Cree公司生產(chǎn)的SiC MOSFET器件,型號(hào)C2M00802012D,在應(yīng)用器件前需要進(jìn)行雙脈沖實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)中用到的主電路原理圖(包括PCB文件),驅(qū)動(dòng)和測(cè)試原理介紹提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式,可以直接交廠制作,不需修改。
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資源簡(jiǎn)介:IGBT雙脈沖測(cè)試方法介紹,具體介紹IGBT的測(cè)試方法
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資源簡(jiǎn)介:周立功 lpc2104 開發(fā)板資料和測(cè)試程序,經(jīng)過調(diào)試
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