雙線性內(nèi)插法(bi-linear interpolation) 此方法以(x,y)的四個(gè)鄰近點(diǎn)來(lái)求得最近似的灰度
標(biāo)簽： interpolation bi-linear 61548 灰度
上傳時(shí)間： 2013-12-28
上傳用戶：三人用菜
雙線性內(nèi)插法(bi-linear interpolation) 此方法以(x,y)的四個(gè)鄰近點(diǎn)來(lái)求得最近似的灰度
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上傳時(shí)間： 2014-12-21
上傳用戶：佳期如夢(mèng)
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：372825274
高可用性繫統(tǒng)常常采用雙路饋送功率分配，旨在實(shí)現(xiàn)冗餘並增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。“或”二極管把兩路電源一起連接在負(fù)載點(diǎn)上，最常用的是肖特基二極管，目的在於實(shí)現(xiàn)低損耗
標(biāo)簽： 理想二極管 保護(hù) 電源布線 錯(cuò)誤
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：BOBOniu
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
Jollen-Kit! 2006 是非常積極進(jìn)行中的專案，所有紀(jì)錄與更新將同步揭示於本網(wǎng)頁(yè)。 快速下載 U-Boot 的 binary code：U-Boot binary - 2006/01/03 Linux kernel 2.4.18 for jk2410：uimage.img - 2006/01/06 可開(kāi)機(jī)的 Base root filesystem： urootfs.img -2006/01/07 (without tftp) 可開(kāi)機(jī)的 Base root filesystem： urootfs2.img -2006/03/10 (Busybox 1.10 with tftp) GNU cross toolchain：arm-9tdmi-linux-gnu.tar.gz (armpath by Joe) 安裝方法: # cd / (切換到 / 根目錄) # tar jxf <路徑>/arm-9tdmi-linux-gnu.tar.gz (將檔案解開(kāi)) "Hello, World!" 在 ARM9 的範(fàn)例：hello_arm.tar.gz (使用Makefile) 其它工具與原始碼下載 驅(qū)動(dòng)程式模組
標(biāo)簽： Jollen-Kit 2006
上傳時(shí)間： 2015-06-16
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灰色理論下之灰關(guān)聯(lián)matlab源碼，可幫助計(jì)算一序列中的數(shù)據(jù)的權(quán)重，得以給予不同之相關(guān)性
標(biāo)簽： matlab
上傳時(shí)間： 2013-12-22
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互換性與測(cè)量技術(shù)基礎(chǔ)
標(biāo)簽： 互換性 測(cè)量 技術(shù)基礎(chǔ)
上傳時(shí)間： 2013-05-21
上傳用戶：eeworm
SMT印制電路板的可制造性設(shè)計(jì)與審核 ppt
上傳時(shí)間： 2013-06-27
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