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半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體(GaN SiC)材料及器件測試

  • 資源大小:4456 K
  • 上傳時間: 2022-01-03
  • 上傳用戶:zinuoyu
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: 半導(dǎo)體 gan sic

資 源 簡 介

半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體(GaN、SiC)材料及器件測試

寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱為第三代半導(dǎo)體材料。

四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀, 范德堡法為更通用的四探針測量技術(shù),
對樣品形狀沒有要求, 且不需要測量樣品所有尺寸, 但需滿足以下四個條件
? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。
? 樣品不能有任何隔離的孔。
? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。
? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。

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