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sRAM

靜態(tài)隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，sRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，sRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

  • 基于sRAM的微控制器提供更優(yōu)的安全性

    無論是自動應答機、護照/身份驗證設備，或者是便利店內(nèi)的銷售點終端，都有一些重要信息，例如口令、個人身份識別號(PIN)、密鑰和專有加密算法等，需要特別保護以防失竊。金融服務領域采用了各種精細的策略和程序來保護硬件和軟件。因此，對于金融交易系統(tǒng)的設計者來講，在他設計一個每年要處理數(shù)十億美元業(yè)務的設備時，必將面臨嚴峻挑戰(zhàn)。為確保可信度，一個支付系統(tǒng)必須具有端到端的安全性。中央銀行的服務器通常放置在一個嚴格限制進入的建筑物內(nèi)，周圍具有嚴密的保護，但是遠端的支付終端位于公共場所，很容易遭受竊賊侵襲。盡管也可以將微控制器用保護外殼封閉起來，并附以防盜系統(tǒng)，一個有預謀的攻擊者仍然可以切斷電源后突破防盜系統(tǒng)。外殼可以被打開，如果將外殼與微控制器的入侵響應加密邊界相聯(lián)結，對于安全信息來講就增加了一道保護屏障。為了實現(xiàn)真正的安全性，支付系統(tǒng)應該將入侵響應技術建立在芯片內(nèi)部，并使用可以信賴的運算內(nèi)核。這樣，執(zhí)行運算的芯片在發(fā)生入侵事件時就可以迅速刪除密鑰、程序和數(shù)據(jù)存儲器，實現(xiàn)對加密邊界的保護1。安全微控制器最有效的防護措施就是，在發(fā)現(xiàn)入侵時迅速擦除存儲器內(nèi)容。DS5250安全型高速微控制器就是一個很好的典范，它不僅可以擦除存儲器內(nèi)容，而且還是一個帶有sRAM程序和數(shù)據(jù)存儲器的廉價的嵌入式系統(tǒng)。物理存儲器的信心保證多數(shù)嵌入式系統(tǒng)采用的是通用計算機，而這些計算機在設計時考慮更多的是靈活性和調(diào)試的便利性。這些優(yōu)點常常又會因引入安全缺口而成為其缺陷2。竊賊的首個攻擊點通常是微控制器的物理存儲器，因此，對于支付終端來講，采用最好的存儲技術尤其顯得重要。利用唾手可得的邏輯分析儀，例如Hewlett-Packard的HP16500B，很容易監(jiān)視到地址和數(shù)據(jù)總線上的電信號，它可能會暴露存儲器的內(nèi)容和私有數(shù)據(jù)，例如密鑰。防止這種竊聽手段最重要的兩個對策是，在存儲器總線上采用強有力的加密措施，以及選擇在沒有電源時也能迅速擦除的存儲技術。有些嵌入式系統(tǒng)試圖采用帶內(nèi)部浮置柵存儲器(例如EPROM或閃存)的微控制器來獲得安全性。最佳的存儲技術應該能夠擦除其內(nèi)容，防止泄密。但紫外可擦除的EPROM不能用電子手段去擦除，需要在紫外燈光下照射數(shù)分鐘才可擦除其內(nèi)容，這就增加了它的脆弱性。閃存或EEPROM要求處理器保持工作，并且電源電壓在規(guī)定的工作范圍之內(nèi)，方可成功完成擦除。浮置柵存儲技術對于安全性應用來講是很壞的選擇，當電源移走后，它們的狀態(tài)會無限期地保持，給竊賊以無限長的時間來找尋敏感數(shù)據(jù)。更好的辦法是采用象sRAM這樣的存儲技術，當電源被移走或入侵監(jiān)測電路被觸發(fā)時以下述動作之一響應：• 當電源被移走后存儲器復零。• 入侵監(jiān)測電路在數(shù)納秒內(nèi)擦除內(nèi)部存儲器和密鑰。• 外部存儲器在應用軟件的控制下以不足100ns的寫時間進行擦除。

    標簽： sRAM 微控制器 安全性

    上傳時間： 2013-11-14

    上傳用戶：dick_sh

  • ZBT sRAM控制器參考設計,xilinx提供VHDL代碼

    ZBT sRAM控制器參考設計,xilinx提供VHDL代碼 Description:   Contains the following files     readme.txt appnote_zbtp.vhd appnote_zbtf.vhd appnote_zbt.ucf Platform:   All Installation/Use:   Use 'unzip' on the .zip file and 'gunzip' followed by 'tar -xvf' on the .tar.gz file.

    標簽： xilinx sRAM VHDL ZBT

    上傳時間： 2013-10-25

    上傳用戶：peterli123456

  • 基于sRAM的可重配置電路

    基于sRAM的可重配置電路

    標簽： sRAM 可重配置 電路

    上傳時間： 2015-01-23

    上傳用戶：rocketrevenge

  • 用verilog HDL寫的操作sRAM的源碼

    用verilog HDL寫的操作sRAM的源碼

    標簽： verilog sRAM HDL 操作

    上傳時間： 2015-02-07

    上傳用戶：sy_jiadeyi

  • 外部sRAM與C8051F000接口 Copyright (C) 2000 CYGNAL INTEGRATED PRODUCTS, INC. All rights reserved. FILE N

    外部sRAM與C8051F000接口 Copyright (C) 2000 CYGNAL INTEGRATED PRODUCTS, INC. All rights reserved. FILE NAME : sRAM.ASM TARGET MCU : C8051F000 DESCRIPTION : External sRAM read/write verification routine for IDT 71V124SA.

    標簽： INTEGRATED C8051F000 Copyright PRODUCTS

    上傳時間： 2014-11-29

    上傳用戶：leehom61

  • 新型增強型的SST 51單片機的開發(fā)工具和資料,包括在線仿真功能,在線編程下載功能,內(nèi)部FLASH和sRAM的讀寫源程序,是51單片機開發(fā)工程師的第4代開發(fā)利器.

    新型增強型的SST 51單片機的開發(fā)工具和資料,包括在線仿真功能,在線編程下載功能,內(nèi)部FLASH和sRAM的讀寫源程序,是51單片機開發(fā)工程師的第4代開發(fā)利器.

    標簽： FLASH sRAM SST 51單片機

    上傳時間： 2013-12-10

    上傳用戶：ddddddos

  • 本程序用于測試實時時鐘模塊SD2000的sRAM存儲器D/E系列

    本程序用于測試實時時鐘模塊SD2000的sRAM存儲器D/E系列， 程序功能如下： 1. 關閉/INT1及/INT2的中斷輸出 2. 初始化時間(寫時間數(shù)據(jù)) 3. 在BREAKPOINT1設斷點時,依次讀時間-寫sRAM數(shù)據(jù)-讀sRAM數(shù)據(jù)循環(huán) 4. 全速執(zhí)行時,LED四位分別顯示小時和分鐘的值

    標簽： 2000 sRAM SD 程序

    上傳時間： 2013-12-19

    上傳用戶：ukuk

  • CPU:arm S3C44b0 LCD驅(qū)動程序 MONO GREY COLOR 包括BOOT LOADER 移植注意FLASH 和sRAM 所在區(qū)域

    CPU:arm S3C44b0 LCD驅(qū)動程序 MONO GREY COLOR 包括BOOT LOADER 移植注意FLASH 和sRAM 所在區(qū)域

    標簽： S3C44b0 LOADER COLOR FLASH

    上傳時間： 2015-04-02

    上傳用戶：himbly

  • ZBT sRAM控制器參考設計

    ZBT sRAM控制器參考設計，xilinx提供，（ZBT sRAM是一種高速同步sRAM）

    標簽： sRAM ZBT 控制器 參考設計

    上傳時間： 2015-04-14

    上傳用戶：鳳臨西北

  • ZBT sRAM控制器參考設計

    ZBT sRAM控制器參考設計，xilinx提供的VHDL源代碼

    標簽： sRAM ZBT 控制器 參考設計

    上傳時間： 2013-12-14

    上傳用戶：sjyy1001

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