FSM 分兩大類：米里型和摩爾型。 組成要素有輸入(包括復位)，狀態(包括當前狀態的操作)，狀態轉移條件，狀態的輸出條件。 設計FSM 的方法和技巧多種多樣，但是總結起來有兩大類：第一種，將狀態轉移和狀態的操作和判斷等寫到一個模塊(process、block)中。另一種是將狀態轉移單獨寫成一個模塊，將狀態的操作和判斷等寫到另一個模塊中(在Verilog 代碼中，相當于使用兩個“always” block)。其中較好的方式是后者。其原因 如下： 首先FSM 和其他設計一樣，最好使用同步時序方式設計，好處不再累述。而狀態機實現后，狀態轉移是用寄存器實現的，是同步時序部分。狀態的轉移條件的判斷是通過組合邏輯判斷實現的，之所以第二種比第一種編碼方式合理，就在于第二種編碼將同步時序和組合邏輯分別放到不同的程序塊(process，block) 中實現。這樣做的好處不僅僅是便于閱讀、理解、維護，更重要的是利于綜合器優化代碼，利于用戶添加合適的時序約束條件，利于布局布線器實現設計。顯式的 FSM 描述方法可以描述任意的FSM(參考Verilog 第四版)P181 有限狀態機的說明。兩個 always 模塊。其中一個是時序模塊，一個為組合邏輯。時序模塊設計與書上完全一致，表示狀態轉移，可分為同步與異步復位。
標簽： 狀態
上傳時間： 2015-01-02
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電容器及介質種類： ※高頻類： 此類介質材料的電容器為Ⅰ類電容器，包括通用型高頻COG、COH電容器和溫度補償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。其中COG、COH電容器電性能最穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，適用于低損耗，穩定性要求高的高頻電路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應變化，適用于低損耗、溫度補償型電路中。 ※ X7R、X5R：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，具有較高的介電常數，容量比Ⅰ類電容器高，具有較穩定的溫度特性，適用于容量范圍廣，穩定性要求不高的電路中，如隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。 ※Y5V：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，是所有電容器中介電常數最大的電容器，但其容量穩定性較差，對溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，溫度變化不大的電路中。 ※Z5U：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，其溫度特性介于X7R和Y5V之間，容量穩定性較差，對溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，使用溫度范圍接近于室溫的旁路，耦合等，低直流偏壓的電路中。
標簽： 風華 產品承認書
上傳時間： 2013-11-05
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本文描述的是數字式頻率計的設計過程，其中包含了所用到的VHDl語言的源代碼，和仿真圖型，是比較完整描述的設計數字頻率計的文章
標簽： 數字式 頻率計 過程
上傳時間： 2013-12-23
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數字信號處理作業，根據要求創建級聯型和橫截型序列函數
標簽： 數字信號處理
上傳時間： 2017-07-02
上傳用戶：chenbhdt
EU系列單片機綜合仿真試驗儀（以下簡稱EU系列）是溫州市益友電子有限公司）綜合多年經驗開發出的多功能 8051 單片機平臺（兼容 AVR/PIC 單片機的部 份燒寫實驗功能）。本系列目前包含 EU2000 單片機試驗儀和 EU2000 USB 型單片機實驗儀，集成常用的單片機外圍硬件，ISP 下載線，單片機仿真器，單片機試驗板，編程器功能于一身，特別適合新手學習使用！
標簽： 51;編程；單片機
上傳時間： 2015-06-17
上傳用戶：冪冪冪米
強化學習通過試錯與環境交互獲得策略的改進,其自學習和在線學習的特點使其成為機器學習研究的一個重要分支.該文首先介紹強化學習的原理和結構;其次構造一個二維分類圖,分別在馬爾可夫環境和非馬爾可夫環境下討論最優搜索型和經驗強化型兩類算法;然后結合近年來的研究綜述了強化學習技術的核心問題,包括部分感知、函數估計、多agent強化學習,以及偏差技術;最后還簡要介紹強化學習的應用情況和未來的發展方向.
標簽： 強化學習
上傳時間： 2016-03-26
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0.96寸OLED（12864），包含C51和STM32源程序，測試通過
標簽： 12864 0.96 OLED
上傳時間： 2016-08-22
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6軸姿態傳感器MPU6050，包含51和stm32單片機參考例程
標簽： 6050 MPU
上傳時間： 2019-04-07
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NRZ RZ的產生系統設計，NRZ RZ的產生系統設計。
標簽： NRZ 系統設計
上傳時間： 2019-04-18
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ST-LINK/V2是一款可以在線仿真以及下載STM8以及STM32的開發工具。支持所有帶SWIM接口的STM8系列單片機;支持所有帶JTAG / SWD接口的STM32系列單片機。原理圖：PCB截圖：
標簽： ST-LINK 下載器 pcb
上傳時間： 2022-02-18
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