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介質(zhì)(zhì)陶瓷

FDTD CPML 計算介質(zhì)端平均電場功率

FDTD CPML 計算介質(zhì)端平均電場功率

標簽： FDTD CPML 功率

上傳時間： 2013-12-12

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IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2013-11-04

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高穩(wěn)定·寬溫單片（或獨石）電容器用介質(zhì)陶瓷材料

利用介質(zhì)陶瓷材料制造的高穩(wěn)定、寬溫單片（或獨石）電容器，廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事及民用通信及電子設(shè)備中。在對介質(zhì)陶瓷材料組分理論、控制溫度工藝研究，以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系材料組分重組的分析的基礎(chǔ)上，通過改進研磨工藝，控制煅燒溫度等方法，研制出了工作溫度范圍寬、低損耗、介電常數(shù)ε可通過調(diào)整、性能穩(wěn)定性電容器介質(zhì)陶瓷材料。

標簽： 高穩(wěn)定寬溫介質(zhì)陶瓷電容器

上傳時間： 2013-10-12

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壓電陶瓷在超聲波電機中的應(yīng)用研究.

超聲波電機利用壓電陶瓷的逆壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C械振動，再通過摩擦作用將機械振動轉(zhuǎn)變?yōu)殡姍C的旋轉(zhuǎn)（直線）運動，進而驅(qū)動負載。壓電陶瓷作為超聲波電機的振動發(fā)生器件，其性能的優(yōu)劣直接影響到電機的輸出性能。本文采用傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷，研究壓電阿瓷在行被型超聲波電機中的應(yīng)用及壓電性能對電機性能的影響.研究了P41和PMns-PZN-PZT壓電陶瓷材料的結(jié)構(gòu)、性能、頻率溫度穩(wěn)定性及極化方式對壓電陶瓷性能的影響。結(jié)果表明，這兩種材料都具有較好的介電溫度穩(wěn)定性，P41具有明顯的鐵電體相變特點，PMns-PZN-PZT具有她豫-鐵電體相變特點。采用同時同向一次極化工藝改善了二次極化工藝所遺留的各極化區(qū)域ds不均勻、分區(qū)界面應(yīng)力的存在導(dǎo)致的性能不穩(wěn)定性，同時縮短了極化時間，提高了超聲波電機的輸出性能.P-41陶的極化采件為3kV/mm，120 ℃極化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的極化條件為3.5 kV/mm.140℃極化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷的性能與超聲波電機性能的相關(guān)性，探討了電機的導(dǎo)納、負載、啟動與關(guān)斷和溫度特性。結(jié)果表明，電機具有較好的瞬態(tài)特性，啟動時間ams，關(guān)斷時間<l ms.采用P-41壓電陶瓷電機的啟動與關(guān)斷速度比PMnS-PZIN-PZT壓電陶登電機的快，與P41壓電陶瓷具有非弛豫相變特點有關(guān)，說明P41壓電陶瓷比較適用于需要反復(fù)開關(guān)的超聲電機.同時，P41電機的Qm較小而Aar比較大（TRUM-60 1型電機），具有較好的負載驅(qū)動能力。電機的表面溫度隨運轉(zhuǎn)時間的延長迅速升高，最終在某一溫度下穩(wěn)定運轉(zhuǎn)，采用PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷電機的表面溫度明顯低于采用P41壓電陶瓷的電機（TRLIM6011電機），與PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷具有非常低的介電損耗有關(guān)，因此這種材料比較適用于需要長時間運轉(zhuǎn)的超聲波電機。預(yù)壓力對電機的性能影響很大，不同尺寸電機具有不同的驅(qū)動性能.

標簽： 壓電陶瓷超聲波電機

上傳時間： 2022-06-18

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壓電陶瓷換能器在醫(yī)學超音波儀器的應(yīng)用

壓電陶瓷換能器在醫(yī)學超音波儀器的應(yīng)用

標簽： 陶瓷超音波

上傳時間： 2013-07-13

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AEM新型疊層多元陶瓷片式熔斷器應(yīng)用指南

AEM新型疊層多元陶瓷片式熔斷器應(yīng)用指南

標簽： AEM 疊層多元陶瓷

上傳時間： 2013-07-11

上傳用戶：eeworm
功率型壓電陶瓷振子的研制及應(yīng)用

功率型壓電陶瓷振子的研制及應(yīng)用

標簽： 功率型壓電陶瓷

上傳時間： 2013-04-15

上傳用戶：eeworm
開關(guān)電源基本原理與設(shè)計介紹 ppt

開關(guān)電源基本原理與設(shè)計介紹 ppt

標簽： 開關(guān)電源

上傳時間： 2013-07-24

上傳用戶：eeworm
PID控制技術(shù)在壓電陶瓷精密定位過程的應(yīng)用

PID控制技術(shù)在壓電陶瓷精密定位過程的應(yīng)用

標簽： PID 控制技術(shù) 壓電陶瓷精密定位

上傳時間： 2013-04-15

上傳用戶：eeworm