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sRAM

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(StaticRandom-AccessMemory,sRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而,當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí),sRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失(被稱為volatilememory),這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
  • 一款基于sRAM的FPGA器件設(shè)計(jì)

    FPGA是一種可通過用戶編程來實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字電路的集成電路器件。用FPGA設(shè)計(jì)數(shù)字系統(tǒng)有設(shè)計(jì)靈活、低成本,低風(fēng)險(xiǎn)、面市時(shí)間短等好處。本課題在結(jié)合國際上FPGA器件方面的各種研究成果基礎(chǔ)上,對(duì)FPGA器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入的探討,重點(diǎn)對(duì)FPGA的互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析與優(yōu)化。FPGA器件速度和面積上相對(duì)于ASIC電路的不足很大程度上是由可編程布線結(jié)構(gòu)造成的,F(xiàn)PGA一般用大量的可編程傳輸管開關(guān)和通用互連線段實(shí)現(xiàn)門器件的連接,而全定制電路中僅用簡單的金屬線實(shí)現(xiàn),傳輸管開關(guān)帶來很大的電阻和電容參數(shù),因而速度要慢于后者。這也說明,通過優(yōu)化可編程連接方式和布線結(jié)構(gòu),可大大改善電路的性能。本文研究了基于sRAM編程技術(shù)的FPGA器件中邏輯模塊、互連資源等對(duì)FPGA性能和面積的影響。論文中在介紹FPGA器件的體系構(gòu)架后,首先對(duì)開關(guān)矩陣進(jìn)行了研究,結(jié)合Wilton開關(guān)矩陣和Disioint開關(guān)矩陣的特點(diǎn),得到一個(gè)連接更加靈活的開關(guān)矩陣,提高了FPGA器件的可布線性,接著本課題中又對(duì)通用互連線長度、通用互連線間的連接方式和布線通道的寬度等進(jìn)行了探討,并針對(duì)本課題中的FPGA器件,得出了一套適合于中小規(guī)模邏輯器件的通用互連資源結(jié)構(gòu),仿真顯示新的互連方案有較好的速度和面積性能,在互連資源的面積和性能上達(dá)到一個(gè)很好的折中。 接下來課題中對(duì)FPGA電路的可編程邏輯資源進(jìn)行了研究,得到了一種邏輯規(guī)模適中的粗粒度邏輯塊簇,該邏輯塊簇采用類似Xilinx 公司的FPGA產(chǎn)品的LUT加觸發(fā)器結(jié)構(gòu),使邏輯塊簇內(nèi)部基本邏輯單元的聯(lián)系更加緊密,提高了邏輯資源的功能和利用率。隨后我們還研究了IO模塊數(shù)目的確定和分布式sRAM結(jié)構(gòu)中編程電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),并簡單介紹了sRAM單元的晶體管級(jí)設(shè)計(jì)原理。最后,在對(duì)FPGA構(gòu)架研究基礎(chǔ)上,完成了一款FPGA電路的設(shè)計(jì)并設(shè)計(jì)了相應(yīng)的電路測試方案,該課題結(jié)合CETC58研究所的一個(gè)重要項(xiàng)目進(jìn)行,目前已成功通過CSMC0.6μm 2P2M工藝成功流片,測試結(jié)果顯示其完全達(dá)到了預(yù)期的性能。

    標(biāo)簽: sRAM FPGA 器件設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 基于Verilog的sRAM讀寫控制

    基于Verilog hdl語言的sRAM讀寫控制

    標(biāo)簽: Verilog sRAM 讀寫 控制

    上傳時(shí)間: 2013-06-07

    上傳用戶:hoperingcong

  • Altera cyclone ep1c6對(duì)sRAM idt71系列的讀寫時(shí)序控制

    Altera cyclone ep1c6對(duì)sRAM idt71系列的讀寫時(shí)序控制

    標(biāo)簽: cyclone Altera ep1c6 sRAM

    上傳時(shí)間: 2013-08-16

    上傳用戶:13681659100

  • FPGA系統(tǒng)的sRAM的軟仿真設(shè)計(jì)

    FPGA系統(tǒng)的sRAM的軟仿真設(shè)計(jì),可以實(shí)現(xiàn)按位寫,按位讀。

    標(biāo)簽: FPGA sRAM 仿真設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-08-23

    上傳用戶:wsq921779565

  • FPGA向sRAM中寫入數(shù)據(jù)

    FPGA向sRAM中寫入數(shù)據(jù),VHDL編程

    標(biāo)簽: FPGA sRAM 數(shù)據(jù)

    上傳時(shí)間: 2013-08-28

    上傳用戶:zhliu007

  • FPGA將從CY7C68013讀到的數(shù)寫入sRAM

    FPGA將從CY7C68013讀到的數(shù)寫入sRAM

    標(biāo)簽: C68013 68013 FPGA sRAM

    上傳時(shí)間: 2013-08-29

    上傳用戶:lijianyu172

  • FPGA讀sRAM中的數(shù)再傳給CY7C68013

    FPGA讀sRAM中的數(shù)再傳給CY7C68013

    標(biāo)簽: C68013 68013 FPGA sRAM

    上傳時(shí)間: 2013-08-30

    上傳用戶:15070202241

  • Stellaris(群星)單片機(jī)加上32KB串行sRAM(英

    Stellaris(群星)單片機(jī)加上32KB串行sRAM(英) INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN CONNECTION WITH LUMINARY MICRO PRODUCTS. NO LICENSE,EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IS GRANTED BY THISDOCUMENT. EXCEPT AS PROVIDED IN LUMINARY MICRO’S TERMS AND CONDITIONS OF SALE FOR SUCH PRODUCTS,LUMINARY MICRO ASSUMES NO LIABILITY WHATSOEVER, AND LUMINARY MICRO DISCLAIMS ANY EXPRESS OR IMPLIEDWARRANTY, RELATING TO SALE AND/OR USE OF LUMINARY MICRO’S PRODUCTS INCLUDING LIABILITY OR WARRANTIESRELATING TO FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE, MERCHANTABILITY, OR INFRINGEMENT OF ANY PATENT, COPYRIGHTOR OTHER INTELLECTUAL PROPERTY RIGHT. LUMINARY MICRO’S PRODUCTS ARE NOT INTENDED FOR USE IN MEDICAL,LIFE SAVING, OR LIFE-SUSTAINING APPLICATIONS.

    標(biāo)簽: Stellaris sRAM 32 KB

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:lixqiang

  • Adding 32 KB of Serial sRAM to

    Although Stellaris microcontrollers have generous internal sRAM capabilities, certain applicationsmay have data storage requirements that exceed the 8 KB limit of the Stellaris LM3S8xx seriesdevices. Since microcontrollers do not have an external parallel data-bus, serial memory optionsmust be considered. Until recently, the ubiquitous serial EEPROM/flash device was the only serialmemory solution. The major limitations of EEPROM and flash technology are slow write speed, slowerase times, and limited write/erase endurance.Recently, serial sRAM devices have become available as a solution for high-speed dataapplications. The N256S08xxHDA series of devices, from AMI Semiconductor, offer 32 K x 8 bits oflow-power data storage, a fast Serial Peripheral Interface (SPI) serial bus, and unlimited write cycles.The parts are available in 8-pin SOIC and compact TSSOP packages.

    標(biāo)簽: Adding Serial sRAM 32

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:cxl274287265

  • ZBT sRAM控制器參考設(shè)計(jì),xilinx提供VHDL代碼

    ZBT sRAM控制器參考設(shè)計(jì),xilinx提供VHDL代碼 Description:   Contains the following files     readme.txt appnote_zbtp.vhd appnote_zbtf.vhd appnote_zbt.ucf Platform:   All Installation/Use:   Use 'unzip' on the .zip file and 'gunzip' followed by 'tar -xvf' on the .tar.gz file.

    標(biāo)簽: xilinx sRAM VHDL ZBT

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

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