 電源管理 LDO

上傳時(shí)間： 2022-06-23

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GB-T 18655-2018 車(chē)輛、船和內(nèi)燃機(jī) 無(wú)線電騷擾特性用于保護(hù)車(chē)載接收機(jī)的限值和測(cè)量方法

1、汽車(chē)電子類(lèi)EMC標(biāo)準(zhǔn)要求。全面說(shuō)明了RE、CE方面的限值要求及測(cè)試方法。方便在項(xiàng)目開(kāi)發(fā)前做好評(píng)估準(zhǔn)備。2、最新版國(guó)標(biāo)。文檔為最新版本說(shuō)明。節(jié)約不必要的時(shí)間成本。3、高清PDF文檔。免去各種掃描版無(wú)法查找定位的問(wèn)題。提高可閱讀性及可查找性。4、非加密文檔。非加密文件，可以放心打印。不用反復(fù)查找破解軟件，省心省力。5、本標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)應(yīng)CISPR:25-2016最新版本。6、下載要求不高。我只需要賺一點(diǎn)點(diǎn)積分，用于下載其他自己需求的標(biāo)準(zhǔn)資料。互通有無(wú)

標(biāo)簽： 無(wú)線電

上傳時(shí)間： 2022-06-26

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EMI測(cè)試及相關(guān)資料

一、簡(jiǎn)介目前，涉及到EMI測(cè)試的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，主要為：歐規(guī)（EN55022），美規(guī)（FCC）相關(guān)名詞：非故意輻射（Unintentional）：產(chǎn)品產(chǎn)生不想要的電磁波輻射，造成干擾；如：電腦，LCD Monitor，DVD，電視，投影機(jī)等；故意輻射（intentional）：使用無(wú)線電波進(jìn)行通信；FCC只測(cè)試EMl：RE（輻射干擾）：測(cè)試頻率范圍30MHZ~1GHZ；CE（電源干擾）：測(cè)試頻率范圍150KHZ~30MHZ；主要的EMI測(cè)試參考標(biāo)準(zhǔn)：歐盟：EN55022（EMI參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）；EN55024（EMS參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）；美國(guó)：FCC Part 15B（EMI參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）；臺(tái)灣：CNS13438（EMl參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）二、測(cè)試EMI 測(cè)試定義：測(cè)試待測(cè)物EUT產(chǎn)生的輻射干擾強(qiáng)度，分為RE測(cè)試和CE測(cè)試兩種。1）、RE測(cè)試：量測(cè)EUT產(chǎn)生的輻射干擾，其測(cè)試頻率范圍：30MHZ~1GHZ。測(cè)試方法：參考相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)EN55022或者其他測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)；測(cè)試距離及場(chǎng)合：10米量測(cè)，在開(kāi)放式場(chǎng)合；測(cè)試方式：量測(cè)EUT產(chǎn)生的電磁波輻射（30MHZ~1GHZ）.2）、CE測(cè)試：量測(cè)EUT產(chǎn)生的傳導(dǎo)輻射干擾，其測(cè)試頻率范圍：150K~30MHZ.測(cè)試方法：參考相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)EN55022或者其他測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)；

標(biāo)簽： emi測(cè)試

上傳時(shí)間： 2022-07-24

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STM32F1XXX系列、STM32F4XXX系列核心板資料合集

STM32F4XXX系列核心板資料: YD00-參考資料 YD01-ST32F401RBT6核心板資料 YD02-STM32F407ZGT6mini核心板資料 YD03-STM32F407VET6核心板資料 YD04-STM32F429核心板資料配送資料 STM32F1XXX系列核心板資料: YD01-STM32F103C8T6核心板資料 YD010-STM32F103ZET6mini核心板資料 YD02-STM32F103RBT6核心板資料 YD03-STM32F103RB(RC)T6mini核心板資料 YD04-STM32F103RC(RE)T6核心板資料 YD05-STM32F103VE(VC)T6核心板資料 YD06-STM32F103VE(VC)T6mini核心板資料 YD07-STM32F103ZET6核心板資料 YD08-STM32F103ZE（ISP屏）核心板資料入庫(kù)資料配送資料 …………

標(biāo)簽： Visual 游戲程序光盤(pán)

上傳時(shí)間： 2013-07-15

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