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雙向可控硅實用電路500例

資 源 簡 介

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似
雙向可控硅雙向可控硅
于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅
”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。
可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

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