PWM(脈沖寬度調制)是一種利用數字信號來控制模擬電路的控制技術，廣泛應用于電源、電機、伺服系統、通信系統、電子控制器、功率控制等電力電子設備。PWM技術在逆變電路中的應用最為廣泛，也是變頻技術的核心，同時在機床，液壓位置控制系統等機械裝置中也發揮著重要的作用。PWM技術已經成為控制領域的一個熱點，因此研究PWM發生器對于基礎理論的發展和技術的改進都有十分重要的意義。 論文研究的主要內容是用任意波形作為調制信號通過特定的方法來產生所需要的PWM波形，任意波形的合成和PWM波形的生成是兩個主要任務。任意波形的合成是課題設計的一個難點，也是影響系統性能的關鍵因素之一。論文中波形合成采用直接數字頻率合成(DDS)技術來實現。DDS技術以相位為地址，通過查找離散幅度數據進行波形合成，具有輸出波形相位變化連續、分辨率高、頻率轉換速率快的優點，而且通過設置控制字可靈活方便地改變輸出頻率，是目前波形合成的主流方法。 實現PWM發生器的設計方法有多種。在綜合比較了單片機、DSP、ARM等常用開發工具特點的基礎上，本文提出了一種以可編程邏輯器件(PLD)為主體，單片機輔助配合的設計方法。隨著計算機技術和微電了技術的迅速發展，可編程邏輯器件的集成度和容量越來越大，基于PLD的設計方法正逐步成為一種主流于段，是近些年來電子系統設計的一個熱點。整個系統分為模擬波形產生、單片機控制電路、FPGA內部功能模塊三大部分。FPGA部分的設計是以Altera公司的Quartus Ⅱ軟件為開發平臺，采用VHDL語言為主要輸入手段來完成內部各功能模塊的設計輸入、編譯、仿真等調試工作，目標載體選用性價比比較高的Altera公司的CycloneⅡ系列的器件；單片機控制電路主要負責控制字的設置和顯示，波形數據的接受與發送；用MATLAB軟件完成仟意波形的繪制和模擬任務。 論文共分五章，詳細介紹了課題的背景、PWM發生器的發展和應用以及選題的目的和意義等，論述了系統設計方案的可行性，對外圍電路和FPAG內部功能模塊的設計方法進行了具體說明，并對仿真結果、系統的性能、存在的問題和改進方法等進行了分析和闡述。整個設計滿足PWM發生器的任務和功能要求，設計方法可行。
上傳時間： 2013-06-03
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并網 滑模
上傳時間： 2014-01-06
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隨著功率開關器件的發展，電力電子裝置日益小型化和高頻化，電氣性能大幅提高，但是隨之產生的高次諧波卻對電網造成嚴重污染。在電力電子設備中，整流器(AC／DC變流器)占有較大的比例，是主要的污染源。由于固態感應加熱電源對于電網呈現非線性特性，從電網中輸出的電流就不是標準的正弦曲線。高頻諧波電流對電力設施產生過熱或其他危害。 Boost電路應用到功率因數校正方面已經較為成熟，對于幾百瓦小功率的功率因數校正，常規的電路是可以實現的。但是對于大功率諸如感應加熱電源，還存在很多的實際問題。為了解決開關器件由于二極管反向恢復時產生的沖擊電流而易損壞的情況，減少開關器件在高頻下的開關損耗，本文采用一種無源無損緩沖電路取代傳統的LC濾波電路。在分析了軟開關電路的工作原理以及逆變模塊的分時-移相功率控制策略后，應用Matlab軟件進行了仿真，并通過實驗結果驗證了理論分析的正確性。
上傳時間： 2014-12-24
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上傳時間： 2013-11-01
上傳用戶：litianchu
使用 LPC2138 的RTC 功能時，RTC 選擇外部晶振且使能操作和利用外設功率控制寄存器關閉RTC 的操作有一定的次序，否則會導致RTC 正常工作、RTC 工作異常。
上傳時間： 2013-10-13
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是關于arm7的代碼，里面是功率控制方面的程序
上傳時間： 2013-11-29
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隨著蜂窩移動通信市場的巨大發展，下一代通信將是移動多媒體通信。這種情況產生了一個問題，如何對語音信源以外的多媒體信源進行功率控制。在探討這個問題上，我們引入微觀經濟學中的數學模型和概念以及博弈論理論。在本文中，電話的通話質量被稱為“效度”，對于一個CDMA電話通信的分布式功率控制被看作是一個‘非協作的博弈’。
上傳時間： 2013-12-09
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GSM低噪聲放大器模塊監控處理程序，主功能包括輸入輸出功率檢測，最大輸出功率控制，器件壞告警等。
上傳時間： 2017-05-17
上傳用戶：時代電子小智
脈沖寬度調制（PWM）是英文“Pulse Width Modulation”的縮寫，簡稱脈寬調制。它是利用微處理器的數字輸出來對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術，廣泛應用于測量，通信，功率控制與變換等許多領域。一種模擬控制方式，根據相應載荷的變化來調制晶體管柵極或基極的偏置，來實現開關穩壓電源輸出晶 體管或晶體管導通時間的改變，這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定。 脈沖寬
標簽： Modulation Pulse Width PWM
上傳時間： 2014-03-10
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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似 雙向可控硅 于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅 ”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。 可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。 可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。
標簽： 雙向可控硅實用電路500例
上傳時間： 2015-05-07
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