The BTS5016SDA is a one channel high-side power switch in PG-TO252-5-11 package providing embedded protective functions. The power transistor is built by a N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The design is based on Smart SIPMOS chip on chip technology. The BTS5016SDA has a current controlled input and offers a diagnostic feedback with load current sense and a defined fault signal in case of overload operation, overtemperature shutdown and/or short circuit shutdown.
上傳時間： 2019-03-27
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AO4420, AO4420L ( Green Product ) N-Channel Enhancement Mode Field Effect transistor
上傳時間： 2020-04-19
上傳用戶：su1254
This design uses Common-Emitter Amplifier (Class A) with 2N3904 Bipolar Junction transistor. Use “Voltage Divider Biasing” to reduce the effects of varying β (= ic / ib) (by holding the Base voltage constant) Base Voltage (Vb) = Vcc * [R2 / (R1 + R2)] Use Coupling Capacitors to separate the AC signals from the DC biasing voltage (which only pass AC signals and block any DC component). Use Bypass Capacitor to maintain the Q-point stability. To determine the value of each component, first set Q-point close to the center position of the load line. (RL is the resistance of the speaker.)
上傳時間： 2020-11-27
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AT89S52單片機主8入8出繼電器工控主板ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件,2層板設計，大小為121x149mm，Altium Designer 設計的工程文件，包括完整的原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你的產品設計的參考。主要器件型號列表如下：Library Component Count : 25Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24LC02AJKG 按鍵開關AT89S52-P 8 位微處理器/40引腳CAP CapacitorCAPACITOR POL CapacitorCPDR 瓷片電容CRYSTAL CrystalD Connector 9 Receptacle Assembly, 9 Position, Right AngleDG 電感DJDR 電解電容GO 光耦Header 5X2 Header, 5-Pin, Dual rowJDQYCK 繼電器——1常開1常閉LED 發光二極管LM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorMAX232 NPN NPN Bipolar transistorPZ_2 排針——2PZ_3 排針——3RES2Res 電阻Res PZ_8 8位排阻SW-DPST Double-Pole, Single-Throw SwitchWY2JG 穩壓二級管ZL2JG 整流二極管
上傳時間： 2021-11-17
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基于DSP設計的數字化大功率電源數字化全橋變換器電源ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件，包括主板和控制板2個硬件，均為4層板設計，ALTIUM設計的硬件工程文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設計參考。主板原理圖器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模電感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP transistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工業B/消費C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054 R26020054/工業A/消費C/快恢復二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工業A/消費B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工業B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
標簽： tms320f28035 dsp 全橋變換器
上傳時間： 2021-12-22
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The PW2202 is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planarTechnology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system
標簽： pw2202
上傳時間： 2022-02-11
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本書是 Marc Thompson 博士 20 年模擬電路設計和教學經驗的總結，講述了模擬電路與系統設計中常用的直觀分析方法。本書提出了“模擬電路直觀方法學”，力圖幫助學生和設計人員擺脫復雜的理論推導與計算，充分利用直觀知識來應對模擬電路工程設計挑戰。全書共分為 16 章，內容涵蓋了二極管、晶體管、放大器、濾波器、反饋系統等模擬電路的基本知識與設計方法。本書大綱第 1 章與第 2 章為介紹性材料。第 1 章是本書的引言，同時介紹了模擬電路設計的發展動機，其中引用了一些精選的歷史事件。第 2 章講述后續章節中用到地重要的信號處理概念，以使讀者們能夠跟上作者的思路。第 3 章至第 8 章講述雙極性器件的物理學原理、雙極性結型晶體管 (bipolar junction transistor, BJT) 、晶體管放大器，以及用于帶寬估計與開關速度分析的近似技術。第 9 章講述 CMOS 管和 CMOS 管放大器的基礎知識。前面章節介紹的用于放大器設計的帶寬估計技術也同樣適用于 CMOS 管器件。第 10 章講述 晶體管的開關效應。晶體管是如何實現導通和關閉呢？又如何估計它的開關速度呢？第 11 章回顧反饋系統 (feedback system) 的基本知識以及設計穩定反饋系統的伯德圖 / 相位裕度方法 (Bod plot / phase margin) 。第 12 章和第 13 章講述實際運算放大器的設計、使用和限制，包括電壓反饋 (voltage-feedback) 以及電流反饋 (current-feedback) 放大器。第 14 章講述模擬低通濾波器設計的基本知識，包括巴特沃思 (Butterworth) 、切比雪夫 (Chebyshev) 、橢圓 (elliptic) 以及貝塞爾 (Bessel) 濾波器的無源梯形實現和胡源實現。第 15 章講述實際電路設計問題，比如 PCB 版圖設計規則、無源器件的使用和限制等。第 16 章是一些有用的設計技術和設計技巧的大雜燴，這些內容又不適合放在其他章節，所以作為獨立的章節進行講述。一些說明性的分析問題以及 MATLAB 和 SPICE 設計示例點綴在全書的字里行間，以幫助讀者理解本書的內容。
標簽： 模擬電路
上傳時間： 2022-02-14
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TFT-LCD(Thin Film transistor Liquid Crystal Display)即薄膜晶體管液晶顯示器，是微電子技術與液晶顯示器技術巧妙結合的的一種技術。CRT顯示器的工作原理是通電后燈絲發熱，陰極被激發后發射出電子流，電子流受到高電壓的金屬層的加速，經過透鏡聚焦形成極細的電子束打在熒光屏上，使熒光粉發光顯示圖像。LCD顯示器需要來自背后的光源，當光束通過這層液晶時，液晶會呈不規則扭轉形狀（形狀由TFT上的信號與電壓改變實現），所以液晶更像是一個個閘門，選擇光線穿透與否，這樣就可以在屏幕上看到深淺不一，錯落有致的圖像。目前主流的LCD顯示器都是TFT-LCD，是由原有液晶技術發展而來。TFT液晶為每個像素都設有一個半導體開關，以此做到完全的單獨控制一個像素點，液晶材料被夾在TFT陣列和彩色濾光片之間，通過改變刺激液晶的電壓值就可以控制最后出現的光線強度和色彩，
上傳時間： 2022-04-09
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三菱電機功率器件在工業、電氣化鐵道、辦公自動化、家電產品等多種領域的電力變換及電動機控制中得到廣泛應用。為了真正滿足市場對裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強、容量大的要求，三菱電機積極致力于新型器件的研究、開發，為人類的節能和環保不斷努力。第5代IGBT和IPM模塊均采用三菱電機第5代IGBT硅片CSTBTIM技術，并具有正溫度系數特征，與傳統的溝槽型構造IGBT相比，降低了集電極一發射極間飽和電壓，從而實現了更低損耗。同時改進了封裝技術，大大減小了模塊內部分布電感。本應用手冊的出版，旨在幫助用戶了解第5代IGBT和IPM模塊的特性和工作原理，更加方便的使用三菱電機的半導體產品。三菱電機謹向所有購買和支持三菱半導體產品的用戶表示誠摯的感謝。1.IGBT模塊的一般認識1.1 NF系列IGBT模塊的特點NF系列IGBT模塊主要具有以下兩大特點：1，采用第5代IGBT硅片在溝槽型IGBT的基礎上增加電荷蓄積層的新結構（CSTBT）改善了關斷損耗（Eoff）和集電極-發射極問飽和電壓VEisat的折衷。插入式組合元胞（PCM）的使用增強了短路承受能力（SCSOA）并降低了柵極電容，從而降低驅動功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar transistor載流子存儲式溝槽硼型雙極晶體臂
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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