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單片機外圍器件實用手冊-電源器件分冊-595頁-21.9M.pdf

專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 單片機外圍器件實用手冊-電源器件分冊-595頁-21.9M.pdf

標簽： 21.9 595 單片機

上傳時間： 2013-07-16

上傳用戶：一棵發財樹
GB-T-249-1989-半導體分立器件型號命名方法.pdf

專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M GB-T-249-1989-半導體分立器件型號命名方法.pdf

標簽： GB-T 1989 249

上傳時間： 2013-06-06

上傳用戶：徐孺
GB-T-12560-1990-半導體器件-分立器件分規范-可供認證用-.pdf

專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M GB-T-12560-1990-半導體器件-分立器件分規范-可供認證用-.pdf

標簽： 12560 GB-T 1990

上傳時間： 2013-06-12

上傳用戶：h886166
工控PC104型32位微機勵磁裝置的研究與開發.rar

該篇論文結合河北工業大學電工廠跨世紀產品--WLZ工控PC104微機勵磁裝置的開發過程,從勵磁調節器的硬件構造、軟件組態、勵磁裝置的技術發展等諸多方面論述了國內外勵磁調節裝置的發展趨勢.從計算機技術、數字化技術、陽極采保整形技術、異步中斷技術、勵磁調節策略、可靠性等方面論述了當代先進技術和思想在勵磁調節裝置中的應用.在國內開創性的提出了運用32位工業控制微機PC104于勵樣調節裝置中,成功地解決了微機系統資源和工業實時應用程序的兼容問題.另外,針對國內微機勵磁裝置近年來存在的問題和盲點,在論文中也分別做了論述,并提出了解決策略.作為一個實際的工程課題,該論文所述大部分思想已在實施工程項目中得以實現且獲得成功.第一臺產品樣機已于1999年12月8日成功投運于遼寧清河發電廠100MW兩機交流汽輪發電機組,第二臺產品也于2000年3月20日成功投運于安徽國安發電力公司300MW無刷高起始汽輪發電機組,其優良的性能在現場實時運行中獲得了印證且得到了用戶的好評.

標簽： 104 PC 工控

上傳時間： 2013-06-02

上傳用戶：佳期如夢
單片機外圍器件實用手冊叢書.rar

單片機外圍器件實用手冊叢書,學習單片機的兄弟們能用的上了.

標簽： 單片機外圍器件實用手冊

上傳時間： 2013-05-18

上傳用戶：1101055045
可編程器件應用技巧百問.rar

可編程邏輯器件使用參考資料。解答可編程器件使用中的常見問題。供參考。

標簽： 可編程器件應用技巧

上傳時間： 2013-05-19

上傳用戶：thh29
有機電致發光顯示器件新型封裝技術及材料的研究.rar

有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景，吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。本論文的主要工作是利用現有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能；ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大，明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數。然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。

標簽： 機電發光顯示器件

上傳時間： 2013-07-11

上傳用戶：liuwei6419
LCC諧振變換器在大功率高輸出電壓場合的應用研究.rar

高壓直流電源廣泛應用于醫用X射線機，工業靜電除塵器等設備。傳統的工頻高壓直流電源體積大、重量重、變換效率低、動態性能差，這些缺點限制了它的進一步應用。而高頻高壓直流電源克服了前者的缺點，已成為高壓大功率電源的發展趨勢。本文對應用在高輸出電壓大功率場合的開關電源進行研究，對主電路拓撲、控制策略、工藝結構等方面做出詳細討論，提出實現方案。高壓變壓器由于匝比很大，呈現出較大的寄生參數，如漏感和分布電容，若直接應用在PWM變換器中，漏感的存在會產生較高的電壓尖峰，損壞功率器件，分布電容的存在會使變換器有較大的環流，降低了變換器的效率。本文選用具有電容型濾波器的LCC諧振變換器為主電路拓撲，它可以利用高壓變壓器中漏感和分布電容作為諧振元件，減少了元件的數量，從而減小了變換器的體積。 LCC諧振變換器采用變頻控制策略，可以工作在電感電流連續模式(CCM)和電感電流斷續模式(DCM)，本文對這兩種工作模式進行詳細討論。針對CCM下的LCC諧振變換器，本文分析其工作原理，用基波近似法推導出變換器的穩態模型，給出一種詳盡的設計方法，可以保證所有開關管在全負載范圍內實現零電壓開關，減小電流應力和開關頻率的變化范圍，并進行仿真驗證。基于該變換器，研制出輸出電壓為41kV，功率為23kW的高頻高壓電源，實驗結果驗證了分析與設計的正確性。針對DCM下的LCC諧振變換器，本文分析其工作原理，該變換器可以實現零電流開關，有效地減小IGBT拖尾電流造成的關斷損耗。論文通過電路狀態方程推導出變換器的電壓傳輸比特性，在此基礎上對主電路參數進行設計，并進行仿真驗證。基于該變換器，研制出輸出電壓為66kV，功率為72kW的高頻高壓電源，實驗結果表明了方案的可行性。

標簽： LCC 諧振變換器大功率

上傳時間： 2013-04-24

上傳用戶：edrtbme
GAL器件的開發與應用.rar

GAL器件的開發與應用.rar GAL器件的開發與應用.rar

標簽： GAL 器件

上傳時間： 2013-07-14

上傳用戶：feichengweoayauya
應用VHDL基于FPGA設計FIR濾波器

伴隨高速DSP技術的廣泛應用，實時快速可靠地進行數字信號處理成為用戶追求的目標。同時，由于可編程器件在速度和集成度方面的飛速提高，使得利用硬件實現數字信號實時快速可靠處理有了新的途徑。 FIR濾波器是數字信號處理中常用部件，它的最大優點在于：設計任何幅頻特性時，可以具有嚴格的線性相位，這一點對數字信號的實時處理非常關鍵。 FPGA是常用的可編程器件，它所具有的查找表結構非常適用于實現實時快速可靠的FIR濾波器，在加上VHDL語言靈活的描述方法以及與硬件無關的特點，使得使用VHDL語言基于FPGA芯片實現FIR濾波器成為研究的方向。本文對基于FPGA的FIR數字濾波器實現進行了研究，并設計了一個16階的FIR低通濾波器。所做的主要工作為： 1.以FIR數字濾波器的基本理論為依據，使用分布式算法作為濾波器的硬件實現算法，并對其進行了詳細的討論。針對分布式算法中查找表規模過大的缺點，采用多塊查找表的方式減小硬件規模。 2.在設計中采用了自頂向下的層次化、模塊化的設計思想，將整個濾波器劃分為多個模塊，利用VHDL語言的描述方法進行了各個功能模塊的設計，最終完成了FIR數字濾波器的系統設計。 3.采用FLEX10K系列器件實現一個16階的FIR低通濾波器的設計實例，用MAX+PLUSII軟件進行了仿真，并用MATLAB對仿真結果進行了分析，證明所設計的FIR數字濾波器功能正確。仿真結果表明，本論文所設計的FIR濾波器硬件規模較小，采樣率達到了17.73MHz。同時只要將查找表進行相應的改動，就能分別實現低通、高通、帶通FIR濾波器，體現了設計的靈活性。

標簽： VHDL FPGA FIR 濾波器

上傳時間： 2013-04-24

上傳用戶：zdluffy