此為UWB OFDM之發(fā)射端模擬仿真程序
上傳時間： 2016-07-10
上傳用戶：pkkkkp
nrf24e1 adc 接收端 原始碼 發(fā)射端原始碼
上傳時間： 2017-09-03
上傳用戶：bruce5996
文件中詳細(xì)列舉出FLIR雷達(dá)產(chǎn)品所使用的頻率波段以及發(fā)射功率資訊！
上傳時間： 2015-03-18
上傳用戶：戴斗笠的神秘人
使用borland C++寫成的簡單小程式，功能有透過rs232port發(fā)射訊號給其它的無線sensor，是一個簡單的點(diǎn)餐程式。
上傳時間： 2014-06-19
上傳用戶：頂?shù)弥?/p>
射頻功率放大器存在于各種現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)的末端，所以射頻功率放大器性能的優(yōu)劣直接影響到整個通信系統(tǒng)的性能指標(biāo)。如何在兼顧效率的前提下提高功放的線性度是近年來國內(nèi)外的研究熱點(diǎn)，在射頻功率放大器的設(shè)計過程中這是非常重要的問題。 作為發(fā)射機(jī)末端的重要模塊，射頻功率放大器的主要任務(wù)是給負(fù)載天線提供一定功率的發(fā)射信號，因此射頻功率放大器一般都工作在大信號條件下。所以設(shè)計射頻功率放大器時，器件的選型和設(shè)計方式都和一般的小信號放大器不同，尤其在寬帶射頻功率放大器的設(shè)計過程中，由于工作頻帶很寬，且要綜合考慮線性度和效率問題，所以射頻功率放大器的設(shè)計難度很大。 本文設(shè)計了一個工作頻帶為30-108MHz，增益為25dB的寬帶射頻功率放大器。由于工作頻帶較寬，輸出功率較大，線性度要求高；所以在實際的過程中采用了寬帶匹配，功率回退等技術(shù)來達(dá)到最終的設(shè)計目標(biāo)。 本文首先介紹了關(guān)于射頻功率放大器的一些基礎(chǔ)理論，包括器件在射頻段的工作模型，使用傳輸線變壓器實現(xiàn)阻抗變換的基本原理，S參數(shù)等，這些是設(shè)計射頻功率放大器的基本理論依據(jù)。然后本文描述了射頻功率放大器非線性失真產(chǎn)生的原因，在此基礎(chǔ)上介紹了幾種線性化技術(shù)并做出比較。然后本文介紹了射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)并提出一種具體的設(shè)計方案，最后利用ADS軟件對設(shè)計方案進(jìn)行了仿真。仿真過程包括兩個步驟，首先是進(jìn)行直流仿真來確定功放管的靜態(tài)工作點(diǎn)，然后進(jìn)行功率增益即S21的仿真并達(dá)到設(shè)計要求。
上傳時間： 2013-07-28
上傳用戶：gtf1207
本書主要闡述設(shè)計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計技巧，以及將分析計算與計算機(jī)輔助設(shè)計相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計方法。這些方法提高了設(shè)計效率，縮短了設(shè)計周期。本書內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計方法、非線性主動設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設(shè)計的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設(shè)計工程師，他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.2 散射參數(shù) 1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換 1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò) 1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò) 1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò) 1.7 傳輸線 參考文獻(xiàn) 第2章 非線性電路設(shè)計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數(shù)法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準(zhǔn)線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻(xiàn) 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數(shù)的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計 4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導(dǎo) 參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網(wǎng)絡(luò) 5.3 四口網(wǎng)絡(luò) 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計基礎(chǔ) 6.1 主要特性 6.2 增益和穩(wěn)定性 6.3 穩(wěn)定電路技術(shù) 6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設(shè)計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯(lián)電容的E類 7.5 具有并聯(lián)電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設(shè)計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則 8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò) 8.6 實際設(shè)計一瞥 參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計 9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù) 9.2 包絡(luò)跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關(guān)模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術(shù) 9.7 預(yù)失真線性化技術(shù) 9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻(xiàn)
標(biāo)簽： 射頻 微波功率 放大器設(shè)計
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：W51631
用AD8362制作功率計，用于測量射頻功率
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：ArmKing88
介紹由傳輸線變壓器(又稱為魔T 混合網(wǎng)絡(luò)) 構(gòu)成功率合成和功率分配的工作原理以及在射頻大功率放大器中的應(yīng)用。
標(biāo)簽： 傳輸線變壓器 中的應(yīng)用 射頻功率放大器
上傳時間： 2014-08-15
上傳用戶：ghostparker
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：waitingfy
設(shè)計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時間： 2014-12-24
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