jssc上優(yōu)秀文章,用CMOS建立的基準(zhǔn)電路
資源簡介:介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上,通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法,大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明:在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi),輸出電壓...
上傳時間: 2013-10-27
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資源簡介:介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計與驗證
上傳時間: 2013-10-08
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資源簡介:在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度穩(wěn)定性。
上傳時間: 2013-10-18
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資源簡介:摘要:采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動,設(shè)計了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,并在TSMC0.18Um CMOS工藝下,采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明:在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益,電源抑制比達(dá)到-100dB,電源電壓...
上傳時間: 2013-11-19
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資源簡介:電壓帶隙基準(zhǔn)一個在模擬電路中很重的一部分,本文論述了帶隙基準(zhǔn)的一個高階補(bǔ)償方法
上傳時間: 2014-01-02
上傳用戶:huql11633
資源簡介:一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計
上傳時間: 2021-10-17
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資源簡介:高精度曲率校正帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計68頁
上傳時間: 2021-10-17
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資源簡介:jssc上優(yōu)秀文章,用CMOS建立的基準(zhǔn)電路
上傳時間: 2013-10-20
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資源簡介:根據(jù)汽車發(fā)動機(jī)控制芯片的工作環(huán)境,針對常見的溫度失效問題,提出了一種應(yīng)用在發(fā)動機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝,采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu),具有適應(yīng)低電源電壓、電源抑制比高的特點(diǎn)。同時還提出一種使用不同溫度系...
上傳時間: 2014-01-09
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資源簡介:基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝,設(shè)計了一種高電源抑制比,同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓,通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓,以提供給帶隙核心電路作為供電電源,從而提高了電源抑制比。另外,將電路...
上傳時間: 2014-12-03
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資源簡介:利用matlab計算三維光子晶體帶隙的fdtd算法
上傳時間: 2015-07-01
上傳用戶:zhyiroy
資源簡介:本程序是用matlab仿真軟件和解析法來計算光子晶體帶隙的
上傳時間: 2014-01-08
上傳用戶:離殤
資源簡介:本程序是用matlab仿真軟件和解析法來計算一維光子晶體帶隙的另一個程序
上傳時間: 2013-12-08
上傳用戶:sunjet
資源簡介:一組很好的FDTD計算二維光子帶隙的程序,matlab 7.0以上版本適用
上傳時間: 2013-12-22
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資源簡介:采用有限元法計算半導(dǎo)體的帶隙結(jié)構(gòu)和波函數(shù)。
上傳時間: 2014-01-15
上傳用戶:Avoid98
資源簡介:平面波展開法計算正方形結(jié)構(gòu)光子晶體的帶隙的程序,二維,平面
上傳時間: 2014-11-27
上傳用戶:helmos
資源簡介:這是個光子晶體一維二維及三維帶隙,帶結(jié)構(gòu)或色散關(guān)系分析設(shè)計,很好用
上傳時間: 2013-12-27
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資源簡介:詳細(xì)介紹了聲子晶體的帶隙計算和傳輸特性,包含聲子晶體的計算源程序。內(nèi)有文件注釋。
上傳時間: 2016-05-02
上傳用戶:曹云鵬
資源簡介:計算二維光子晶體帶隙的源程序,用時域有限差分方法,對研究光子晶體的同行很有幫助阿
上傳時間: 2014-01-07
上傳用戶:libenshu01
資源簡介:用傳輸矩陣的方法來計算光子晶體帶隙,matlab文件
上傳時間: 2016-07-08
上傳用戶:杜瑩12345
資源簡介:計算彈性波帶隙結(jié)構(gòu),主要針對二維的彈性波計算z方向的帶系結(jié)構(gòu)
上傳時間: 2013-12-20
上傳用戶:tianyi223
資源簡介:fdtd計算二維光子晶體帶隙,程序較長,用起來還可以
上傳時間: 2016-10-29
上傳用戶:BIBI
資源簡介:本程序可計算二維光子晶體的帶隙,并得出帶隙圖,和帶隙位置及寬度
上傳時間: 2014-01-19
上傳用戶:阿四AIR
資源簡介:可以得出二維正方形格子直角缺陷光子晶體的帶隙
上傳時間: 2013-12-07
上傳用戶:924484786
資源簡介:負(fù)折射率光子晶體的帶隙計算程序請大家參考
上傳時間: 2013-12-03
上傳用戶:yy541071797
資源簡介:近年來,隨著集成電路技術(shù)和電源管理技術(shù)的發(fā)展,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)受到了普遍的關(guān)注,被廣泛應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如PDA、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、無線電話與通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和測試儀器等中,但國內(nèi)研究起步晚,市場大部分被國外產(chǎn)品占有,因此,開展...
上傳時間: 2013-07-08
上傳用戶:Wibbly
資源簡介:Sigma-Delta A/D轉(zhuǎn)換器利用過采樣,噪聲整形和數(shù)字濾波技術(shù),有效衰減了輸出信號帶內(nèi)的量化噪聲,提高了信噪比。與傳統(tǒng)的Nyquist轉(zhuǎn)換器相比,它降低了對模擬電路性能指標(biāo)和元件精度的要求,簡化了模擬電路的設(shè)計,降低了生產(chǎn)成本。 本論文在對Sigma-Delta A/D...
上傳時間: 2013-06-27
上傳用戶:songyuncen
資源簡介:近年來,隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步,電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個重要的變化: 一個是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心,一個是整個電子系統(tǒng)可以集成在一個芯片上(稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用,并且影響著模擬集成電路的發(fā)...
上傳時間: 2013-11-13
上傳用戶:chengxin
資源簡介:模擬集成電路的設(shè)計與其說是一門技術(shù),還不如說是一門藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計需要更嚴(yán)格的分析和更豐富的直覺。嚴(yán)謹(jǐn)堅實(shí)的理論無疑是嚴(yán)格分析能力的基石,而設(shè)計者的實(shí)踐經(jīng)驗無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學(xué)者對學(xué)習(xí)模擬集成電路設(shè)計感到困惑并難...
上傳時間: 2014-12-23
上傳用戶:杜瑩12345
資源簡介:MC34063是一單片雙極型線性集成電路,專用于直流-直流變換器控制部分。片內(nèi)包含有溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源、一個占空比周期控制振蕩器、驅(qū)動器和大電流輸出開關(guān),能輸出1.5A的開關(guān)電流。它能使用最少的外接元件構(gòu)成開關(guān)式升壓變換器、降壓式變換器和電源反向器。
上傳時間: 2017-05-27
上傳用戶:kr770906