專輯類-單片機(jī)專輯-258冊(cè)-4.20G 單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊(cè)-電源器件分冊(cè)-595頁(yè)-21.9M.pdf
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專輯類-國(guó)標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊(cè)-701M GB-T-249-1989-半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法.pdf
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專輯類-國(guó)標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊(cè)-701M GB-T-12560-1990-半導(dǎo)體器件-分立器件分規(guī)范-可供認(rèn)證用-.pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-12
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該篇論文結(jié)合河北工業(yè)大學(xué)電工廠跨世紀(jì)產(chǎn)品--WLZ工控PC104微機(jī)勵(lì)磁裝置的開(kāi)發(fā)過(guò)程,從勵(lì)磁調(diào)節(jié)器的硬件構(gòu)造、軟件組態(tài)、勵(lì)磁裝置的技術(shù)發(fā)展等諸多方面論述了國(guó)內(nèi)外勵(lì)磁調(diào)節(jié)裝置的發(fā)展趨勢(shì).從計(jì)算機(jī)技術(shù)、數(shù)字化技術(shù)、陽(yáng)極采保整形技術(shù)、異步中斷技術(shù)、勵(lì)磁調(diào)節(jié)策略、可靠性等方面論述了當(dāng)代先進(jìn)技術(shù)和思想在勵(lì)磁調(diào)節(jié)裝置中的應(yīng)用.在國(guó)內(nèi)開(kāi)創(chuàng)性的提出了運(yùn)用32位工業(yè)控制微機(jī)PC104于勵(lì)樣調(diào)節(jié)裝置中,成功地解決了微機(jī)系統(tǒng)資源和工業(yè)實(shí)時(shí)應(yīng)用程序的兼容問(wèn)題.另外,針對(duì)國(guó)內(nèi)微機(jī)勵(lì)磁裝置近年來(lái)存在的問(wèn)題和盲點(diǎn),在論文中也分別做了論述,并提出了解決策略.作為一個(gè)實(shí)際的工程課題,該論文所述大部分思想已在實(shí)施工程項(xiàng)目中得以實(shí)現(xiàn)且獲得成功.第一臺(tái)產(chǎn)品樣機(jī)已于1999年12月8日成功投運(yùn)于遼寧清河發(fā)電廠100MW兩機(jī)交流汽輪發(fā)電機(jī)組,第二臺(tái)產(chǎn)品也于2000年3月20日成功投運(yùn)于安徽國(guó)安發(fā)電力公司300MW無(wú)刷高起始汽輪發(fā)電機(jī)組,其優(yōu)良的性能在現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)運(yùn)行中獲得了印證且得到了用戶的好評(píng).
上傳時(shí)間： 2013-06-02
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單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊(cè)叢書(shū),學(xué)習(xí)單片機(jī)的兄弟們能用的上了.
標(biāo)簽： 單片機(jī) 外圍器件 實(shí)用手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-05-18
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可編程邏輯器件使用參考資料。 解答可編程器件使用中的常見(jiàn)問(wèn)題。 供參考。
標(biāo)簽： 可編程器件 應(yīng)用技巧
上傳時(shí)間： 2013-05-19
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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高壓直流電源廣泛應(yīng)用于醫(yī)用X射線機(jī)，工業(yè)靜電除塵器等設(shè)備。傳統(tǒng)的工頻高壓直流電源體積大、重量重、變換效率低、動(dòng)態(tài)性能差，這些缺點(diǎn)限制了它的進(jìn)一步應(yīng)用。而高頻高壓直流電源克服了前者的缺點(diǎn)，已成為高壓大功率電源的發(fā)展趨勢(shì)。本文對(duì)應(yīng)用在高輸出電壓大功率場(chǎng)合的開(kāi)關(guān)電源進(jìn)行研究，對(duì)主電路拓?fù)洹⒖刂撇呗浴⒐に嚱Y(jié)構(gòu)等方面做出詳細(xì)討論，提出實(shí)現(xiàn)方案。 高壓變壓器由于匝比很大，呈現(xiàn)出較大的寄生參數(shù)，如漏感和分布電容，若直接應(yīng)用在PWM變換器中，漏感的存在會(huì)產(chǎn)生較高的電壓尖峰，損壞功率器件，分布電容的存在會(huì)使變換器有較大的環(huán)流，降低了變換器的效率。本文選用具有電容型濾波器的LCC諧振變換器為主電路拓?fù)洌梢岳酶邏鹤儔浩髦新└泻头植茧娙葑鳛橹C振元件，減少了元件的數(shù)量，從而減小了變換器的體積。 LCC諧振變換器采用變頻控制策略，可以工作在電感電流連續(xù)模式(CCM)和電感電流斷續(xù)模式(DCM)，本文對(duì)這兩種工作模式進(jìn)行詳細(xì)討論。針對(duì)CCM下的LCC諧振變換器，本文分析其工作原理，用基波近似法推導(dǎo)出變換器的穩(wěn)態(tài)模型，給出一種詳盡的設(shè)計(jì)方法，可以保證所有開(kāi)關(guān)管在全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)，減小電流應(yīng)力和開(kāi)關(guān)頻率的變化范圍，并進(jìn)行仿真驗(yàn)證。基于該變換器，研制出輸出電壓為41kV，功率為23kW的高頻高壓電源，實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了分析與設(shè)計(jì)的正確性。 針對(duì)DCM下的LCC諧振變換器，本文分析其工作原理，該變換器可以實(shí)現(xiàn)零電流開(kāi)關(guān)，有效地減小IGBT拖尾電流造成的關(guān)斷損耗。論文通過(guò)電路狀態(tài)方程推導(dǎo)出變換器的電壓傳輸比特性，在此基礎(chǔ)上對(duì)主電路參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，并進(jìn)行仿真驗(yàn)證。基于該變換器，研制出輸出電壓為66kV，功率為72kW的高頻高壓電源，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明了方案的可行性。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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GAL器件的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用.rar GAL器件的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用.rar
上傳時(shí)間： 2013-07-14
上傳用戶：feichengweoayauya
伴隨高速DSP技術(shù)的廣泛應(yīng)用，實(shí)時(shí)快速可靠地進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理成為用戶追求的目標(biāo)。同時(shí)，由于可編程器件在速度和集成度方面的飛速提高，使得利用硬件實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)實(shí)時(shí)快速可靠處理有了新的途徑。 FIR濾波器是數(shù)字信號(hào)處理中常用部件，它的最大優(yōu)點(diǎn)在于：設(shè)計(jì)任何幅頻特性時(shí)，可以具有嚴(yán)格的線性相位，這一點(diǎn)對(duì)數(shù)字信號(hào)的實(shí)時(shí)處理非常關(guān)鍵。 FPGA是常用的可編程器件，它所具有的查找表結(jié)構(gòu)非常適用于實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)快速可靠的FIR濾波器，在加上VHDL語(yǔ)言靈活的描述方法以及與硬件無(wú)關(guān)的特點(diǎn)，使得使用VHDL語(yǔ)言基于FPGA芯片實(shí)現(xiàn)FIR濾波器成為研究的方向。 本文對(duì)基于FPGA的FIR數(shù)字濾波器實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了研究，并設(shè)計(jì)了一個(gè)16階的FIR低通濾波器。所做的主要工作為： 1.以FIR數(shù)字濾波器的基本理論為依據(jù)，使用分布式算法作為濾波器的硬件實(shí)現(xiàn)算法，并對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的討論。針對(duì)分布式算法中查找表規(guī)模過(guò)大的缺點(diǎn)，采用多塊查找表的方式減小硬件規(guī)模。 2.在設(shè)計(jì)中采用了自頂向下的層次化、模塊化的設(shè)計(jì)思想，將整個(gè)濾波器劃分為多個(gè)模塊，利用VHDL語(yǔ)言的描述方法進(jìn)行了各個(gè)功能模塊的設(shè)計(jì)，最終完成了FIR數(shù)字濾波器的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 3.采用FLEX10K系列器件實(shí)現(xiàn)一個(gè)16階的FIR低通濾波器的設(shè)計(jì)實(shí)例，用MAX+PLUSII軟件進(jìn)行了仿真，并用MATLAB對(duì)仿真結(jié)果進(jìn)行了分析，證明所設(shè)計(jì)的FIR數(shù)字濾波器功能正確。 仿真結(jié)果表明，本論文所設(shè)計(jì)的FIR濾波器硬件規(guī)模較小，采樣率達(dá)到了17.73MHz。同時(shí)只要將查找表進(jìn)行相應(yīng)的改動(dòng)，就能分別實(shí)現(xiàn)低通、高通、帶通FIR濾波器，體現(xiàn)了設(shè)計(jì)的靈活性。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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