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transistor

晶體管（transistor）是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，所以開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。[1]

  • 用于10kVIGBT固體開關的脈沖變壓器設計

    由于高重復頻率固體開關在加速器、雷達發射機、高功率微波和污染控制等領域存在的潛在優勢，美國、英國、日本和韓國等都對固體開關技術進行了大量研究，從而成為近年脈沖功率界研究的重點1。從固體元件電路結構上，固體開關可以分成兩種類型：串聯結構和累加器結構。采用串聯結構的固體開關生產廠家中，比較著名的有LLNL（Lawrence Livermore National Laboratory）和DTI（Diverfisied Technology Inc.），采用累加器結構的廠家中，比較著名的是LLNIL.和美國的First Point Scientific Ine.B32A我們已經研制成功了采用光纖控制的10kV絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar transistor，IGBT）固體開關，盡管在該固體開關中采用的光纖收發器比較便宜，但光纖控制部分還是比較昂貴的。在一定的應用環境，如脈沖寬度為幾微秒到十幾微秒，可以采用脈沖變壓器來控制IGBT。從文獻[1]表明：只要脈沖同步和緩沖電路設計適當，即可確保固體開關中不會出現過壓。盡管脈沖變壓器隔離控制在同步精度和驅動波形一致性方面不如光纖控制，但還是可以用來控制IGBT固體開關。采用脈沖變壓器控制IGBT的主要優點是價格便宜，但其存在的主要問題是輸出脈沖寬度范圍比較有限和絕緣性能如何保證的問題。在脈沖變壓器控制的IGBT固體開關中，脈沖變壓器設計非常重要，因此下面只討論脈沖變壓器的絕緣問題和IGBT固體開關的實驗結果。

    標簽： 脈沖變壓器

    上傳時間： 2022-06-22

    上傳用戶：20125101110

  • 逆變器IGBT損壞原因分析及處理

    1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結構；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來，冷床傳輸鏈運行較為穩定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar transistor，IGBT）損壞現象，具體故障情況統計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。

    標簽： 逆變器 igbt

    上傳時間： 2022-06-22

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  • 新能源汽車電機控制器IGBT模塊的驅動技術

    IGBT（Insulated Gate Bipolar transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導通壓降兩方面的優點。IGB綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。成為功率半導體器件發展的主流，廣泛應用于風電、光伏、電動汽車、智能電網等行業中。在電動汽車行業中，電機控制器、輔助動力系統，電動空調中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應用于電機控制器中，由于電動汽車電機控制器工作環境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實際開關中存在的米勒效應等寄生參數的直接影響到驅動電路的可靠性1電機控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對1GBT實行比較完善的保護。過流會引起電機控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進行檢測，并由相應的電路來實現保護；過壓一般發生在IGBT關斷時，較大的di/dt會在寄生電感上產生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當降低開關速率。短路故障發生后瞬時就會產生極大的電流，很快就會損壞1GBT，主控制板的過流保護根本來不及，必須由硬件電路控制驅動電路瞬間加以保護。因此驅動器的設計過程中，保護功能設計得是否完善，對系統的安全運行尤其重要。

    標簽： 新能源汽車 電機控制器 igbt

    上傳時間： 2022-06-22

    上傳用戶：XuVshu

  • hall元件NHE520F

    ?This is a high sensitivity type of Nicera Hall element using evaporated InSbfilm.?It performs effectively in low magnetic fields due to the high sensitivity.?The input and output resistance values are suitable for transistor circuitsBrushless motors?DVD drive, CD-ROM drive, floppy disk drive?Other small precision motors?Non-contacting magnetic sensors?Position sensors, rotation sensors, current sensors?Magnetic flux sensors other than those above

    標簽： nhe520f

    上傳時間： 2022-07-26

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  • 霍爾元件 NHE313 技術手冊

    This is a high sensitivity type of Nicera Hall element using evaporated InSbfilm.It performs effectively in low magnetic fields due to the high sensitivity.The input and output resistance values are suitable for transistor circuits.Sip type packageApplications    Brushless motorsPosition sensors, rotation sensors, current sensorsNon-contacting magnetic sensorsCurrent sensorsMagnetic flux sensors other than those above

    標簽： nhe313 霍爾元件

    上傳時間： 2022-07-26

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