線性卷積和線性相關的FFT算法:一 實驗目的 1:掌握FFT基2時間(或基2頻率)抽選法,理解其提高減少乘法運算次數(shù)提高運算速度的原理。 2:掌握FFT圓周卷積實現(xiàn)線性卷積的原理 二 實驗內容及要求 1.對N=2048或4096點的離散時間信號x(n),試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計算N個頻率樣值X(k), 比較兩者所用時間的大小。 2.對N/2點長的x(n)和N/2點長的h(n),試用Matlab語言編程實現(xiàn)以圓周卷積代替線性卷積,并比較圓周卷積法和直接計算線性卷積兩者的運算速度。 三預做實驗 1.FFT與DFT計算時間的比較 (1)FFT提高運算速度的原理 (2)實驗數(shù)據(jù)與結論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實驗 (1)圓周卷積代替線性卷積的原理 (2)實驗數(shù)據(jù)和結論 FFT提高運算速度的原理 FFT算法將長序列的DFT分解為短序列的DFT。N點的DFT先分解為2個N/2點的DFT,每個N/2點的DFT又分解為N/4點的DFT,等等。最小變換的點數(shù)即所謂的“基數(shù)”。因此,基數(shù)為2的FFT算法的最小變換(或稱蝶型)是2點的DFT。一般地,對N點FFT,對應于N個輸入樣值,有N個頻域樣值與之對應。
上傳時間: 2013-10-26
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符合全球標準的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準 : UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時間: 2014-04-17
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本文針對6KV中壓電網三相平衡負載的無功功率補償,結合二極管箝位多電平逆變器和H橋級聯(lián)多電平逆變器的特點,提出了一種能夠直接并入電網的新型主從式的逆變器結構:主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器,從逆變器采用三個H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級聯(lián)的形式連接,最后構成一個五電平的混聯(lián)逆變器。從逆變器負責產生一個方波電壓,構成輸?shù)A正弦電壓的基本成分:主逆變器產生輸出電壓的補償部分以及負責消除低次諧波。對于主逆變器直流側電容電壓的平衡問題,本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法,從而降低了PWM調制時控制方法的復雜性。因為集成門極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關頻率高、無緩沖電路、耐壓高等優(yōu)點,主電路選用IGCT作為開關器件。本文詳細分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結構,同時給出了電路參數(shù)的確定方法,并對STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進行了理論分析。根據(jù)本文提出的主從型逆交器結構特點,建立了基于瞬時無功理論的STATCOM系統(tǒng)動態(tài)控制模型,并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過仿真結果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結構在消除諧波方面的優(yōu)越性。
上傳時間: 2013-10-31
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采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間: 2013-11-21
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了解高壓變頻系統(tǒng)共模電壓及其特點,對整個變頻系統(tǒng)的設計具有重要意義。文中較詳細地分析了級聯(lián)型多電平高壓變頻系統(tǒng)共模電壓的產生機理,對兩種電壓胞脈寬調制(PWM) 方法引起的共模電壓進行了比較,提出了采用電壓胞異相調制和3 次諧波注入法減小變頻系統(tǒng)共模電壓的策略。仿真計算表明,該方法既能減小變頻系統(tǒng)輸出共模電壓,又不致降低直流電壓利用率。
上傳時間: 2013-11-23
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描述了三相電壓源型PWM整流器的工作原理,基于整流器網側電流矢量推導出同步旋轉坐標系下系統(tǒng)的數(shù)學模型,給出了一種電流前饋解耦控制算法。同時詳細介紹了基于電流前饋解耦的PWM整流器雙環(huán)控制系統(tǒng)設計方法。并且應用TMS320LF2407A建立了PWM整流器的DSP數(shù)字化實驗系統(tǒng)。實驗結果表明,該整流器能獲得單位功率因數(shù)的正弦輸入電流、穩(wěn)定的直流輸出電壓和快速的動態(tài)響應。
上傳時間: 2013-10-11
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概述: MXT2576是降壓型開關電源穩(wěn)壓器,有很好的電壓調整率和負載調整率,能夠提供5V的輸出電壓和3A的驅動電流。 MXT2576應用簡單,需要的外圍器件少,內置頻率補償電路和固定頻率振蕩器。外圍器件可以采用不同廠家生產的標準系列的電感,從而簡化了開關電源的設計。 在規(guī)定的輸入電壓和輸出負載的條件下,MXT2576輸出電壓的容差為±4%,振蕩器振蕩頻率的容差為±10%。 提供外部關斷信號,待機電流小于200uA(典型值50uA)。內置電流保護電路和溫度保護電路對芯片進行保護。 MXT2576能夠很好的代替通常的三端線形穩(wěn)壓器,有效地減小散熱片的面積,在一些情況下即使不需要散熱片芯片仍可以正常工作。
上傳時間: 2013-12-18
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性能與用途 HVFS型變頻電源裝置是串聯(lián)諧振成套試驗系統(tǒng)和局部放電試驗系統(tǒng)的重要組成部分,本裝置采用調頻調壓方式,進行交流耐壓以及局部放電試驗。 本裝置利用串聯(lián)諧振的原理,通過改變試驗回路的頻率,利用較小容量的供電電源可以完成等效于供電電源 30~150 倍的試驗,大大緩解了現(xiàn)場試驗電源的容量不足問題。
上傳時間: 2013-10-18
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開關型穩(wěn)壓電源中的調整管工作在開關狀態(tài),因而功耗小,電路效率高,體積小,重量輕。適用于大功率且負載固定、輸出電壓調節(jié)范圍不大、負載對輸出紋波要求不高的場合。現(xiàn)在開關型電源應用很廣泛,有許多不同種類的開關穩(wěn)壓電源。 按調整管與負載連接方式可分為串聯(lián)型和并聯(lián)型。 按穩(wěn)壓控制方式可分為脈沖寬度調制型(PWM)、脈沖頻率調制型(PFM)和混合型。 以下是簡單實用開關穩(wěn)壓電源。
上傳時間: 2013-10-25
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STM32,5110液晶顯示聲納探魚器200KHz,帶電路圖,精確到厘米 MC34063升壓,大聲壓發(fā)射,實際板子上濾波電路沒要(電路圖上的濾波電阻電容電感沒焊,開路或者短路)。一般200KHz的換能器在水里面的耦合比較好,在空氣中發(fā)射出來的(或者接收的)強度很低。 用的MOSFET Relay,contact和release時間都可以做到很小,不過選的是比較低端器件,所以最近測量距離為70cm。 開源啦開源啦 架構為狀態(tài)機+任務流,Task都是放在函數(shù)指針數(shù)組里面的 Task分兩種,routine的和錯誤處理的 5110液晶的SPI用的DMA 基本上STM32和C語言高階的特征都用上了,稍微修改直接可以商用 Open Issue 偶爾會hardware fault或者memory fault,然后watchdog重啟, 應該比較好解決,仔細檢查下就好 有什么問題代碼的file comment里面有我聯(lián)系地址 有能搞到好的器件也請知會我,多謝了 接下來準備把它裝到船模上,用以前四軸的那套東西,就看什么時候有時間了
上傳時間: 2013-10-28
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