在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要
標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時(shí)間: 2014-12-01
上傳用戶:lhc9102
PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間: 2013-10-22
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間: 2013-11-17
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GB-T 11386-1989 信息處理 m 未記錄的硬扇段單面或雙面軟磁盤 尺寸、物理性能和磁性能
標(biāo)簽: 11386 GB-T 1989 信息處理
上傳時(shí)間: 2013-05-31
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8051單片機(jī)配套的SD卡-SDHC卡扇區(qū)讀寫測(cè)試
上傳時(shí)間: 2013-04-24
上傳用戶:打算打算
直接數(shù)據(jù)頻率合成器(DDS)因能產(chǎn)生頻率捷變且殘留相位噪聲性能卓越而著稱。另外,多數(shù)用戶都很清楚DDS輸出頻譜中存在的雜散噪聲,比如相位截?cái)嚯s散以及與相位-幅度轉(zhuǎn)換過程相關(guān)的雜散等。此類雜散是實(shí)際DDS設(shè)計(jì)中的有限相位和幅度分辨率造成的結(jié)果。
標(biāo)簽: 雜散噪聲
上傳時(shí)間: 2013-11-18
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電容器的寄生作用與雜散電容.pdf
上傳時(shí)間: 2014-04-18
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FPGA直接讀取SD卡扇區(qū)數(shù)據(jù) FPGA代碼
標(biāo)簽: FPGA 讀取 SD卡 數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間: 2013-11-06
上傳用戶:sqq
首先介紹了采用直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)的正弦信號(hào)發(fā)生器的基本原理和采用FPGA實(shí)現(xiàn)DDS信號(hào)發(fā)生器的基本方法,然后結(jié)合DDS的原理分析了采用DDS方法實(shí)現(xiàn)的正弦信號(hào)發(fā)生器的優(yōu)缺點(diǎn),其中重點(diǎn)分析了幅度量化雜散產(chǎn)生的誤差及其原因,最后針對(duì)DDS原理上存在的幅度量化雜散,利用FPGA時(shí)鐘頻率可調(diào)的特點(diǎn),重點(diǎn)提出了基于FPGA實(shí)現(xiàn)的DDS正弦信號(hào)發(fā)生器的兩種改進(jìn)方法,經(jīng)過MATLAB仿真驗(yàn)證,改進(jìn)方法較好的抑制了幅度量化雜散,減小了誤差。
上傳時(shí)間: 2013-10-09
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FPGA直接讀取SD卡扇區(qū)數(shù)據(jù) FPGA代碼
標(biāo)簽: FPGA 讀取 SD卡 數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間: 2013-11-16
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