硅微機(jī)械傳感器
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專輯類----傳感器專輯 硅微機(jī)械傳感器-316頁-8.4M.rar
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專輯類-傳感器專輯-87冊-901M 硅微機(jī)械傳感器-316頁-8.4M.pdf
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項(xiàng)目的研究內(nèi)容是對硅微諧振式加速度計(jì)的數(shù)據(jù)采集電路開展研究工作。硅微諧振式加速度計(jì)敏感結(jié)構(gòu)輸出的是兩路差分的頻率信號,因此硅微諧振式加速度計(jì)數(shù)據(jù)采集電路完成的主要任務(wù)是測出兩路頻率信號的差值。測量要求是:實(shí)現(xiàn)10ms內(nèi)對中心諧振頻率為20kHz、標(biāo)度因數(shù)為100Hz/g、量程為±50g、分辨率為1mg的硅微諧振式加速度計(jì)輸出的頻率信號的測量,等效測量誤差為±1mg。電路的控制核心為單片機(jī),具有串行接口以便將測量結(jié)果傳送給PC機(jī)從而分析、保存測量結(jié)果。\\r\\n按研究內(nèi)容設(shè)計(jì)了軟硬件。軟件采用多周期同步法
標(biāo)簽: 硅微 加速度計(jì) 數(shù)據(jù)采集電路 諧振式
上傳時間: 2013-08-11
上傳用戶:csgcd001
項(xiàng)目的研究內(nèi)容是對硅微諧振式加速度計(jì)的數(shù)據(jù)采集電路開展研究工作。硅微諧振式加速度計(jì)敏感結(jié)構(gòu)輸出的是兩路差分的頻率信號,因此硅微諧振式加速度計(jì)數(shù)據(jù)采集電路完成的主要任務(wù)是測出兩路頻率信號的差值。測量要求是:實(shí)現(xiàn)10ms內(nèi)對中心諧振頻率為20kHz、標(biāo)度因數(shù)為100Hz/g、量程為±50g、分辨率為1mg的硅微諧振式加速度計(jì)輸出的頻率信號的測量,等效測量誤差為±1mg。電路的控制核心為單片機(jī),具有串行接口以便將測量結(jié)果傳送給PC機(jī)從而分析、保存測量結(jié)果。 按研究內(nèi)容設(shè)計(jì)了軟硬件。軟件采用多周期同步法實(shí)現(xiàn)高精度,快速度的頻率測量方案,并使用CPLD編程實(shí)現(xiàn),這也是最難的地方。硬件采用現(xiàn)在流行的3.3V供電系統(tǒng),選用EPM240T100C5N和較為實(shí)用的AVR單片機(jī)芯片Atmega64L,對應(yīng)3.3V供電系統(tǒng),串行接口使用MAX3232。 最后完成了PCB板的制作,經(jīng)反復(fù)調(diào)試后得到了非常好的效果。采集的數(shù)據(jù)滿足項(xiàng)目研究內(nèi)容中的要求,當(dāng)提高有源晶振的頻率時,精度有大大提高了,此時已遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足了項(xiàng)目中高精度,快速度測量的要求。另外,采用MFC編程編寫了上位機(jī)的數(shù)據(jù)接收和數(shù)據(jù)處理專用軟件,集數(shù)據(jù)采集,運(yùn)算,作圖,保存功能于一體。 此為CPLD語言部分
標(biāo)簽: 硅微 加速度計(jì) 諧振式 項(xiàng)目
上傳時間: 2013-12-09
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項(xiàng)目的研究內(nèi)容是對硅微諧振式加速度計(jì)的數(shù)據(jù)采集電路開展研究工作。硅微諧振式加速度計(jì)敏感結(jié)構(gòu)輸出的是兩路差分的頻率信號,因此硅微諧振式加速度計(jì)數(shù)據(jù)采集電路完成的主要任務(wù)是測出兩路頻率信號的差值。測量要求是:實(shí)現(xiàn)10ms內(nèi)對中心諧振頻率為20kHz、標(biāo)度因數(shù)為100Hz/g、量程為±50g、分辨率為1mg的硅微諧振式加速度計(jì)輸出的頻率信號的測量,等效測量誤差為±1mg。電路的控制核心為單片機(jī),具有串行接口以便將測量結(jié)果傳送給PC機(jī)從而分析、保存測量結(jié)果。 按研究內(nèi)容設(shè)計(jì)了軟硬件。軟件采用多周期同步法實(shí)現(xiàn)高精度,快速度的頻率測量方案,并使用CPLD編程實(shí)現(xiàn),這也是最難的地方。硬件采用現(xiàn)在流行的3.3V供電系統(tǒng),選用EPM240T100C5N和較為實(shí)用的AVR單片機(jī)芯片Atmega64L,對應(yīng)3.3V供電系統(tǒng),串行接口使用MAX3232。 最后完成了PCB板的制作,經(jīng)反復(fù)調(diào)試后得到了非常好的效果。采集的數(shù)據(jù)滿足項(xiàng)目研究內(nèi)容中的要求,當(dāng)提高有源晶振的頻率時,精度有大大提高了,此時已遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足了項(xiàng)目中高精度,快速度測量的要求。另外,采用MFC編程編寫了上位機(jī)的數(shù)據(jù)接收和數(shù)據(jù)處理專用軟件,集數(shù)據(jù)采集,運(yùn)算,作圖,保存功能于一體。 此為上位機(jī)程序部分
標(biāo)簽: 硅微 加速度計(jì) 諧振式 項(xiàng)目
上傳時間: 2017-02-13
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傳感器專輯 87冊 901M硅微機(jī)械傳感器 316頁 8.4M.pdf
標(biāo)簽:
上傳時間: 2014-05-05
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MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密機(jī)械加工等多種加工技術(shù),并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)構(gòu)成的微型系統(tǒng).
標(biāo)簽: MEMS 器件 密封 工藝規(guī)范
上傳時間: 2013-10-13
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MSP40-V1.2-CHS[1]微硅壓力傳感器。
上傳時間: 2013-11-13
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微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節(jié)版 前言2/71 摘要5/71 除外責(zé)任5/71 第一章 簡介 6/71 第二章 背景知識 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演變 7/71 2.2 存儲器的種類14/71 2.3 安全保護(hù)的類型 15/71 第三章 破解技術(shù) 18/71 3.1 簡介 18/71 3.1.1 保護(hù)等級18/71 3.1.2 攻擊種類19/71 3.1.3 攻擊過程20/71 3.2 非侵入式攻擊 20/71 3.3 侵入式攻擊21/71 3.4 半侵入式攻擊 22/71 第四章 非侵入式攻擊23/71 4.1 含糊與安全23/71 4.2 時序攻擊24/71 4.3 窮舉攻擊24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪聲攻擊28/71 4.5.1 時鐘噪聲攻擊 29/71 4.5.2 電源噪聲攻擊 30/71 4.6 數(shù)據(jù)保持能力分析 30/71 4.6.1 低溫下SRAM的數(shù)據(jù)保持能力30/71 4.6.2 非易失存儲器的數(shù)據(jù)保持能力 33/71 第五章 侵入式攻擊 38/71 5.1 樣品的準(zhǔn)備38/71 5.1.1 打開封裝38/71 5.1.2 逆向處理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光學(xué)圖像來重建版圖41/71
上傳時間: 2013-10-23
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