有關(guān)半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和動(dòng)態(tài)日新日異，不僅因?yàn)榭萍歼M(jìn)步、對(duì)科技產(chǎn)品需求量大增，同時(shí)也是因?yàn)檎麄€(gè)封裝制造業(yè)的大環(huán)境及前景也在改變，因此如何提供一本關(guān)于CMOS封裝的書籍就顯得格外重要。希望本書對(duì)千那些剛踏入封裝這個(gè)行業(yè)，或是未來想要從事該行業(yè)的工程師或技術(shù)人員能有所參考與依循，并配合適當(dāng)?shù)挠?xùn)練課程來減少摸索時(shí)間 ，這也是本書的主要目的。同時(shí)為求快速學(xué)習(xí)，對(duì)各工序方式、機(jī)臺(tái)設(shè)備等都力求以最自然的方式描述概念，并結(jié)合相關(guān)實(shí)例講解，以達(dá)到更好的學(xué)習(xí)理解的功效。
上傳時(shí)間： 2022-07-09
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本文先設(shè)計(jì)了一種高性能的CMOS模擬集成溫度傳感器，并在電路中設(shè)計(jì)了ESD保護(hù)電路和啟動(dòng)電路，以保證電路工作點(diǎn)正常與性能優(yōu)良。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作電壓低、電源抑制比高和線性度良好的特點(diǎn)。采用HSPICE對(duì)該溫度傳感器電路進(jìn)行了模擬仿真，仿真結(jié)果表明其電源抑制比可以達(dá)到64dB，在-50℃~150℃溫度范圍內(nèi)，電壓溫度系數(shù)可以達(dá)到2.9mV/K，線性度良好。而后在原集成溫度傳感器電路研究成果的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一種用于CMOS集成溫度傳感器二次非線性項(xiàng)修正的曲率校正電路，該電路有效解決了CMOS溫度傳感電路中電阻溫度系數(shù)和PN結(jié)電壓二次非線性項(xiàng)對(duì)輸出線性度的影響。應(yīng)用了該校正電路的CMOS 溫度傳感系統(tǒng)已在0.6um 標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝中研制實(shí)現(xiàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在-50℃~+150℃的溫度范圍內(nèi)該溫度傳感系統(tǒng)的最大誤差小于1.5℃。該研究的成果可用于一些高精度的應(yīng)用場(chǎng)所，比如冷暖空調(diào)、醫(yī)療儀器，自檢測(cè)系統(tǒng)等諸多領(lǐng)域中，具有顯著的研究意義和廣泛的應(yīng)用前景。
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CMOS集成電路制造工藝
上傳時(shí)間： 2022-07-16
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學(xué)習(xí)FPGA設(shè)計(jì)，最好把CMOS數(shù)字集成電路微電子的知識(shí)補(bǔ)充一下，對(duì)學(xué)習(xí)fpga設(shè)計(jì)大有好處。
標(biāo)簽： cmos 數(shù)字集成電路
上傳時(shí)間： 2022-07-17
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基于CadenceIC的CMOS集成電路版圖設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： cadenceic cmos 集成電路 版圖設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2022-07-20
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文檔為CMOS集成電路版圖Tanner-L-Edit設(shè)計(jì)入門總結(jié)文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
標(biāo)簽： cmos
上傳時(shí)間： 2022-07-23
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識(shí) 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對(duì)靜電認(rèn)識(shí)的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢(shì) 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對(duì)電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國(guó)內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲(chǔ)工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測(cè) 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測(cè)及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測(cè)的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測(cè)及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實(shí)際ESD檢測(cè)的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評(píng)價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測(cè)中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測(cè) 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對(duì)器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場(chǎng)感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對(duì)抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具－TLP測(cè)試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理
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