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  • 單片機(jī)外圍器件實用手冊-電源器件分冊-595頁-21.9M.pdf

    專輯類-單片機(jī)專輯-258冊-4.20G 單片機(jī)外圍器件實用手冊-電源器件分冊-595頁-21.9M.pdf

    標(biāo)簽: 21.9 595 單片機(jī)

    上傳時間: 2013-07-16

    上傳用戶:一棵發(fā)財樹

  • GB-T-249-1989-半導(dǎo)體分立器件型號命名方法.pdf

    專輯類-國標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊-701M GB-T-249-1989-半導(dǎo)體分立器件型號命名方法.pdf

    標(biāo)簽: GB-T 1989 249

    上傳時間: 2013-06-06

    上傳用戶:徐孺

  • GB-T-12560-1990-半導(dǎo)體器件-分立器件分規(guī)范-可供認(rèn)證用-.pdf

    專輯類-國標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊-701M GB-T-12560-1990-半導(dǎo)體器件-分立器件分規(guī)范-可供認(rèn)證用-.pdf

    標(biāo)簽: 12560 GB-T 1990

    上傳時間: 2013-06-12

    上傳用戶:h886166

  • 工控PC104型32位微機(jī)勵磁裝置的研究與開發(fā).rar

    該篇論文結(jié)合河北工業(yè)大學(xué)電工廠跨世紀(jì)產(chǎn)品--WLZ工控PC104微機(jī)勵磁裝置的開發(fā)過程,從勵磁調(diào)節(jié)器的硬件構(gòu)造、軟件組態(tài)、勵磁裝置的技術(shù)發(fā)展等諸多方面論述了國內(nèi)外勵磁調(diào)節(jié)裝置的發(fā)展趨勢.從計算機(jī)技術(shù)、數(shù)字化技術(shù)、陽極采保整形技術(shù)、異步中斷技術(shù)、勵磁調(diào)節(jié)策略、可靠性等方面論述了當(dāng)代先進(jìn)技術(shù)和思想在勵磁調(diào)節(jié)裝置中的應(yīng)用.在國內(nèi)開創(chuàng)性的提出了運用32位工業(yè)控制微機(jī)PC104于勵樣調(diào)節(jié)裝置中,成功地解決了微機(jī)系統(tǒng)資源和工業(yè)實時應(yīng)用程序的兼容問題.另外,針對國內(nèi)微機(jī)勵磁裝置近年來存在的問題和盲點,在論文中也分別做了論述,并提出了解決策略.作為一個實際的工程課題,該論文所述大部分思想已在實施工程項目中得以實現(xiàn)且獲得成功.第一臺產(chǎn)品樣機(jī)已于1999年12月8日成功投運于遼寧清河發(fā)電廠100MW兩機(jī)交流汽輪發(fā)電機(jī)組,第二臺產(chǎn)品也于2000年3月20日成功投運于安徽國安發(fā)電力公司300MW無刷高起始汽輪發(fā)電機(jī)組,其優(yōu)良的性能在現(xiàn)場實時運行中獲得了印證且得到了用戶的好評.

    標(biāo)簽: 104 PC 工控

    上傳時間: 2013-06-02

    上傳用戶:佳期如夢

  • 單片機(jī)外圍器件實用手冊叢書.rar

    單片機(jī)外圍器件實用手冊叢書,學(xué)習(xí)單片機(jī)的兄弟們能用的上了.

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 外圍器件 實用手冊

    上傳時間: 2013-05-18

    上傳用戶:1101055045

  • 可編程器件應(yīng)用技巧百問.rar

    可編程邏輯器件使用參考資料。 解答可編程器件使用中的常見問題。 供參考。

    標(biāo)簽: 可編程器件 應(yīng)用技巧

    上傳時間: 2013-05-19

    上傳用戶:thh29

  • 有機(jī)電致發(fā)光顯示器件新型封裝技術(shù)及材料的研究.rar

    有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)柔性顯示,應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點和廣闊的商業(yè)前景,吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo),除了器件的材料,結(jié)構(gòu)設(shè)計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理,結(jié)構(gòu)和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能;ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大,明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮氣保護(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進(jìn)行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測試與討論。通過對比,研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。

    標(biāo)簽: 機(jī)電 發(fā)光 顯示器件

    上傳時間: 2013-07-11

    上傳用戶:liuwei6419

  • LCC諧振變換器在大功率高輸出電壓場合的應(yīng)用研究.rar

    高壓直流電源廣泛應(yīng)用于醫(yī)用X射線機(jī),工業(yè)靜電除塵器等設(shè)備。傳統(tǒng)的工頻高壓直流電源體積大、重量重、變換效率低、動態(tài)性能差,這些缺點限制了它的進(jìn)一步應(yīng)用。而高頻高壓直流電源克服了前者的缺點,已成為高壓大功率電源的發(fā)展趨勢。本文對應(yīng)用在高輸出電壓大功率場合的開關(guān)電源進(jìn)行研究,對主電路拓?fù)洹⒖刂撇呗浴⒐に嚱Y(jié)構(gòu)等方面做出詳細(xì)討論,提出實現(xiàn)方案。 高壓變壓器由于匝比很大,呈現(xiàn)出較大的寄生參數(shù),如漏感和分布電容,若直接應(yīng)用在PWM變換器中,漏感的存在會產(chǎn)生較高的電壓尖峰,損壞功率器件,分布電容的存在會使變換器有較大的環(huán)流,降低了變換器的效率。本文選用具有電容型濾波器的LCC諧振變換器為主電路拓?fù)洌梢岳酶邏鹤儔浩髦新└泻头植茧娙葑鳛橹C振元件,減少了元件的數(shù)量,從而減小了變換器的體積。 LCC諧振變換器采用變頻控制策略,可以工作在電感電流連續(xù)模式(CCM)和電感電流斷續(xù)模式(DCM),本文對這兩種工作模式進(jìn)行詳細(xì)討論。針對CCM下的LCC諧振變換器,本文分析其工作原理,用基波近似法推導(dǎo)出變換器的穩(wěn)態(tài)模型,給出一種詳盡的設(shè)計方法,可以保證所有開關(guān)管在全負(fù)載范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān),減小電流應(yīng)力和開關(guān)頻率的變化范圍,并進(jìn)行仿真驗證。基于該變換器,研制出輸出電壓為41kV,功率為23kW的高頻高壓電源,實驗結(jié)果驗證了分析與設(shè)計的正確性。 針對DCM下的LCC諧振變換器,本文分析其工作原理,該變換器可以實現(xiàn)零電流開關(guān),有效地減小IGBT拖尾電流造成的關(guān)斷損耗。論文通過電路狀態(tài)方程推導(dǎo)出變換器的電壓傳輸比特性,在此基礎(chǔ)上對主電路參數(shù)進(jìn)行設(shè)計,并進(jìn)行仿真驗證。基于該變換器,研制出輸出電壓為66kV,功率為72kW的高頻高壓電源,實驗結(jié)果表明了方案的可行性。

    標(biāo)簽: LCC 諧振變換器 大功率

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:edrtbme

  • GAL器件的開發(fā)與應(yīng)用.rar

    GAL器件的開發(fā)與應(yīng)用.rar GAL器件的開發(fā)與應(yīng)用.rar

    標(biāo)簽: GAL 器件

    上傳時間: 2013-07-14

    上傳用戶:feichengweoayauya

  • 應(yīng)用VHDL基于FPGA設(shè)計FIR濾波器

    伴隨高速DSP技術(shù)的廣泛應(yīng)用,實時快速可靠地進(jìn)行數(shù)字信號處理成為用戶追求的目標(biāo)。同時,由于可編程器件在速度和集成度方面的飛速提高,使得利用硬件實現(xiàn)數(shù)字信號實時快速可靠處理有了新的途徑。 FIR濾波器是數(shù)字信號處理中常用部件,它的最大優(yōu)點在于:設(shè)計任何幅頻特性時,可以具有嚴(yán)格的線性相位,這一點對數(shù)字信號的實時處理非常關(guān)鍵。 FPGA是常用的可編程器件,它所具有的查找表結(jié)構(gòu)非常適用于實現(xiàn)實時快速可靠的FIR濾波器,在加上VHDL語言靈活的描述方法以及與硬件無關(guān)的特點,使得使用VHDL語言基于FPGA芯片實現(xiàn)FIR濾波器成為研究的方向。 本文對基于FPGA的FIR數(shù)字濾波器實現(xiàn)進(jìn)行了研究,并設(shè)計了一個16階的FIR低通濾波器。所做的主要工作為: 1.以FIR數(shù)字濾波器的基本理論為依據(jù),使用分布式算法作為濾波器的硬件實現(xiàn)算法,并對其進(jìn)行了詳細(xì)的討論。針對分布式算法中查找表規(guī)模過大的缺點,采用多塊查找表的方式減小硬件規(guī)模。 2.在設(shè)計中采用了自頂向下的層次化、模塊化的設(shè)計思想,將整個濾波器劃分為多個模塊,利用VHDL語言的描述方法進(jìn)行了各個功能模塊的設(shè)計,最終完成了FIR數(shù)字濾波器的系統(tǒng)設(shè)計。 3.采用FLEX10K系列器件實現(xiàn)一個16階的FIR低通濾波器的設(shè)計實例,用MAX+PLUSII軟件進(jìn)行了仿真,并用MATLAB對仿真結(jié)果進(jìn)行了分析,證明所設(shè)計的FIR數(shù)字濾波器功能正確。 仿真結(jié)果表明,本論文所設(shè)計的FIR濾波器硬件規(guī)模較小,采樣率達(dá)到了17.73MHz。同時只要將查找表進(jìn)行相應(yīng)的改動,就能分別實現(xiàn)低通、高通、帶通FIR濾波器,體現(xiàn)了設(shè)計的靈活性。

    標(biāo)簽: VHDL FPGA FIR 濾波器

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:zdluffy

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